GaAs／GaAlAs锁相阵列激光器的研制

用液相外延工艺，光刻工艺，质子轰击工艺研制了GaAs/GaAlAs锁相阵列激光器，该器件是由四个不同条宽激光器组成，它们的条宽是从3um线性地变化到6um，相邻激光器的间距保持常数为5um,，其间的隔离是通过质子轰击实现的，观察到远场为单瓣，平行于p-n结平面发散角（11）为3．13度，接近于理论计算的衍射极限角为3度，器件的脉冲光输出功率为120mw/facet。     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺,两次质子轰击方法,研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。