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本文阐述了采用微机控制的半导体激光器可靠性数据处理系统的硬件和软件设计考虑,在硬件上,以通用的12位微机过程控制接口板为主,设计出电导数、热阻和光功率测量板,数字温控板,多管巡回检测接口。软件采用汇编语言和QUICK-BASIC语言混合编程,以在完成复杂的数据处理的同时提高了数据采集和处理速度,因而获得了比较精确的可靠性数据和较强的图形功能。 相似文献
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808nm大功率半导体激光器的低频电噪声 总被引:2,自引:0,他引:2
对808nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,808nm大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要1/f噪工在阈值附近有最大值。 相似文献
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对半导体激光器短电脉冲调制增益开关法产生皮秒光脉冲动力学过程进行理论分析和实验研究,基于单模数率方程,采用相图(Phase Portraits)法分析激光器激射皮秒光脉冲时载流子浓度和光子密度变化的对应关系。探讨直流参数、调制脉冲参数和器件寄生参量等对产生皮秒光脉冲的影响,在此基础上,研究InGaAsP/InP激光器短电脉冲调制产生单发激光脉冲最佳的实验条件。 相似文献
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推导了适用性广泛的有关半导体在氧化还原对溶液中的伏安行为的数学表达式,利用计算机FORTRAN语言计算了表达式中出现的表征浓差极化的定积分的数值解.然后,用最小二乘法对用M351-1腐蚀综合测试仪测得的不锈钢彩色膜的伏安曲线进行了曲线拟合,求得了表观传递系数.并由此表观传递系数利用文中推得的表达式求得了过电位在彩色膜和Helmholtz层之间的分配系数. 相似文献
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光塑性效应(PPE)是某些晶体具有的一种特性,国内尚未开展这方面的研究工作.本文仅就Ⅱ_B-Ⅳ_A族化合物半导体的P P E,简单介绍国外在其机制方面的几种典型观点. 相似文献
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连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量 总被引:11,自引:0,他引:11
激光诱导扩散中曝光区的大小在10μm数量级,其温度分布的测量是比较困难的,该文报道一种曝光区中极微小面元的不接触测量,文中介绍了测量原理,实验装置,给出了实验结果,并特地介绍了测量系统的定标。 相似文献
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宁丹 《哈尔滨师范大学自然科学学报》1996,12(4):38-40
本文报道了超短脉冲激光倍频的实验研究,实验所用基频光为TI:sapphire激光,波长780nm,脉冲宽度100fs,非线性晶体为5×5×10mmLBO晶体,在基频光平均功率50mW的条件下,得到了平均功率大于10mW的倍频紫外激光输出,转换效率大于20%。 相似文献
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计算了铁磁膜表面附近的层间交换积分,并推广至半三维铁磁体的情形,计算结果表明表面附近的原子之间交换作用大于体内原子之间的交换作用,这从理论上证实了Mills所作的假设。 相似文献
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本文研究了以He—Ne激光器为光源用以测量物体表面粗糙度的多端口探测自相干仪,它测量信号光与参考光的相位差而不受被测物体表面反射光强度变化的影响,这种三维测试相干仪能够获得亚毫微米的纵向分辨率. 相似文献