一类资源约束排序问题1│pj=bj—ajuj,∑uj≤U│∑WjCj

讨论了一类资源约束排序问题１│ｐｊ＝ｂｊ－ａｊｕｊ，∑ｕｊ≤Ｕ│∑ＷｊＣｊ的性质。给出了一个求该类问题的下降算法，这个方法是非常有效的。     

一类资源约束排序问题1|pj=bj-ajuj,wjCj≤A|u j

讨论一类资源约束排序问题1|pj=bj-ajuj,w jCj≤A|uj,给出一个求解算法,给定一个排列,该算法能求出相应这个排列的最优排序,或断定该排列无相应的可行排序.     

一类资源约束排序问题1|p_j=b_j-a_ju_j,∑w_jC_j≤A|∑u_j

讨论一类资源约束排序问题 1 |pj=bj-ajuj, wjCj≤A| uj,给出一个求解算法 ,给定一个排列 ,该算法能求出相应这个排列的最优排序 ,或断定该排列无相应的可行排序     

一类资源约束排序问题1|p_j=b_j-a_ju_j,∑u_j≤U|∑W_jC_j

讨论了一类资源约束排序问题１｜ｐｊ＝ｂｊ－ａｊｕｊ，∑ｕｊ≤Ｕ｜∑ＷｊＣｊＷ＊的性质给出了一个求 该类问题的下降算法．这个方法是非常有效的．     

资源约束排序问题Qm|res1·1,pj=1|∑Cj

讨论了一类恒速机可再生离散资源约束排序问题Qm|res1·1 ,pj=1 | Cj,把它转化成能用多项式时间算法求解的瓶颈运输问题     

一类离散型多资源排序算法

讨论了形如Pm｜res sh,p=1｜Cmax离散型多资源排序问题,这一问题等价于一类整数规划问题,给出了一个求解基本向量的分枝定界算法。     

问题Pm｜res sor,pj=1｜C_(max)

本文讨论了问题Ｐｍ｜ｒｅｓｓｏｒ，ｐｊ＝１｜Ｃｍａｘ的解法，并且证明了基本例子（基本向量）数不大于（ｏ＋１）（ｒ＋１）ｓ－１．给出了求基本向量的算法．     

任务到达时间依赖资源的单机排序问题

讨论了任务到达时间依赖于分配给它的一类资源约束问题,对问题1|rj=fj(uj),∑^ujj=1≤U^A|Cmax,将已有的一个算法做了改进,对问题1|rj=fj(uj),Cmax≤C^A|∑uj给出了在任意给定排列的条件下求最优解的算法。     

单机排序问题1｜rj｜Lmax的分枝定界算法

给出了单机排序问题1|rj|Lmax的分枝定界算法。     

一类安装时间和加工时间受资源约束的成组排序问题

讨论了安装时间和加工时间同时受资源约束的单机成组排序问题．目标函数为在满足最大完工时间限制条件下极小化安装时间消耗资源量与工件消耗资源量的总和．在讨论了问题若干性质基础上，给出了一个最优多项式算法，并用数值例子作了说明．     

关于Zm子群的一个注记

讨论n整除m时Z的子群与Z的子群之间的关系以及它们对有限群的Galois作用的不同,并给出相关的例子.证明当α≥3,β≥1时,Z     

CF4/N2混合物替代SF6/N2的可行性研究

SF6具有良好的绝缘强度,但其全球温室效应指数(GWP)是二氧化碳的23 900倍,因此有必要寻找一种环境友好的绝缘气体替代SF6。从绝缘性能、协同效应和GWP三方面研究了CF_4/N_2混合物替代SF6气体的可行性。研究结果表明:CF_4/N_2混合物的工频击穿电压随气压的升高出现饱和现象;80%CF_4/N_2混合物为最佳混合比例,其绝缘性能约为同条件下纯SF6击穿电压的65%;CF_4/N_2混合物具有协同效应,协同系数在0.2~0.59之间,和SF_6/N_2的协同系数接近;CF_4/N_2混合气体的GWP值随着气体的混合比呈线性关系,80%CF_4/N_2混合物的GWP值比SF_6/N_2低很多。因此,综合考虑绝缘性能、协同效应和GWP,80%CF_4/N_2混合物有希望替代SF_6/N_2气体用于气体绝缘。     

图wn*pk的优美性

提出图wn*pk的概念,并在n≡0(mod 2)且n≥4,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)和n≡1(mod 2)且n≥5,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)时,证明图wn*pk是优美的.     

Al2O3/HfO2薄膜多值阻变存储特性

采用磁控溅射和金属剥离工艺制备了结构为p-Si/HfO2/Ti和p-Si/HfO2/Al2O3/Ti的阻变存储器。两器件均表现出双极性电阻转变特性。插入的Al2O3层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变,器件高低阻态阻值比从~61倍提高到了惊人的2.15×10^8倍。通过限制set电流的方式实现了多值存储,器件的四个阻态都能够非常稳定地在85 ℃高温下保持10^4 s,有利于多值存储的实际应用。     

Dn群与Dnh群的正规子群

Dn群的生成关系为an=b2=e,(ab)2=e;Dnh群的生成关系为an=b2=c2=e,(ab)2=(bc)2=e,ac=ca且有Dnh=Dn×{e,c}.研究了Dn群和Dnh群的正规子群.证明了Cri为Dri的正规子群,Dri不是Dn的正规子群.指出Cn与Cri为Dnh的正规子群,Crih为Drih的极大正规子群,但不是Dnh的正规子群.     

ZrO2 and ZrO2 -Y2 O3 coatings deposited by double pulsed plasma arc

A novel surface technique has been developed to produce ZrO₂ and ZrO₂-Y₂O₃ coatings on the surface of alloys by using double pulsed plasma arc to react with a solution film containing nano-oxide particles. These coatings exhibit smooth surface and excellent adhesion with substrate. The morphologies of the ceramic coatings and phases were analyzed. It was shown that the oxidation resistance of 18-8 stainless steel was markedly improved by applying ZrO₂ and ZrO₂-Y₂O₃ coatings.     

原位水热合成La_(1-x)Ce_xCoO_3/SBA-15钙钛矿型催化剂和CO催化氧化反应性能的研究

采用原位水热合成法合成了La1-x Ce x CoO3/SBA-15(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,摩尔分数,下同)催化剂,并采用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、N2物理吸附-脱附表征仪(BET)和程序升温还原(H2-TPR)等表征手段对催化剂的结构进行了研究.结果表明:Ce掺杂对催化剂的结构和CO催化氧化性能有较大的影响.在Ce掺杂部分取代La之后,催化剂形成了La1-x Ce x CoO3钙钛矿相,CeO2和Co3O4物相;当Ce的掺杂量为x=0.2时,催化剂的CO催化氧化活性最高.     

Hf0.5Zr0.5O2超薄薄膜铁电性及其晶相演变

超薄Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜在低功耗逻辑器件和非易失性铁电存储方面有着巨大的应用潜力.本文制备了不同厚度HZO薄膜,并使用不同退火温度进行处理,在最优温度条件下所制备薄膜的两倍剩余极化强度(2Pr)可达~40 μC?cm-2,其矫顽场(Ec)低至±1.15 MV?cm-1,响应速度明显优于传统铁电材料.研究表明,虽然HZO薄膜正交相(Pca21)与其铁电性有极大关系,但过高的退火温度将导致四方相(P42/nmc)向单斜相(P21/c)转变,从而降低铁电性.本研究为高性能HZO铁电器件的研究提供了参考.     

氧化钽/氧化铝薄膜的阻变特性和突触特性

通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaO_x/AlO_x/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电流,降低了高/低阻态间切换所需的功耗,并增大了高/低阻态电阻比值.研究表明,器件的高低态电阻与其切换电压均有良好的稳定性和均匀性,且器件表现出可靠的擦写性能与保持性能.进一步研究表明,器件高阻态导电受肖特基发射机制主导,低阻态导电受空间电荷限制机制主导.器件还具有连续可调的电阻渐变行为,利用反复电脉冲刺激下的器件电阻变化来表征突触的权值,可以模拟突触行为.     

Nano-SiC薄膜对太阳能电板转换效率影响的研究

采用丝网印刷法在太阳能电板超白玻璃表面制备出不同厚度的Nano-SiC薄膜,研究了Nano-SiC薄膜厚度对光子透过率和户外太阳能电板转换效率的影响。结果表明,经过两层Nano-SiC薄膜处理后,超白玻璃的平均光子透过率提高了12%左右;同时Nano-SiC薄膜可以降低户外太阳能电板转换效率的降低速率,经过两层Nano-SiC薄膜处理后太阳能电板的转换效率降低速率约为未处理时的0.3倍。