共查询到5条相似文献，搜索用时 0 毫秒
1.
首次利用液相外延标准光刻工艺,两次质子轰击方法,研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。 相似文献
2.
首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。 相似文献
3.
用液相外延工艺，光刻工艺，质子轰击工艺研制了GaAs/GaAlAs锁相阵列激光器，该器件是由四个不同条宽激光器组成，它们的条宽是从3um线性地变化到6um，相邻激光器的间距保持常数为5um,，其间的隔离是通过质子轰击实现的，观察到远场为单瓣，平行于p-n结平面发散角（11）为3．13度，接近于理论计算的衍射极限角为3度，器件的脉冲光输出功率为120mw/facet。 相似文献
4.
研究正弦电流直接调制下,单纵模半导体激光器在外部物体的反馈作用时产生的自混合效应,利用这种自混合效应,对静止物体的距离进行非接触性的,测量,通过设定一参考距离,比较靶体与基准点处的拍频信号的最大频率值,简化了测量步骤,分析测量误差与调制电流大小的关系,进而确定短距离的最佳实验条件。 相似文献
5.