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相似文献
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1.
以介孔氧化硅SBA-15为硅源,Zn(NO3)2·6H2O为锌源,碱性条件下于220 ℃进行水热反应,合成了束状纳米带形貌的异极矿Zn4Si2O7(OH)2·H2O. 产物经过500 ℃焙烧,对焙烧产物进行了XRD表征. 结果表明得到了产物Zn4Si2O7(OH)2,且由SEM表征可得焙烧后产物形貌无明显变化,仍为束状纳米带,长度约为十几微米. 以Zn4Si2O7(OH)2束状纳米带做为电极材料研究其电化学性能(锂电池组装材料为活性物质、乙炔黑、聚四氟乙烯,质量比为7:2:1),放电循环性能图表明在电流密度为0.1 A/g时,Zn4Si2O7(OH)2纳米带的首次放电比容量达到1 176 mAh/g. 但是,随着循环次数的增加,放电比容量逐渐衰减,可能在电化学反应过程中发生不可逆反应.  相似文献   

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3.
室温液相合成Cu(OH)2纳米线及其结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种室温下于水相溶液中大规模合成Cu(OH)2纳米线的新方法.用X-射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)研究了所合成的Cu(OH)2纳米线的成分、形貌和结晶性.结果表明Cu(OH)2纳米线的尺寸分布均匀,平均直径约为9nm,长度达数百微米.HRTEM研究表明Cu(OH)2纳米线是含有多晶成分的晶体.根据Cu(OH)2的结构特征和溶液中Cu^2+与配位体之间的相互作用,对Cu(OH)2纳米线的形成机制给出合理的解释.  相似文献   

4.
在水热反应过程中,水热反应时间是影响纳米晶颗粒尺寸和结晶性的主要因素之一。利用水热合成法,调控水热反应时间,制备了Ca5(PO4)3(OH):Eu纳米荧光粉。通过X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光谱对合成样品的结构和性能进行了表征。结果表明所合成的样品都为纯的六方相Ca5(PO4)3(OH)纳米颗粒,延长反应时间有利于Ca5(PO4)3(OH):Eu纳米晶颗粒的长大以及结晶性提高,但对纳米颗粒的形貌影响很小。当采用345nm作为激发波长时,观察到强的蓝光宽带发射峰,可能来自于基质本征发射,而位于长波区域弱的窄线红光发射,应该属于稀土Eu3+离子的特征发射峰,同时,对荧光发射强度随着纳米颗粒尺寸变化的原因进行了初步探讨。  相似文献   

5.
在真空度为133.3μPa时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜。通过XRD,SEM等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的SnO2薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Bi有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Bi后,薄膜的电学特性增强,而掺In,Cd则影响不大。  相似文献   

6.
本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法:等离子体化学气相沉积.激光诱导化学气相沉积和热蒸发法(制纳米晶硅)及电化学腐蚀法(制多孔硅),给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Eoptg,光致/电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望.  相似文献   

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在真空度为 1 3 3 .3μPa时 ,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积 Sn O2 薄膜 .通过XRD、SEM等测试分析 ,研究了杂质掺杂及热处理前后的 Sn O2 薄膜的结构、晶粒尺寸、电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响 .结果表明 ,掺 Bi有效地抑制了晶粒生长 ,提高了薄膜的稳定性 .掺 Bi后 ,薄膜的电学特性增强 ,而掺 In、Cd则影响不大 .  相似文献   

8.
采用半自洽场(semi-SCF)d-轨道模型和点电荷模型,通过完全对角化方法和高阶微扰方法,对(NH4)2Ni(SO4)2.6H2O晶体的吸收光谱,EPR g因子和零场分裂D,E以及顺磁磁化率χ作出了新的统一解释,确定了该晶体的局部对称结构近似为D2h对称、Ni-O键长R□=0.206 7 nm、R∥=0.2004 nm,键角ψ=89.253°,与X射线衍射实验值相比较,键长和键角的差别分别为△R□=0.000 7 nm、△R∥=0.0002 nm、△ψ=0.082°.  相似文献   

9.
以Ce(NO3)3·6H2O为铈源,(NH4)2CO3·H2O为沉淀剂,并加入少量PEG4000作为分散剂,采用液相沉淀法制备前驱体Ce2(CO3)3·H2O,前驱体经热处理合成了纳米CeO2.通过XRD,DTA/TG,TEM,BET及杂质含量分析,并根据XRD线宽法,按Scherrer公式计算平均晶粒尺寸,结合相对密度的测定研究了在不同热处理温度下纳米CeO2性能的变化.结果表明:前驱体经300℃焙烧1h已完全形成CeO2,属于立方晶系,空间群为Fm3m,原生晶粒粒径为5nm左右,颗粒粒径为20nm左右,比表面积达140.61m2/g,孔径分布为5~15nm,孔径峰值为9.3nm,纯度≥99.97%;随焙烧温度提高,将引起CeO2晶粒尺寸和相对密度显著增大,比表面积减少.  相似文献   

10.
以氯化镉和硫化钠为原料,在水相体系中合成CdS纳米晶,通过透射电子显微镜观察发现,在100℃下合成的CdS纳米晶具有空心结构,粒径为20~30nm,且壁厚均匀,约为3~5nm;在70℃下合成的CdS纳米晶为实心结构,粒径约为20nm,存在较严重的团聚现象.紫外-可见吸收光谱表明:空心CdS纳米晶的吸收波长与实心CdS纳米晶相比蓝移136.74nm,这表明其禁带宽度增大0.11eV.光致发光光谱表明:空心CdS纳米晶的表面缺陷态发射较实心CdS纳米晶有所增强,这是其存在内表面的结果.  相似文献   

11.
采用溶胶凝胶工艺在室温合成合有Zn、Se成分和玻璃相成分的均匀透明凝胶,并通过CO还原气氛热处理,在凝胶玻璃中原位生长出ZnSe纳米晶体.利用BET比表面积、透射电镜、吸收光谱、荧光光谱等分析手段对ZnSe纳米复合材料的组成结构及量子尺寸效应影响下的光学性能进行了表征,结果表明:5B2O3—95SiO2凝胶玻璃的多孔结构可有效地分散ZnSe纳米晶粒;纳米复合材料中ZnSe纳米晶粒呈球形,粒径约为3.5nm;吸收光谱中,ZnSe纳米复合材料的吸收边相对于ZnSe体材料发生蓝移,随着ZnSe在凝胶玻璃中摩尔分数的增大,蓝移量减小,相应ZnSe纳米晶粒尺寸增大;在荧光光谱中,500nm附近的发光带是凝胶玻璃中的ZnSe纳米晶体表面态复合和缺陷发光,当ZnSe的摩尔分数达到0.07时,观测到了浓度的荧光淬灭现象.  相似文献   

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双核铁羰基化合物Fe_2(μ-SC_6H_5)_2(CO)_6的晶体和分子结构阎秀英,吴秉芳,苏海全,张艳华(包头医学院基础部,014010,包头;内蒙古大学化学系,010021,呼和浩特;黑龙江省大庆市大庆中学,163000,大庆市;第一作者49岁...  相似文献   

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以二价SnCl2无机盐为原料,基于配合物前躯体方法制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶.根据DSC和TG分析结果在550℃对前驱体进行煅烧.运用FTIR、UV-VIS、XRD和TEM/HRTEM等测试手段对两纳米晶材料进行了分析表征.掺杂后掺杂相氧化物分散驻留在SnO2晶粒表面,阻止了SnO2晶粒表面的扩散,从而抑制其晶粒生长.此外,铜离子掺杂使得表面缺陷附近的自由电子能有效的定域化,从而使SnO2纳米晶体系的直接和间接带隙能均向高能方向移动.试验证明以无机盐代替金属醇盐为原料是切实可行的,且配合物前躯体法简单易操作,将有利于产业化.  相似文献   

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以[(η5-C5Me5)2Mo2(μ-S)2S2 和Cu(MeCN)4(ClO4)在乙腈中回流并与PPh3反应得到了簇合物[(η5-C5Me5)2Mo2(μ3-S)4Cu2(PPh3)2 (ClO4)2·H2O.对其进行了红外、紫外光谱和X射线晶体结构测试.并使用Z扫描技术在532nm处测定了其在CH2Cl2溶液中的三阶非线性光学(NLO)性质.结果表明:该簇合物具有立方烷结构的簇阳离子,在溶液中表现出较强的三阶非线性吸收和自散焦效应。  相似文献   

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Mg(OH)2过滤性能优化研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了Mg(OH)2制备过程中投料时间、加入晶种量、反应温度对其过滤性能的影响,得出了改善Mg(OH)2过滤性能的最佳反应条件.  相似文献   

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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一原理及分子动力学(MD)方法,探讨了锂代氨硼烷LiNH2BH3(LAB)的稳定结构。基于此结构模拟得到的LAB的X射线衍射(XRD)图样与实验一致。通过计算LAB的晶格常数、键长及键角等结构参数发现:Li—N间的键长与LiNH2中的Li—N键长相当,而N—B间的键长却比氨硼烷(AB)中的N—B间键长要小,说明在LAB中N和B之间的共价交互作用比在AB中的强;LiNH2BH3从分子到晶体Li—N—B键角明显增大。电子结构分析显示,同AB相比,LAB中H的能级向费米能级处的移动、N与B交互作用的增强及能隙的减小导致了氢在氢化物中的稳定性降低,使其放氢性能较氨硼烷得到了一定程度的改善。  相似文献   

20.
详细研究了[Re2(CO)10]在TMNO·2H2O的作用下与配体MeN(CH2CH2OH)2的反应,反应产物用二氯甲烷一已烷混合溶剂重结晶,得到Re(I)单核配合物fac-[Re{η^3-MeN(CH2CH2O)(CH2CH2OH)}-(CO)3]。采用元素分析、红外光谱和^1H NMR对配合物的结构进行了表征。用SMARTCCDX射线衍射仪测定了晶体结构,结果表明该晶体属单斜晶系,P21/n空间群。在此晶体结构中,每个铼(I)阳离子与2个氧原子、1个氮原子和3个羰基六配位构成变形的八面体结构。  相似文献   

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