氧化铁／二氧化硅多孔凝胶玻璃的制备

以硝酸铁为原料，采用溶胶－凝胶工艺制备了含氧化铁多孔的二氧化硅凝胶玻璃，分别制备了不同含铁量的凝胶样品，均可获得均匀的溶胶和凝胶。研究了热处理温度和气氛与氧化铁物相的关系。采用ＸＲＤ及ＤＴＡ分析，并对材料中的物相进行了鉴定。对部分样品进行了ＳＥＭ形貌观察。     

X射线双晶衍射研究LP—MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ应变超晶格。用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线。结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数。对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析。     

尼龙1010／6共聚物动态力学性能研究

用动态力学方法研究发现尼龙１０１０／６共聚物在测试温度范围内有三个松驰峰，分别为α、β、γ松驰峰。在温度谱中，１＃、２＃、６＃样品的α松驰峰较宽，３＃、４＃、５＃样品的α松驰峰较窄，各样品的β、γ松驰峰峰形较小，相差不大。其中２＃样品的α松驰峰最高，动态模量最大；４＃样品的α松驰峰最低，模量最小。     

常规柱反相HPLC／CGC在线联用技术的研究

本文采用沸点蒸发技术和自行设计的接口，对常规柱反相ＨＰＬＣ．ＣＧＣ联用进行了研究，成功地转移了４００μＬ含水ＬＣ流动相进入保留间隙，并结合具体样品对该接口的性能进行了测试和讨论。     

X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

InGaAs／GaAs应变单量子阱的表面光伏谱

采用表面光伏谱方法,测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量、强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系     

二氧化锡／多孔硅／硅的吸附特性

研究了二氧化锡／多孔硅／硅（ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ）的光伏谱和吸附性质，由分析光伏谱得出在ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ之间存在着二个异质结：一个是ＳｎＯ＿２／ＰＳ异质结；另一个是ＰＳ／Ｓｉ异质结，当样品吸附ＣＯ气体后，光电压明显减少，实验结果表明，利用光电压的变化可以检测ＣＯ等有害气体．本文对新气体敏感材料ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ的有关气体吸附机制进行了讨论．     

混合溶剂／高分子系统汽液平衡测定

建立了一套石英弹簧称重法测定混合剂高分子溶液汽液平衡的实验装置，实验结果表明，采用多个样品池增加溶剂吸收量、利用汽相ｐＶＴ数据测量值并结合物料衡算求得平衡时的汽液相组成的方法，可减小实验误差，汽液相的误差小于５％。用该装置测定了丁酮／甲苯／聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）和丁酮／丙酮／ＰＭＭＡ两个三元系在３０８．１５Ｋ下的汽液平衡数据。结果显示，由于甲苯的加入，丁酮在ＰＭＭＡ中的溶解性有了提高，而丁酮     

TCP／IP协议分析

论述了ＴＣＰ／ＩＰ协议的特点、异机种联网方法、ＩＰ协议、ＴＣＰ协议的操作，协议数据单元的组成，接口原语，地址结构以及ＴＣＰ／ＩＰ的高层软件。并结合铁路计算机网进行分析与讨论。     

GC／MS及保留指数法氏泥中的多环芳烃

对苏州河底泥样品采用正己烷：丙酮（１：１）索氏提取，萃取液经浓缩分段后加入内标物萘、菲，测定并计算各多环芳烃保留指数，结合ＧＣ／ＭＳ法，从该底质中鉴别出４５种多环芳烃及同分异构体，多环芳烃保留指数与文献相符。     

Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据．并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价．     

铁基／SiC颗粒复合材料界面的稳定性

分析了铸造合金颗粒复合材料中的增强相（ＳｉＣ颗粒）与基体（铸铁）界面结合的形态及影响因素，界面结合机制和稳定性，提出了改善界面结合状态的方法。在实验室条件下，采用离心铸造工艺制取铁基／ＳｉＣ颗料复合材料，通过金相分析和电子探针等测试手段，研究了经不同的主温处理后铁基／ＳｉＣ颗粒复合材料界面变化规律。     

原子光谱／质谱联用新技术、新方法及其在中药现代化中的应用

重点介绍作者实验室10多年来在国家自然科学基金委八五、九五重点项目,多个面上项目及科技部中药攀登子课题,中药现代化重中之重项目及福建中药现代化重点项目的支持下,在原子光谱/质谱联用新技术、新方法及其在中药现代化中应用领域的工作进展,主要包括：样品引入技术;流动注射与原子光谱/质谱联用及色谱分离技术与原子光谱/质谱的联用。结合国内外在这一领域的进展,讨论所建立新方法、新技术在复杂样品中的元素形态的分析及在中药毒理,药理及质量控制中的应用,并对今后这一领域的发展进行了展望。     

SIPOS／Si结构的界面特性

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ－Ｏ键的结构，对比了热退火、快速灯光退火对ＳＩＰＯ中Ｓｉ－Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ，Ｉ－Ｖ测试结果，对其界面特性进行了分析。     

基于PC／104的车载虚拟仪表的设计

通过对汽车传统仪表的分析比较，根据汽车电子的发展趋势，提出了基于PC／104系统的车载虚拟仪表的设计思想和车载虚拟仪表的总体设计方案、系统构成、工作原理及软硬件设计，并成功地研制出实验样品．该车栽虚拟仪表通过CAN总线进行数据传输，可对车况进行实时监控、显示，对超限工况报警和自动记忆存储，并可根据用户实际需求扩展功能．     

C（膜）／S2（Si02）（纳米微粒）／C（膜）的XPS及Raman谱测试分析

X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)／Si(Si02)(纳米微粒)／C(膜)样品发现：把400℃退火后的祥品继续加热到650℃并退火1h后，样品中除原有的Si晶体外，生成了SiC晶体，同时还出现了Si02晶体，这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时，氧气的氧化作用占主导地位，把大部分Si氧化成了Si02．对比分析在650℃和750℃退火后祥品的Raman谱发现：随着加热温度的升高，SiC与Si含量增加而SiO2含量减少．这表明：在750℃时，C原于的还原作用继400℃后再次占主导地位，又把一部分Si02还原成Si．     

组成对PA1010／6共聚物熔融行为的影响

用ＤＳＣ研究了ＰＡ１０１０／６共聚物初生态及次生态样品的熔融行为，发现初生态样品的高温熔融峰和低温熔峰，对组成有不同的依赖关系；     

La2／3Ca1／3—0.05Sr0.05MnO3稀土锰氧化物材料结构对性能影响分析

用固相反应法制备了La2/3Ca1/3-0.05Sr0.05MnO3锰氧化物材料,用Rietveld方法分析了样品的结构,结果表明,样品中93．76％的正交结构（Pnma),另外还有6．24％的Mn3O4存在;通过对样品低温电阻率变化特性及磁性质的测量发现低温下电阻率峰值（Tp）和磁相变温度（Tc)相差很大,文章初步分析了这一结构和电磁特性的相关性。     

SIPOS／Si结构的界面特性

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ—Ｏ键的结构，对比了热退火、快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ—Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ，Ｉ－Ｖ测试结果，对其界面特性进行了分析．