AES算法在数据库加密中的应用

分析了数据库加密的层次和常用加密算法,然后提出采用AES对数据内容进行加密的方式来提高数据的安全性并给出AES的实现思路和算法描述,同时还对加密后对数据库管理产生的影响进行了分析并提出了解决方法.     

HD-SDI音频解嵌的软件设计

介绍了HD-SDI音频嵌入技术和解嵌技术的理论依据,以及高清晰度演播室视频标准、数字音频包格式和AES/EBU数字音频格式。运用C++语言编程实现了HD-SDI音频数据的解嵌,提取分析了音频数据包编号、音频数据采样值和音频通道状态块。实验结果表明,该软件可以根据用户的需求多样化实现HD-SDI音频解嵌,在广播电视行业中具有广泛的实用价值。     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

用俄歇电子能谱研究薄膜Cu2S/CdS太阳能电池

用俄歇电子能谱(AES)研究了化学沉积Cu₂S制备的Cu₂S/CdS系太阳能电池,探讨了提高电池性能与成品率的方向.还观察到电池组成元素S、Cd随存放时间的增长而向电池表面扩散并逃逸、Cu向纵深方向扩散等现象.讨论了AES分析的深度分布特征与电池效率之间存在着某种函数关系.     

金属镁原子簇离子碎片的二次离子质谱研究

由于SIMS分析具有很高的表面检测灵敏度,可以检测超轻元素和用作同位素分析,特别是它能检测以电离态形式存在的靶材料的原子簇碎片,因而可比其它许多表面分析方法(诸如AES和XPS)更直接地提供有关这些离子碎片构型的信息.本文通过把对清洁的金属镁表面进行SIMS分析的实验结果,同我们用量子化学从头计算法对镁的某些原子簇离子的稳定性计算结果相比较,从实验和理论两方面探讨了金属镁在熔盐中的化学结构和形成原因,为熔盐-液体金属的相互溶解作用提供了有参考价值的信息.     

强脉冲电子束引发气相沉积过程的研究

近年来,随着等离子体技术的迅速发展,等离子体化学气相沉积在微电子、超导、光纤通讯等新技术领域里被广泛用于材料表面改性,制备各种具有特殊性能的薄膜等.作者在这方面作了一些有意义的工作.本文将介绍一种类似于激光产生化学气相沉积的新手段,即在低压气体环境中,利用强脉冲电子束轰击靶物质,在衬底表面生成固体薄膜的实验结果,以及用AES,ESCA.电子显微镜等分析手段观察,探讨样品表面的化学组成和结构变化.     

PAMAM树形分子-PAA聚电解质复合物对痕量元素的富集分离的性能研究

首次用3．0代聚酰胺-胺型（PAMAM）树形分子与聚丙烯酸（PAA）合成了聚电解质复合物（PEC）,并用于痕量元素的富集分离。实验表明,在pH=5时,痕量的Cr（Ⅲ）,Pb（Ⅱ）,Bi（Ⅲ）,In（Ⅲ）,Hg（Ⅱ）,V（Ⅴ）和Ga（Ⅲ）离子能被0．1g吸附剂定量富集,回收率超过95％。利用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）详细研究了富集酸度、洗脱条件、共存离子干扰、饱和吸附量、分析精密度,并用于实际废水样品的分析。     

可伐合金腐蚀行为的电子能谱研究

用XPS、AES研究了可伐合金分别经1:1:8体积比的盐酸——硝酸——水溶液,1:1:1.5:6.5体积比的盐酸——硝酸——丙三醇——水溶液处理后的表面组成、表面层原子价态和表面元素深度分布,并探讨了混合强酸中可伐合金的腐蚀行为。     

电感耦合等离子体直接测定纯镉中杂质元素方法研究

建立了利用ICP - AES准确、快速、直接测定纯镉中Pb、Zn、Fe、Cu、Sn、Tl、Sb、As、Ag、Ni等10种杂质元素的分析方法,优化了ICP - AES的分析条件,采用标准基体匹配的方法消除基体效应.结果表明:Pb、Zn、Fe、Cu、Sn、Tl、Sb、As、Ag、Ni等十种杂质元素在0.05μg/ml～1.0μg/ml范围内有良好的均线性关系,相关系数均大于0.999;各元素的检出限在0.0009 μg/ml～0.0084μg/ml之间;相对标准偏差RSD＜ 4.80％;回收率在93.68％ ～ 104.41％之间.本方法能满足工业化生产纯镉中微量杂质元素快速分析的要求.     

大分子多糖磁共振成像造影剂的合成、表征及性质研究

利用氯乙酸化、酰胺化等方法合成了大分子多糖阿拉伯半乳聚糖修饰的DOTA钆配合物,采用红外光谱测试、13C NMR、元素分析及ICP - AES手段进行了表征,测试其在水中及牛血清白蛋白溶液中的弛豫效率.结果表明,其弛豫效率远远高于目前临床应用的Gd- DOTA与Gd -DTPA,是比较好的潜在的磁共振成像造影剂.     

不锈钢上草绿色钼酸盐转化膜组成的研究

用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中获得了草绿色的不锈钢转化膜。该膜具有良好的热稳定性。ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，膜厚约为１７３ｎｍ，膜的表面钼以Ｍｏ存在，而在膜内则以Ｍｏ和Ｍｏ共存。从ＡＥＳ深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为：Ｏ５２．８％，Ｍｏ３０．４％，Ｐ１２．５％和Ｆｅ４．３％。循环伏安的氧化峰也证明膜内存在Ｍｏ。     

溅射沉积InP薄膜的研究

本文报道了以射频溅射仪溅射沉积非晶态InP薄膜.并用X光衍射法、反射电子衍射怯、扫描电镜、红外分光光度计及俄歇能谱仪等研究了薄膜结构、貌相、组分及吸收边光谱等.并与富In的InP多晶薄膜作比较.     

电子倍增器增益特性的实验测定

用电子能谱仪中改变能量分析器通能的办法,将Ni₃p光电子减速成不同能量后送入电子倍增器,从而测定了倍增器的增益随电子能量的变化曲线.发现在不同工作电压下,增益特性有所不同.观察了这一特性对测量俄歇微商谱峰-峰高度的影响.     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

应用于超大规模集成电路的新材料WSi2的快速热退火形成

用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm~(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_2中伴有W_5Si_3相存在,但其行为仍显示为WSi_2的特征.     

Al—Ti／W—PtSi—Si系统电性能的研究

本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.