以SrTiO3为基电容器瓷料的研究

通过对以ＳｒＴｉＯ３为基瓷料配方和制造工艺的改进，得到了在－２５℃－８５℃的温度范围内，介电常数ε大于２２００，介电常数的温度稳定性较好的瓷料。     

铋层化合物对BaTiO3基瓷料烧结和性能的影响

本文研究了铋层化合物Ｂｉ２Ｍｎ－１ＲｎＯ３ｎ＋３的组成与含量对ＢａＴｉＯ３基瓷料烧结和介电性能的影响．实验结果表明，铋层化合物对ＢａＴｉＯ３基瓷料的降温作用与其组成电负性差值及熔融温度有关，其含量为０．０５（ｍｏｌ）的ＢａＴｉＯ３基瓷料的烧温约为１１００℃左右．从微观结构分析可推断瓷料烧结过程为过渡液相烧结或典型液相烧结。这类结构的中温烧结瓷料具有较高的介电常数（１６００～３０００），低的介质损耗（６０～２００×１０－４），小的电容温度变化率（－５５～１２５℃，＜１５％）和优良的绝缘性能（ρｖ≥１０１０Ω．ｍ）。     

线性高频电容器瓷料的研究

研制一种以ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２－ＣａＴｉＯ３为主晶相的Ｖ组线性电容器瓷料．以三、五族氧化物为改性剂，使容量温度特性线性化；加ＰｂＴｉＯ３，使介电常数提高．其介电常数ε＞３１０，电容温度系数αｃ＝（－１５００±２５０）×１０－６／℃，其余各项电气、物理、机械性能均符合国际ＧＢ５５９６－８５．     

均匀设计法在陶瓷材料研究中的应用

应用均匀设计法对陶瓷材料进行配方设计,确立了多层陶瓷电容器材料中掺杂剂用量对介电常数及在125℃和150℃的容量温度特性的多元非线性回归方程。对掺杂剂选取12个水平来进行均匀设计。实验表明,设计的数学模型可以成功预测实验结果并具有良好的精度。最终优化了瓷料配方,获得了室温介电常数介于1 500～3 300的X8R陶瓷材料体系。     

玻璃—细晶BaTiO_3MLC瓷料的介电性能

研究了不同含量的玻璃加入到细晶 Ba Ti O3及多层陶瓷电容器 (简称 ML C)资料系统中 ,其介电性能的变化 .结果表明 ,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度 ,系统的介电系数随温度变化平坦 ,改善了系统的热稳定性 .然而 ,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加 ,绝缘电阻的减小 .玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明 ,加入玻璃的量应控制在质量分数 5 .0 %左右 ,这样既能有效的降低系统的烧结温度 ,同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数 ,从而得到最佳的介电性能 .     

玻璃——细晶BaTiO3 MLC瓷料的介电性能

研究了不同含量的玻璃加入到细晶ＢaTiO3及多层陶瓷电容器（简称ＭＬＣ）资料系统中,其介电性能的变化。结果表明,加入适量的玻璃能显著地降低烧结温度,系统的介电系数随温度变化平坦,改善了系统的热稳定性。然而,过量的玻璃将会引起瓷料系统损耗的增加,绝缘电阻的减小。玻璃成分含量不同的瓷料组分的研究表明,加入玻璃的量应控制在质量分数５．０％左右,这样既能有效的降低系数的烧结温度。同时又可以使瓷料系统保持相对较高的介电常数,从而得到最佳的介电性能。     

Cr, Li, W等添加物对瓷介电容瓷料性能的影响

研究了Cr2O3,Li2CO3,WO3对于0.90(Sr0.54Pb0.26Ca0.20)TiO3-0.1Bi2O3*3.5TiO2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加Cr2O3对于该瓷料的ε-t曲线有压峰作用;而Li2CO3的掺加有提升ε-t峰作用,介电常数随着掺加量的增加而提高,损耗在45 ℃以下随掺加量的增加而提高;WO3的添加也具有提峰作用,并且同时可以降低高温段ε的温度系数.     

复合掺杂对BaTiO3瓷介电常数温度特性的影响

研究了Ｄｙ－Ｎｂ、Ｃｅ－Ｎｂ氧化物复合掺杂对ＢａＴｉＯ３瓷温度特性的影响。结果表明，能使ＢａＴｉＯ３瓷的介电常数－温度关系曲线变得相当平缓。对造成此结果的原因，进行了理论分析和讨论。     

(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3纳米粉体结构与介电性能

针对微波介质瓷料系统成瓷过程中介电损耗较大且成瓷温度较高的问题,采用湿化学法制备(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3粉体,并采用XRD、IR和TEM等分析方法进行表征.结果表明,800℃灼烧3h所得晶体为三方晶系,平均粒径为34nm.采用这种瓷粉在1060℃制得的瓷件,介电常数ε=508,介电损耗tanδ=4.6×10-4,温度系数αc=-440×10-6/℃,电阻率ρv>1012Ω·cm;当Nb∶Ta=0.7∶0.3,成瓷温度为950℃时,即可获得NPO温度特性.瓷件的介电性能优于固相法,且成瓷温度下降.     

85瓷的低温烧结及其介电性能

通过添加多元助剂降低85瓷的烧结温度,并探讨了TiO_2与CaO质量比的变化对85瓷致密化过程、结构及介电性能的影响。结果发现,添加多元助剂可以有效降低85瓷的烧结温度至1 350℃,适当调节TiO_2与CaO的质量比可进一步提高其致密度,当m(TiO_2)∶m(CaO)=0.5时,85瓷在相同温度下烧结的致密度最高。研究同时发现,通过调节TiO_2与CaO的质量比,85瓷的介电常数在8.0~8.8的区间内能可控地调节,其变化规律与密度变化趋势一致;另一方面,85瓷的Q×f值较低,且其变化与密度无关,可能与烧结助剂较多且其成份变化较复杂有关。     

微波介质特性高温测量方法研究

简要介绍了目前温度高达1000℃以上的介质材料复介电常数测量技术的发展现状，分析了高温介质材料复介电常数测量中的关键技术，给出了多种材料复介电常数随温度变化的曲线。     

SrTiO3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系

采用二次烧结法制备SrTiO_3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1 440℃烧结2 h时达到最佳,介电常数为24 000,损耗在0. 02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中.     

烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响

采用不同的烧结温度（900～1300℃）制备氧化锌压敏瓷，通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析，探讨了烧结温度对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理。烧结温度越高，Bi2O3挥发越严重，氧化锌压敏瓷的晶粒尺寸越大，电位梯度越低。研究结果表明，当烧结温度为1100℃时，压敏瓷具有较为理想的综合电性能，其电位梯度为332V／mm，非线性系数为30，漏电流为0．1μA。     

MgO-SiO_2-TiO_2系统Co、Ca离子掺杂的研究

以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg Si Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂,并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析.研究表明:适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂,减少了系统缺陷,使系统微观结构排列整齐、致密,显著地使损耗从11 3×10-4降低至0 15×10-4,同时使烧结温度降低了近40℃。适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能.该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域.     

高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷

采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响．所制备的半导瓷经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ，其视在介电常数Ｋｅｆｆ＞３×１０４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０－２，绝缘电阻率ρ＞１０１０Ω·ｃｍ．     

MgO—SiO2—TiO2系统Co、Ca离子掺杂的研究

以氧化钴及钛酸钙作为添加剂对Mg-Si-Ti高频低介陶瓷系统进行离子掺杂,并运用扫描电镜和X射线衍射对钴、钙离子的改性机理以及两添加剂的最佳配比进行分析.研究表明适量的钴离子作为晶粒抑制剂和矿化剂,减少了系统缺陷,使系统微观结构排列整齐、致密,显著地使损耗从11.3×10-4降低至0.15×10-4,同时使烧结温度降低了近40 ℃.适量的钙离子掺杂在保证了其他介电性能的前提下可以有效地优化系统介电常数和电容量温度性能.该瓷料特别适于制成片式多层陶瓷电容器用于航空、航天、国防军事等尖端技术领域.     

掺杂Fe对SrBi2Nb2O9介电性质的影响

报道了掺杂Fe可使SrBi2Nb2O9介电和铁电性能得以改善而且可降低陶瓷的烧结温度．采用传统的烧结工艺制备了陶瓷样品，XRD和SEM分析表明SBFN仍具有层状钙钛矿结构，掺杂Fe导致SrBi2Nb2O9陶瓷样品的烧结温度降低约100℃．居里温度从406℃升高到453℃，并且介电常数在居里温度下从1150升高到1409．居里温度和居里温度下介电常数提高都表明自发极化增强，该现象归因于较小Fe^3 掺杂扩大了正离子的“rattling空间”．     

沥青混凝土路面施工控制要点

一、沥青混合料的拌和 （1）沥青混合料施工控制温度见下表。 （2）沥青混合料的拌和、施工温度应根据所用沥青的粘温关系曲线确定。对沥青材料采用导热油加热，一般加热温度应在160-170℃范围内，矿料加热温度为170-180℃，沥青与矿料的加热温度应调节到能使拌和的沥青混凝土出厂温度在150-165℃，不准有花白料、超温料，     

等静压力及偏置电压下锆钛锡酸铅基反铁电体的介电行为

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电（AFE）／铁电（FE）相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系，得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电／反铁电相变及反铁电／顺电（PE）相变温度影响的规律．研究发现：极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下，随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大，相对介电常数最大值对应的温度降低，FE／AFE转变温度上升，AFE／PE转变温度下降；当等静压力为0．1MPa时，单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃／kV，单位偏置电压引起的FE／AFE相变温度变化率为5．2℃／kV，当等静压力为60MPa时，分别为-2．2℃／kV和3℃／kV。     

热循环对喷瓷管道瓷层/金属界面的影响

采用焊接热模拟、扫描电镜、电子探针等方法研究了热循环对瓷层／金属界面的影响。结果表明,加热前瓷层与金属之间形成过渡层,基体金属以岛状和桥状与瓷层连接,铁、镍等元素在界面发生富集,瓷层与金属密着良好,加热峰值温度为１３４０℃、、１２００℃和９５０℃时,喷瓷层发生重熔,界面过渡层中岛状基体金属溶解,铁的富集消失,镍仍产生富集,界面结合良好。峰值温度为７００℃时,喷瓷层没有发生熔化,界面形貌及元素分布无