PN结反向饱和电流的实验研究

对PN结反向饱和电流进行了精确测量,研究了PN结反向饱和电流与温度之间的关系,证明此关系遵循指数分布规律。     

半导体PN结温度特性实验

讨论了不同温度下PN结的正向压降和伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向压降及伏安特性曲线随温度变化的实验,定性分析了PN结正向压降及伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行曲线拟合测定了正向压降随温度变化的灵敏度、玻尔兹曼常数以及PN结的反向饱和电流,从而定量描述了PN结的伏安特性,取得了较为准确的实验结果。     

PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计

讨论了不同温度下PN结的正向伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向伏安特性曲线随温度变化的实验,定性地分析了PN结正向伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行指数拟合测定了波尔兹曼常数,并确定了常温下PN结的反向饱和电流,从而定量地描述PN结的正向伏安特性曲线,取得了较为准确的实验结果。     

用电子束生电流像观测PN结的形貌

本文介绍了利用SEM的EBIC像和SE像观测PN结的全部形貌的理论和方法,对PN结的结深、结宽做了精确的测量,给出了EBIC像和SE像的叠加像。     

PN结正向电流与电压关系

将PN结的正向电流IF和正向压降VF之间的指数关系与玻耳兹曼分布对比,给出简洁易懂的一种阐述方式.     

利用PN结温度特性测试仪测量玻尔兹曼常数

本文利用PN结正向压降温度特性测试仪,测量了PN结电压电流特性。验证了PN结电压与电流的指数关系,并利用Excel进行曲线拟合,再计算出玻尔兹曼常数。     

基于PN结的电子测温

温度是表征物体冷热程度的物理量，对它的测量与控制有十分重要的意义。由此作者提出设计一种基于PN结的工业通用的CAN总线标准的测温系统，该系统通过PN结温度传感器采集信号，是能自动监测被测对象的温度的测温系统。     

Origin在PN结正向压降与温度关系实验中的应用

Origin是一种功能强大的数据处理和绘图软件, 将Origin软件应用于PN结正向压降与温度关系实验能准确、快速地处理实验数据.     

利用PN结伏安特性测量电子电量

利用PN结正向压降温度特性实验组合仪,通过测量PN结的正向伏安特性,在PN结电流小于200μA情况下,采用非线性回归方法计算了电子电荷量,该测量值1.582×10-19 C,与公认值1.602×10-19 C的相对误差仅为1.2%.     

利用PN结的C—V特性来测其击穿电压

提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种新的应用。     

低温下低掺杂硅PN结正向压降反常特性及其分析

本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的,随着温度降低,VF会出现一个极大值,接着出现一个极小值,然后随温度下降VF很快增加。本文利用低温下器件中存在的热载流子效应对这种异常现象进行了解释。     

半导体PN结与晶体管中载流子运动形式的讨论

晶体管中ＰＮ结的Ｐ型区和Ｎ型区载流子浓度差别很大，从这一事实出发分析晶体三极管的电流放大作用，提出了载流子在基区的运动是漂移而不是扩散的观点。     

PN结温度传感器应用系统的Multisim仿真研究

采用Muhisim软件设计PN结温度传感器应用系统,着重探讨其Multisim仿真模型的建立与电路的优化设计,实现了良好的仿真结果.     

光电池非线性区PN结光生伏特效应的研究

根据光电池线性区应用叠加定理建立的PN结光生伏特效应理论，阐述了PN结光生伏特效应在光电池非线性区的应用。     

PN结温度传感器实验系统的研制

介绍了根据教学需要而设计开发的PN结温度传感器实验系统。学生可以利用该系统测量不同PN结的温度-电压特性;对测量数据进行线性回归分析;根据回归分析的结果,进行温度测量。     

PN结二极管计算机数值模拟研究

本文研究PN结半导体器件在高功率微波(HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型。利用偏微分方程软件FlexPDE求解PN结所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,来分析其非线性响应特性。为今后的半导体器件的破坏阈值分析打下基础。     

瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理

5×10~(16)cm~(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.     

高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响

本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论.     

应用周期反向电流电解精炼铜的研究

提高铜电解电流密度的主要障碍是阳极的钝化 ,用周期反向电流能相对地防止阳极钝化 ,从而电流密度可提高到 40 0A/m2 .经过实验 ,确定采用反向电流的操作条件及电解诸因素对反向电流电解的影响 ,从而初步确立了反向电流电解精炼铜的生产工艺 .     

利用PN结进行玻耳兹曼常数测定的实验研究

给出以晶体二极管Ｉ－Ｖ特性精确测定玻耳兹曼常数的方法，修正了杨介信等所给出的测试规程和要求。