OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析

拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ特性的影响，研究结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ的静态特性，（如开／关态电流比，阈值电压等）有较大的影响，理论分析表明，这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的，详细分析了背面空间电荷怪的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合。     

非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响

制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管(MITO-TFT)并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度的器件拥有最高的迁移率,为12.07cm2/Vs,同时阈值电压为4.8V,开关比为1.95×106.     

硅MINP太阳电池的多子隧道效应

本文对MINP电池中的多子隧道电流进行了计算分析,从其伏安特性曲线得出太阳电池所允许的氧化层厚度的极限。     

有源电力滤波器的自适应滞环电流跟踪策略

针对有源电力滤波器(APF)传统滞环电流跟踪方式逆变器的开关频率高且频率范围大的问题,提出了一种可变环宽的滞环电流跟踪控制策略.该策略根据系统开关频率、直流侧电压、主电路电感等参数动态的调节滞环比较器的环宽,不仅能够有效的降低开关频率和频率变化范围,而且在跟踪精度和动态性能上也比传统滞环比较法优越.通过MATLAB仿真表明,该策略的电流跟踪精度满足有源电力滤波器的要求.     

双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响

双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减小而降低,对亚阈值摆幅的影响随着有源层厚度的减小而增大.     

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管阈值电压的研究

通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.     

高负载下外贴式CFRP片材加固钢筋混凝土梁的耐火性能分析

使用ABAQUS软件建立数值模型分析高温下CFRP加固梁的性能.考虑了CFRP-混凝土接触面的黏结-滑移效应,并将数值分析结果与试验结果对比,验证了模型的有效性.利用验证后的模型进行了大量数值分析,考虑了端部约束、荷载比、防火层厚度、黏结长度、受火条件等对试件耐火性能的影响.结果表明,设置端部约束可以有效提高试件的耐火极限,其中边缘约束和全长约束分别可以提高试件的耐火极限约40%,和80%,;试件的耐火极限随荷载比的增大而减小,随防火层厚度的增大而增大.以此为基础,提出了CFRP加固梁的耐火极限的回归预测模型,可以为工程设计提供参考.     

AlOx(PI)/HfOx界面调控的阻变开关行为

为了改善阻变开关层在厚度小于10 nm下的氧化铪(HfOx)基阻变存储器的电学性能,提高器件开关均匀性并增大器件开关比,在开关层中加入聚酰亚胺(polyimide,PI)薄层,采用光刻工艺制备Ti/AlOx(PI)/HfOx/Pt和Ti/HfOx/Pt结构的阻变存储器.利用扫描电子显微镜表征分析器件的电极形貌,通过电学...     

空气对InAs 纳米线场效应晶体管性能的影响

制备基于单根InAs 纳米线的平面场效应晶体管纳米器件, 测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性。与真空中的结果相比, 空气中器件的阈值电压向正栅压方向偏移, 关态电流上升, 开关比下降。空气的主要成分氮气对器件性能没有可分辨的影响; 氧气的影响很弱; 水汽使关态电流上升, 开关比下降, 但使阈值电压向负栅压方向偏移。研究表明, 大气污染成分二氧化氮使器件的阈值电压向正栅压方向偏移, 开关比不变。研究结果表明, 空气对器件性能的影响是水汽和二氧化氮共同作用的结果。     

修正灌水率图的新方法

提出以日均离差极小化作为灌水率图修正的优化准则，建立了灌区灌水率图修正的数学模型，分析了在上求解这一数学模型的基本方法，编制了灌水率图的修正程序，可根据事先输入的各种作物各次灌水所允许的前、后移动天数，各次灌水允许的延续时间加长天数等，在满足最大灌水率持续时间、允许的最小和最大灌水率的最小比值以及允许的最小停水间隔天数等要求的条件下，自动完成灌水率图的修正。     

碱胁迫对宁夏枸杞叶中Na＋，K＋，Ca2＋动态变化的影响

摘要：为探讨宁夏枸杞叶中离子平衡与盐碱胁迫的关系,研究不同浓度的NaHCO3溶液胁迫下,枸杞叶中Na^＋,K^＋,Ca^2＋的浓度变化,同时采用非损伤微测技术研究了枸杞叶中Na^＋,K^＋,Ca^2＋的流速变化．结果表明,在同一时间内（7,14,21d）,Na^＋的浓度随NaHCO。浓度的升高总体呈升高趋势,K^＋和Ca^2＋的浓度总体呈下降趋势,c（Na^＋）／c（Ca^2＋）随NaHCO3浓度的升高而升高;随着时间的变化,各个处理下枸杞叶中Na^＋的浓度总体呈现先降后升的趋势,K^＋的浓度总体呈现下降趋势,Ca^2＋的浓度总体呈现先升后降的趋势,c（Na^＋）／c（K^＋）总体呈现升高趋势,c（Na^2＋）／c（Ca^2＋）总体呈现先降后升的趋势;NaHCO。溶液胁迫7d时,诱导了枸杞叶肉细胞中净Na^＋,K^＋,Ca^2＋外排的增加．碱胁迫下造成c（Na^＋）／c（K^＋）和f（Na^＋）／c（Ca^2＋）升高的原因为,叶片中K^＋和Ca^2＋外排和Na^＋大量积累,这也是枸杞不耐碱的原因之一．可为种植枸杞改良盐碱地提供参考．     

非H封闭周转轮系基础传动比选择合理性研究

为根据给定传动比设计非H封闭式周转轮系得到效率高体积小的较佳方案,研究了该种轮系总传动比、基础传动比与封闭传动比之间的关系及其对效率的影响,得到了在满足许用效率的条件下基础传动比边界曲线表达式,绘出了边界曲线;给出了按照满足许用效率且体积较小的原则,合理选择基础传动比的方法.对于给定的总传动比,基础传动比的选用范围随许用效率的不同而变化,总传动比的绝对值越大,许用效率的值越高,则基础传动比越大.     

MATLAB在动态电路分析中的应用

通过几个具体的电路实例,介绍了MATLAB的电路分析方法在动态电路分析方面的应用．利用MATLAB的dsolve函数来求解电路的微分方程（组）;用diff函数求导数,根据电压（电流）求出电流（电压）;利用plot函数绘制电压和电流的变化曲线;利用Simulink功能可直接建立电路仿真模型,使解题过程变得简单、便捷．     

新疆柯柯亚一带晚石炭世硅质岩成因分析

新疆柯柯亚一带晚石炭世硅质岩分布极为广泛,通过野外地质填图及矿产调查过程中的详细观察和硅质岩岩石学特征分析,并根据硅质岩具有低SiO2、K2O、P2O5及HREE;高Al2O5、FeO、MgO、K2O＋Na2O、TiO2、∑EEE;SiO2／Al2O3、SiO2／（Na2O＋K2O）值分别为11～25和37～74;Fe／Ti值小于20、（Fe＋Mn）／Ti值小于15、Si／（Si＋Al＋Fe）值小于0．9等特征,认为这些硅质岩为火山成因。而且Th／Sc、Th／U和δCe等值及稀土配分曲线和TiO2-Al2O3图解也明确指示了硅质岩属火山成因类型。     

汉语副词“不要”的词汇化

表示“禁止”、“劝阻”的副词“不要”来源于跨层结构“不要”,随着动词“要”词义的逐渐虚化,“不要”在构式“不要VP2”中完成了词汇化．融合为一个副词。“不要”词汇化的动因是高用频的推动,“要”动词义虚化与句法结构变化的相互作用以及“功能悬空”的推动,机制是重新分析。     

西安地区内廊式高层商住户型设计思路的探讨

商住楼设计现已成为解决城市用地紧张的有效手段之一，住宅部分的宜居性与商业开发的最大化是设计工作的主要矛盾。本文首先针对商住楼的建筑特点进行分析，提出内廊式住宅设计的合理性，并以此为出发点，综合多种设计条件提出普通“平层”模式、“平层”SOHO模式和复式（10ft）~式的三种设计思路，结合住宅宜居性、9-P范围、商业开发价值等方面综合分析每种思路的适应性，总结户型设计思路的选择方法。     

采出污水配制聚合物溶液的影响因素研究

研究了聚合物驱采出污水中Na+、K+、Ca2+、Mg2+、Fe2+、Fe3+六种离子对聚合物溶液初始黏度的影响和溶解氧、阳离子、粘土矿物以及细菌对其稳定性的影响程度,提出了采出污水配注聚合物的参考控制指标和限度。研究结果表明,高价金属阳离子是影响聚合物水溶液初始黏度的主要因素,其由大到小的顺序为Fe2+＞Fe3+＞Mg2+＞Ca2+＞Na+＞K+。配制用水的基本要求是不含铁离子,Ca2+离子含量控制在200mg/L以下,最好控制在50mg/L以下;Mg2+离子含量控制在100mg/L以下,最好控制在30mg/L以下;Na+、K+离子含量应该控制在2000mg/L以下,最好控制在500mg/L以下。高价金属离子和溶解氧是影响聚合物溶液黏度稳定性的主要因素,其由大到小的顺序为：Fe2+>Mg2+(Ca2+)>Fe3+>Na+(K+),一价阳离子和悬浮物对聚合物溶液黏度稳定性也有一定影响,细菌对其影响相对较小。     

有源层厚度对酞菁铜薄膜晶体管电学性能的影响

制备了顶接触的薄膜晶体管,实验中采用二氧化硅作为绝缘层,然后再依次真空蒸镀酞菁铜(CuPc)作为晶体管器件的有源层,金作为源漏电极。不同CuPc有机薄膜的厚度分别为15nm、40nm和80nm,制作成三种薄膜晶体管器件。实验证明,当有源层厚度为40nm时,能够获得最大的饱和电流和载流子迁移率。