无序杂质、磁场对“三明治”式二维系统电导的影响

为研究二维电子系统中电子输运的问题及在磁场作用下二维无序杂质系统电导的物理性质,通过运用格林函数以及散射矩阵理论的方法,在格点模型的基础上,对"三明治"式二维电子系统电导的量子化现象进行了分析。导线与散射体的接触减小了系统的电导,削减了电导量子台阶现象,使得系统的电导随着导线与介质间耦合的变小而降低;当系统受到外磁场作用时,系统电导的变化随着磁场的变化表现出周期性震荡行为,这种震荡变化的剧烈程度与电子的能量有关;受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质浓度的增大而减小,在某些特殊掺杂的浓度下,对于一些特殊的电子能量,系统的电导可以达到理想情况下的阶梯值。研究成果对于"三明治"式二维电子系统电导的进一步研究具有借鉴意义。     

电场、磁场对二维无序系统电子输运的影响

研究了电场、磁场作用下,二维无序杂质系统电导的物理性质.电场的作用削弱了系统电导的"台阶"量子效应,随着中间散射区域尺寸的增大,系统电导随电子能量的变化振荡加剧;系统电导随着磁场的变化表现出周期性振荡行为,其振荡的剧烈程度随外部电压的增大而变小;受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质质量分数的增大而减小.     

边缘势效应对电子输运性质的影响

研究了磁场及无序杂质存在条件下,边缘势效应对磁场下二维无序杂质系统中的电子输运性质的影响.边缘势越小,电子输运通道越容易打开,电导"台阶"越易向能量小的区域平移;边缘势较大,电子需要较大的费米能才能打开一个量子通道,电导"台阶"越向右平移;边缘势一大一小时,"台阶"有先左后右的平移趋势.系统电导随着磁场的变化表现出周期性振荡行为,系统电导的极值也随边缘势的变大而减小.受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质质量百分数的增大而减小.     

二维无序系统的电子性质

用改进了的 Recursion 方法研究二维无序系统的电子性质。计算了二维无序系统的电子态密度、迁移率边界、局域化临界点以及直流电导率。结果表明,与对角无序系统相比,对角及非对角无序系统以及存在次近邻跳跃的系统局域性质均发生变化,非对角无序的影响取决于其大小,而次近邻跳跃的存在总是使电子态趋于延展。     

二维八态波茨模型的动力学指数

采用大规模动力学蒙特卡罗模拟方法,对二维八态正方格点波茨模型的动力学指数展开数值研究.以普适的动力学标度形式为基础,研究系统从完全有序态出发的动力学驰豫过程,通过测量在不同无序幅下的宾德累积量,确定出更精确的动力学指数z.结果表明z与无序幅的取值有关,并且远远大于二维伊辛模型的z值,表明二维随机链波茨模型与二维伊辛模型...     

二维八态波茨模型的动力学指数

采用大规模动力学蒙特卡罗模拟方法,对二维八态正方格点波茨模型的动力学指数展开数值研究.以普适的动力学标度形式为基础,研究系统从完全有序态出发的动力学驰豫过程,通过测量在不同无序幅下的宾德累积量,确定出更精确的动力学指数z.结果表明z与无序幅的取值有关,并且远远大于二维伊辛模型的z值,表明二维随机链波茨模型与二维伊辛模型不属于同一普适类.     

自旋轨道耦合系统中的电流导致的自旋极化

研究了二维Rashba自旋轨道耦合电子系统中的电流导致的自旋极化。对于δ函数形式的短程电子杂质散射,得出了和文献一致的结果。在远处杂质散射下,自旋极化将会强烈地依赖于电子密度,这个结果完全不同于短程势散射的情况。并且随着杂质距离的变大,自旋极化增强。在这种散射势的情况下,不再能够通过测量纵向电导和磁化强度的方法来确定样品的 Rashba 自旋轨道耦合系数。     

二维氢负离子

在半导体掺杂材料或超晶格材料中存在着带负电的杂质，在高浓度掺杂时应考虑杂持之间的相互作用，对δ层掺杂则需要计算二杂质模型，所有这些都必须研究二维氢负离子，本文采取了合适的步骤，计算了二维氢负离了的能量，与三维氢负离子作了比较，分析了各变分参量的数值判别及其物理意义。     

杂质粒子对二维尘埃等离子体系统相变的影响

利用分子动力学模拟研究了杂质粒子对二维尘埃等离子体系统的影响.分别计算了平均平方位移,两体相关函数来分析系统的机构特性.结果表明,在参数范围内,杂质的含量以及杂质的质量和电荷的大小都会减慢系统的相变.杂质粒子在质量和电荷上都小于背景的尘埃粒子.     

磁场和杂质对激子低能谱的效应

探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变.     

在磁场中非极化束缚锂量子点的低态能谱

使用少体物理方法, 研究在任意磁场中非极化束缚锂量子点的低态能谱. 带正电杂质束缚的二维3电子量子点被称为束缚锂量子点, 其中正杂质位于z轴上且与束缚锂量子点所在平面（x y平面）相距为d. 研究表明, 当电子自旋为非极化时, 束缚锂量子点的低态能谱受磁场B和距离d的影响, 其最低态角动量L随B和d的变化而跃迁, 并从动力学方面进行了分析.      

含杂质一维原子链热导Monte Carlo模拟

在弹性碰撞模型基础上,采用Monte Carlo随机抽样计算方法,并考虑局部温度控制局部碰撞顺序,我们研究掺杂对一维原子链热导的影响.对等质量一维原子链的热导模拟结果显示出一个非常稳定的平衡态,呈现出一个近似的温度梯度分布,满足Fourier定律.当链中含单个杂质时,杂质质量和位置都会使整个链的温度分布发生改变,杂质附近的温度振荡幅度最大,而且杂质质量相差越大,杂质附近的温度振荡幅度越大,杂质原子附近因巨大的热运动差异会导致断裂发生.链上原子质量无序分布时,无序度越大,高温端的端口处温度差越大,越容易发生断裂,而且无序度δ＞1.0,链的中部虽有较大振荡,但仍呈现线性分布,满足Fourier定律.     

无序结构的Voronoi网络

本文给出了二维与三维无序结构的数学模型、建立细胞核的充分必要条件和判定细胞核及构作细胞的有效算法,用数学方法有效地解决了二维与三维Voronoi网络的构作问题。     

TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统及其应用

本文介绍了当前最新版本TSUPEREM-4二维集成电路工艺仿真系统并使用该进行了杂质分凝行为等多项仿真应用，完成了对杂质分凝行为的定量分析。     

杂质在位错附近的振动特性

本文用四原子模型,分析了杂质原子在刃位错附近的二维振动特性。     

一个基于k-means算法的聚类

用k-means算法对二维数据进行聚类分析,并用C#语言实现了该算法。先按照样本点的距离进行初始划分,然后再按照各样本点和初始中点的距离远近进行聚类。结果表明,k-means算法对二维数据的聚类是有效的,实现该算法的程序对二维数据的聚类具有通用性。     

二维晶格的重整化群变换

在二维无自交叉无规行走问题中,重整化群变换可由几率的性质直接写出。本文借助于二维Ising模型的严格解,将类似的变换与系统哈密顿的重整化群变换联系起来,其结果可用于二维自旋系统或二元合金有序-无序转变等Ising模型。     

正常金属—绝缘层—无序层—s波超导结中的隧道谱与散粒噪声

考虑到无序层中的体杂质散射以及绝缘界面层的粗糙散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-绝缘层-无序层-s波超导隧道结系统的微分电导、平均电流和散粒噪声功率,研究表明,无序层中的杂质散射和粗糙界面散射都能抑制系统的微分电导、平均电流和散粒噪声功率。     

层状介质中浅杂质激发态方程

本文导出了类氢杂质第二激发态的一维化方程,该方程适于计算层状介质中浅杂质第二激发态束缚能及状态随层厚、势垒高度和杂质中心位置的变化规律。在极限情形下方程具有与所有已知三维及二维精确解一致的解析解。     

多散射杂质对二维电子系统输运特性的影响

利用散射矩阵理论研究了含有多个矩形散射杂质二维系统中电子输运问题.绝对零度下,电导随入射电子能量增大,呈台阶式上升形式;杂质宽度的减小使得电导的量子化现象增强;杂质长度的增大,使得电导在最初阶段急剧减小,而后呈现周期性振荡;随着散射杂质数量的增加,电导由急剧减小也呈现周期性振荡.温度的升高使得电导台阶倾斜,量子化现象逐...