ASM2000机台机械手运行的影响因素分析

ASM2000半导体外延设备,作为世界上硅外延材料领域的主流设备,在硅片传递过程中,以“正面、非接触式”模式,可较好地避免硅片表面缺陷的产生。在这种传递模式下,偶有硅片掉落现象发生,故障产生原因较多,造成问题处理效率低下、复机验证流程繁琐等现象。为提高机械手装取片故障处理的效率及成功率,文章将从硅片传递的工作原理开始分析,总结导致硅片掉落的可能原因,以供故障排查所用。     

向太阳能电池“上游”进军

太阳能电池产业链上最重要的一环 在太阳能电池产业链中,分布着硅材料制造(将石英通过提纯和精炼加工成晶体硅)和生产线设备制造、硅片制造(将晶体硅熔铸锭再切成片)、电池制造(将硅片通过半导体加工工艺变成电池),组件制造(将电池连接并封装形成组件)几个环节.     

基于UV光照射在硅片表面活化的阳极键合工艺研究

为了减少阳极键合试验时Si片和Pyrex玻璃片的键合困难,提高硅片表面活性和键合质量,在阳极键合的表面预处理工艺中引进UV光对硅片的活化并对其工艺参数和效果进行评估。基于阳极键合实验的基本流程,采用对比实验,探究UV光对硅片的照射与否,以及对硅片照射的时间长短对硅片表面的影响,并利用大恒图像系列数字摄像机、单轴拉伸测试仪分别对UV光照射前后硅片的活化效果和键合强度进行了测试与表征。结果表明经过该UV光源适当4 min时间照射的硅片,其表面的亲水键合活化能得到很大提高,可以显著地改善键合片的表面状况。验证了该工艺在阳极键合的预处理方法上的可行性和有效性。     

美国研制DNA电路系统

据英《新科学家》1998年11月14日报道：美国加利福尼亚大学和圣迭戈的一家公司申请了一项专利,使DNA在不久的将来就可能成为用于连接微型电路的元件。他们制造的一种微型电路用预定的DNA片段涂覆,而在起基体作用的硅片上则用辅助的DNA片段涂覆。当他们将微型电路和基体浸在溶液中联结在一起时,DNA片段也彼此结合。这种DNA电路系统可以载于1纳米大小的基体上。在大的表面装上光发射装置时,这种DNA电路系统就可以用于生产显示屏,显示屏既可以是平面的,也可以是三维立体的。美国研制DNA电路系统@刘先曙     

一种面向三维微处理器的新型片上网络拓扑

利用三维集成电路中硅通孔具有延迟短、功耗低的特性,针对10层以上硅片堆叠的三维片上网络,设计了一种新的拓扑结构3DE Mesh,并通过实验数据的分析,验证了3DE Mesh的性能和可扩展性.结果表明,3DE Mesh的性能和可扩展性均满足10层以上硅片堆叠的三维集成电路的要求.     

NaOH溶液浓度对激光刻蚀多晶硅片表面织构的影响

利用扫描电镜表征硅片样品的表面形貌,用光谱仪测试硅片的反射率,并且用少子寿命测试系统测试硅片电学性能,研究了在进行多晶硅太阳能电池表面织构过程中NaOH溶液浓度对其的影响,结果表明:NaOH溶液浓度选择10%时,有效清除多晶硅片表面缺陷的同时,硅片表面织构减反射效果显著,并能兼顾硅片电学性能。     

从含金废液中提取金

电子工厂在制作硅半导体元件过程中,在硅片上要烧结一薄薄的金片作为电极,烧极前需要“王水”(1份硝酸、3份盐酸)来腐蚀金片,以调节金片的厚度以及清洁其表面.处理后的废液中含有少量的三氯化金,含金量为0.2%左右,过去大都让这宝贵的“废液”白白流走,这既浪费了原料又污染了环境.现介绍一种如何从这种废液中提取黄金的简单方法.     

基于半残次硅片的太阳电池性能研究

选取了在硅片加工过程中产生的线痕片、厚片、薄片、崩片和TTV片共5种类型的半残次硅片,制备了太阳能电池,并在中山大学太阳能系统研究所进行了太阳电池片的实验研究,分析了这些残次片电池的开路电压、短路电流、填充因子、转换效率,研究结果表明,半残次硅片所制备的太阳电池性能良好:这些电池片的平均转换效率都达到了15.80%以上,填充因子可达73.98%,短路电流在5.10～5.28A之间,开路电压在0.62V以上,对于降低太阳电池成本具有一定参考价值.     

科学家首次拍摄到同时以波和粒子形式存在的光线照片

<正>据国外媒体报道,瑞士联邦理工学院的科学家首次拍摄到同时以波和粒子形式存在的光线照片,证明了爱因斯坦的理论,即光线这种电磁辐射同时表现出波和粒子的特性。"光线同时具有波粒二象性"是现代科学界最令人难以捉摸的观点之一。1905年,爱因斯坦率先描述光线的这种双重状态,试图依此解释光线表现出的一些明显矛盾的行为。但一直以来,科学家从未观察到光线同时以这两种状态存在。     

小振幅兆声对硅片化学机械抛光效果的影响

为了改善硅片化学机械抛光效果,提高硅片表面质量,一小振幅兆声振子引入化学机械抛光系统,通过对比表面粗糙度大小和分布,发现该振子对改善硅片化学机械抛光效果有明显促进作用。测试表明:振子频率为1.7 MHz,中心最大振幅约为70 nm;硅片表面振动频率为1.7 MHz,中心最大振幅小于10 nm;该振子独立抛光时,未发现硅片表面粗糙度明显降低,但它能引起抛光液微流动,使储存在抛光垫窠室中更多的抛光液进入接触区参与抛光。无振动抛光时,硅片中心区域抛光液供给不足,造成该区抛光效果较差;兆声致微流动能有效缓解这种不足,改善硅片中心区域抛光效果,不仅如此,它还能有效降低其他区域的表面粗糙度。与无振动抛光的硅片相比,经过兆声辅助抛光的硅片,表面粗糙度更小,分布更均匀。     

纳米银/蒙脱土催化剂的制备及对亚甲基蓝的催化降解

以层状蒙脱土为载体及抗坏血酸为还原剂合成出了纳米银/蒙脱土催化剂，在剥离后蒙脱土片层上均匀分散着粒径为30-40 nm 的银颗粒。该催化剂具有优异的室温降解亚甲基蓝的活性。通过不同温度下对催化剂的热处理和催化活性的评价，并用X光衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和原子吸收光谱（AAS）等进行了结构表征，结果表明纳米银在蒙脱土上的分散性和负载量是影响其催化活性的主要因素，在低于200℃的焙烧温度下催化剂仍具有较高的催化活性。     

从工业废水中回收黄金的技术

电子行业在制造硅半导体元件工艺过程中,在硅片上要精密地烧结上一层薄薄的金片作为电极。在烧结之前需用“王水”来浸蚀金片,以调节金片的厚度及清洁其表面。处理之后的废液中就含有约0.1—0.2％的三氯化金(AuCl_3),应予以回收为纯金。电镀行业中,用于镀金首饰、镀金物件等的含氰     

三层氮化硅减反射膜的工艺研究

本文研究了通过等离子气相沉积（PECVD）在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。     

空-地卫星光通信系统中超前对准问题的研究

推导大气光路方程,引入物理名词蒙气差,分别计算上行链路及下行链路的偏转角,说明偏转角存在的原因并提出消除偏转角的可行性方法:通过提高发射角使其光线偏转后能精确对准.     

科学家发现首个荧光蛙类

正在正常光线照射下,南美洲圆点树蛙会像调色板一样显现出柔和的绿色、黄色和红色。然而一旦调暗光线并打开紫外线光照后,这种小型两栖动物便会发出明亮的蓝色和绿色光泽。这种吸收短波长光线并在较长波长上再次发射的能力被称为荧光性,其在陆生动物中非常罕见。迄今为止,在两栖动物中更是闻所未闻。     

机械手在硅片清洗机中的应用

硅片清洗机是太阳能行业中硅片制造环节的一种重要的自动化设备,它的主要作用是将多线切割机生产出来的多晶硅或者单晶硅片清洗干净并进行烘干,以达到进行最终硅片包装的目的。根据硅片清洗机的工艺流程和控制要求,分析了清洗机的机械手存在的缺陷,提出采用编码器代替限位开关的改造方案,并采用PLC、变频器完成了机械手的控制。     

降低晶圆粘片率提高平均故障间隔

在半导体制造工艺中．铝因其低电阻率以及与硅和硅片制造工艺的兼容性而被作为互连材料广泛应用。在生产过程中．晶圆粘片现象是影响平均故障间隔（MTBF）的一个主要问题。因为在强直流等离子体的作用下，晶圆很容易粘在工艺腔中的零部件上，从而导致产品良率降低甚至报废。本文对造成晶圆粘片的各种因素进行研究和分析，通过改进硬件，降低了晶圆粘片的发生率，进而提高了平均故障间隔。     

对杨氏双缝干涉条纹移动问题的进一步探讨

目前教材中对干涉条纹移动问题讨论的大多是光线垂直入射时的情况,对光线斜入射的情况讨论极少。本文通过杨氏干涉实验中,光线斜入射时对狭缝前(或后)盖介质片等几种情况下,屏上干涉条纹移动的原因和方式进行分析,寻求条纹移动的规律,并与正入射时得出的结论进行对比,得出总体的规律,找到一种快速、简便处理条纹移动问题的途径。     

对杨氏双缝干涉条纹移动问题的进一步探讨

目前教材中对干涉条纹移动问题讨论的大多是光线垂直入射时的情况,对光线斜入射的情况讨论极少。本文通过杨氏干涉实验中,光线斜入射时对狭缝前（或后）盖介质片等几种情况下,屏上干涉条纹移动的原因和方式进行分析,寻求条纹移动的规律,并与正入射时得出的结论进行对比,得出总体的规律,找到一种快速、简便处理条纹移动问题的途径。     

采用薄片溶解工艺制造微机械惯性仪表的实验研究

介绍了一种用以制造微机械惯性仪表（包括微陀螺和微加速度计）的微机械体加工方法——体硅溶解薄片法。它包括硅片工艺、玻璃工艺和组合片工艺。整个工艺过程只需单面处理,三次掩膜。硅片工艺包括刻凹槽,深扩散和干法刻蚀三次工艺过程。玻璃上用剥离的方法形成引线和电极的金属层。然后将硅片和玻璃倒接,进行静电键合。最后腐蚀掉硅片背面未掺杂的体硅,从而分离出结构。本文结合微陀螺的具体结构,详细阐述了每一工艺过程的要点,并着重介绍了硅上刻高深宽比槽的技术。该方法形成的结构与衬底不易粘附,成品率高,制造成本低,可形成的结构图形多种多样。