三氯乙烯(TCE)氧化探讨

本文讨论了三氯乙烯氧化的工艺条件及其对清除Na~ 沾污、提高介质击穿电压、消除金属杂质、改善p-n结特性等方面的功能.作者发现,三氯乙烯的最佳流量(N_2携带TCE流量)随氧化温度的提高而减少.此外,还摸索出处理氧化炉管发黑的一种简便而有效的方法.     

硅氧化诱生堆垛层错增长的动力学

对硅氧化诱生堆垛层错增长的动力学作了研究,认为硅氧化诱生堆垛层错增长时发射空位,缩短时吸收空位,建立了描写硅氧化诱生堆垛层错增长的动力学方程。根据动力学方程的解,满意地解释了有关的实验现象。     

硅的等离子阳极氧化研究

等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作。说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难。文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备。利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区。     

硅的等离子阳极氧化研究

等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备.利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区.     

松脂的氧化动力学研究

为研究松脂的氧化反应动力学,采用紫外分光光度法定量测定固态枞酸在聚乙烯膜上的吸光度变化,求出松脂参与氧化反应的反应量,进而研究松脂氧化反应动力学。实验结果表明,松脂的热氧化和光氧化反应动力学均呈现表观一级反应。热氧化反应温度为35、40、45℃时的表观速率常数分别为3.000×10-4、5.000×10-4、1.100×10-3 min-1,反应活化能Ea为105.8 kJ/mol。254 nm紫外灯辐照下,温度为35、40、45℃时,光强度与表观速率常数的关系分别k=1.162×10-4I+2.626×10-4、k=1.248×10-4I+4.588×10-4、k=1.298×10-4I+0.001 1。     

关于掺HCl硅氧化层错生长的动力学模型

对掺HCl硅氧化诱生堆垛层错生长的动力学作了进一步的研究,重建了描写掺HC硅氧化诱生堆垛层错生长的动力学方程。     

TEMPO氧化体系氧化棉纤维的动力学研究

研究了2,2,6,6-四甲基哌啶氧化物自由基(TEMPO)/NaClO/NaBr氧化体系氧化棉纤维的动力学。结果表明,TEMPO/NaClO/NaBr氧化体系对棉纤维的氧化可用基于纤维素特殊结构的两个一级反应动力学来描述:即无定形区和结晶区的动力学过程。在所用的TEMPO浓度范围内,氧化反应速率与TEMPO的浓度成正比。在较低浓度时,氧化反应速率与NaBr用量也成正比,但NaBr浓度超过1.0 mmol/g时,氧化反应速率不随NaBr浓度增大而增大。温度对氧化反应速率常数的影响可以用Arrhenius方程来描述,并由Arrhenius方程求得棉纤维的表观活化能为56.66 kJ/mol。     

硅的优质氧化

一、概述我们知道在六十年代出现的半导体集成电路,是与半导体工艺的发展紧密联系的,其中最重要的是硅平面工艺的发展。硅平面工艺的第一个基本程序就是在硅的表面上通过氧化形成一层二氧化硅膜,这一薄层起着掩蔽扩散、介质隔离和表面保护等关键作用,因此它的质量与制成的器件的特性参数、成品率及可靠性等方面关系极大。六十年代以来,对二氧化硅及硅/二氧化硅界面方面的应用基础研究一直     

硫化矿物氧化动力学研究

氧化及氧化速度是硫化矿矿浆电化学浮选分离的重要影响因素。本文首次采用腐蚀电流法定量测量硫化矿物的自然氧化速率,研究了pH值、碳酸钠浓度的影响。发现在碳酸钠介质中,与黄铁矿相比毒砂的自然氧化速度明显增大,其原因是在碳酸钠溶液中毒砂自然氧化反应的活化能显著降低。     

掺HCl硅氧化诱生堆垛层错增长的动力学

作者对硅氧化诱生堆垛层错的机制和动力学曾作过研究,现对掺HCl硅氧化诱生堆垛层错增长的机制和动力学作进一步的讨论,建立了描写掺HCl硅氧化诱生堆垛层错增长的动力学方程,根据动力学方程的解,满意地解释了有关的各种实验现象。     

粘结剂炭的氧化动力学研究

两种粘结剂炭的氧化动力学实验表明，粘结剂炭氧化反应属一级反应。850℃、1000℃制备的中间相沥青（NJ8）的表现活化能分别为107.90kJ/mol和170．60kJ/mol，而酚醛树脂炭的表观活化能分别为65．01kJ/mol和97．63kJ/mol。可见中间相沥青（NJ8)炭的抗氧化性明显优于酚醛树脂炭。     

铁精粉氧化过程的动力学研究

通过恒温和均匀升温实验,采用大载荷热重分析仪研究了铁精粉氧化过程动力学.结果表明:均匀升温过程中,铁精粉氧化的主要控制环节变化是外扩散型→内扩散型→外扩散型,氧化结束后,部分Fe2O3发生分解反应生成Fe2O4和O2,使得TG曲线质量变化率减小;等温实验也证明了氧化主体部分的控制环节是内扩散,其表观活化能为26.193 kJ·mol-1;铁精粉氧化过程促进了钛元素富集,改变了产物的微观结构.     

TEMPO-NaOCl-NaBr氧化体系氧化再生纤维素的动力学研究

研究了2，2，6，6—四甲基哌啶氧化物自由基(TEMPO)—NaOCl—NaBr氧化体系氧化再生纤维素的动力学。研究结果表明TEMPO—NaOC1—NaBr氧化体系对再生纤维素的氧化可近似地用关于纤维素基质的一级反应动力学来描述。在本研究所用的TEMPO浓度范围内，氧化反应速率与TEMPO的浓度成正比。在较低浓度时，氧化反应速率与NaBr用量也成正比，但浓度较大时，氧化反应速率基本不随NaBr浓度增大而增大。温度对氧化反应速率常数的影响符合Arrhenius方程的规律，由此求得的粘胶纤维的表观活化能为66．2kJ／mol。这里还讨论了反应液pH值，纤维素的形态和结晶度对氧化反应速率的影响。     

渗铝钢高温氧化动力学研究

本文研究了钢经渗铝后高温氧化时的动力学行为并与未渗铝Ａ３，１Ｇ１８ＮｉＧＴｉ不锈钢进行对比。钢渗铝后可大大提高抗温度氧化能力。在高温氧化过程中，渗铝钢表面铝浓度随氧化时间的增长而降低，这种变化可用方程式来表达。经实验测定所得数据与计算所得数值偏差很小。     

CO气相慢氧化动力学研究

用流动法对在裂化催化剂再生的温度、压力及CO,O_2和H_2O浓度条件下CO的气相氧化动力学进行了研究,发现在上述条件范围内的反应可根据温度及水汽浓度为三个动力学区域:低温反应区、水影响反应区及高温反应区。在低温反应区水汽对反应无影响,而在其它两区水汽对反应有较大影响。本文分别给出了这三个区域的动力学方程。     

冷轧钢板的氧化还原动力学研究

在还原气氛和450～550 ℃温度范围内,将氧化后的冷轧板试样还原.研究了冷轧钢板的氧化动力学以及还原温度对氧化铁还原速率的影响,结果表明:冷轧钢板的氧化层的质量随时间增长服从抛物线规律;还原温度对还原速率常数有很大影响,呈指数关系增长,还原温度越高,还原速率越大.     

大豆油的氧化反应宏观动力学研究

通过对环氧大豆油制备的小试和中试实验，给出了大豆油环氧化反应的最佳工艺条件，宏观动力学关系公式：rEo=d(Eo)/dt=0.0752.得了大豆油环氧化反应在该条件下传质控制的结论。     

MoSi_2低温氧化动力学研究

通过热重量分析法测定了MoSi2 在低温下氧化不同时间后的重量变化 ,并根据曲线拟合分析了MoSi2 的低温氧化过程 结果表明 :在 5 0 0℃时MoSi2 材料的氧化过程受扩散和反应双重影响 ,氧化速率呈阶段式变化 :先主要受扩散控制 ,氧化增重与时间呈指数关系 ;随后反应成为主要控制因素 ,氧化增重与时间呈线性关系 ;如此反复 ,表现出比 40 0℃和 6 0 0℃时快得多的氧化速率 在 40 0℃、6 0 0℃时MoSi2 的氧化速率主要取决于氧化反应 ,且与反应进行的时间呈线性关系 ,氧化 14 4h后因钝化质量维持不变 图 3 ,表 1,参 7     

硅氮化反应的平衡及动力学研究

根据Si—N—O三元系热力学的计算,讨论在混合气体N_2-H_2-H_2O产中生成氮化硅的条件及氧对氮化过程的影响。用光学显微镜、扫描电子探针和x射线衍射分析方法检验氮化硅试样的显微组织,确定为:α-Si_3N_4,β-Si_3N_4,残余硅和孔隙。 采用热重分析方法研究1603-1675K 范围的混合气体 N_2-H_2-H_2O(P_(N_2)=8×10~(-1)atm,P_(H_2)=2×10~(-1)atm,P_(H_2O)=2×10~(-7)atm)中硅氮化反应的动力学。 认为:氮化过程的限速步骤是氮气通过在硅表面上的氮化物壳层的扩散,并提出一种解释扩散机理的模型。计算得扩散活化能为148.000Cal/mol。     

亚硫酸钙非均相氧化动力学的研究

在典型的温法烟气脱硫条件下，喷雾干燥脱硫产物中的亚硫酸钙非均相氧化动力学在中试装置中被研究，实验结果表明，亚硫酸钙氧化速率对氧是１级反应，对亚硫酸钙浓度分别是０级和０．７５级，这取决于不同的反应控制步骤。ｐＨ对氧化速率的影响是弱的。氧化速率随着ＭｎＳＯ４的添加而升高。在喷雾干燥脱硫产物温法氧化过程中，没有发现有ＳＯ２排出。