晶体管振荡器的非线性问题探讨

本文的目的是采用非线性理论来描述晶体管振荡器,并获得非线性徽分方程即标准型范德普尔(Van Der pols)方程。然后求解此方程得到与实际相符的结果,克服用线性理论无法解决的问题。     

晶体管延迟多谐振荡器的分析

本文分析了晶体管延迟多谐振荡器的工作特性,获得线性延迟的条件以及减小β不均匀性影响的办法,并给出相应的实验结果。     

晶体管LC振荡器输出电压的工程计算

本文根据晶体管LC振荡器在稳定振荡后,晶体管工作于非线性状态,集电极电流是余弦脉冲这一事实,提出了一种根据晶体管的静态工作电流来计算输出振荡电压的方法,给出了计算公式,讨论了静志工作电流应选取的范围,还对计算结果与实验结果进行了比较。     

晶体管三点式振荡器的起振条件探讨

起振条件是振荡电路产生自由振荡必须满足电路参数间相互约束关系。因此,起振条件的正确性,直接影响到振荡器的设计和调整实践。寻求结论严密、物理概念确切、符合科学性的起振表达式,不仅对教学,而且对三点式振荡器设计和实验均有指导意义。对三点式振荡线路的起振条件,已见国内外的一些资料和教材所采用的表达式均有所不同,且相互间还存在着明显的矛盾。究竟用何种表达式确切,是很值得研究和探讨的。本文从齐次线性方程组有非零解出发,推导出三点式起振条件,具有上、下界理论极限值的表达式,其物理概念比较确切,结论符合科学性。     

单管边缘振荡器及射频段的ESR实验

本文叙述单管边缘振荡器的一些特性,得到较好的边振状态。在射频(RF)段(约40MHz)进行电子自旋共振(ESR)实验时,灵敏度达5×10~(-7)克分子DPPH,测电子的g因子,精度达5×10~(-3)。     

利用运算放大器扩展振荡器工作频段的研究

采用根轨迹法设计宽频带振荡器，分析了运算放大器的各种工作状态及影响幅频和相频特性的关键参数．通过调整运算放大器的频率响应，使振荡器特征方程的极点处于虚轴上或其附近，从而拓宽振荡器工作频段，保持稳定的振荡方法．实验结果与理论分析一致     

利用运算放大器扩展振荡器工作频段的研究

采用根轨迹法设计宽频带振荡器，分析了运算放大器的种种工作状态及影响幅频和相频特性的关键参数。通过高速运算放大器的频率响应、使振荡器特征方的极点处于瞄轴上或其附近，从而拓宽振荡器工作频段，保持稳定的振荡方法，实验结果与理论一致。     

晶体管间歇振荡器脉冲宽度的通用曲线计算法

本文提出了计算晶体管间歇振荡器脉冲宽度的通用由线的方法,并制作了九种常用 电路的通用曲线。应用通用曲线简化了计算过程,可以方便而准确地计算脉冲宽度和重 复周期。实验结果表明,当所用的晶体管的少数载流子储存效应不显著时,计算误差小 于１５％。     

晶体管发射结软击穿对多谐振荡器的影响

本文通过对多谐振荡器软击穿(即瞬时击穿)现象的观察与分析,提出并由实验予以证明在晶体管的基极接一保护二极管,能有效地稳定振荡频率和延长管子的寿命。     

变压器反馈式晶体管LC振荡器的阻值选择及形式演变

基于晶体管的变压器反馈式LC振荡器,集电极电阻和发射极电阻的阻值必须足够小,才能起振.这是由于集电极电阻构成了放大器的输出电阻,输出电阻过大将影响放大器向反馈网络输入电压的能力,从而导致正反馈失败.减小集电极电阻的目的,是减小从放大器输出端到反馈环节的输入端的耦合过程中所发生的电压衰减.由低值集电极电阻出发,可以很自然...     

一种提高晶体管间歇振荡器重复周期温度稳定性的措施

在普通间歇振荡器的基极回路内串入一个几百欧姆的电阻,可以提高其重复周期的 温度稳定性。对储能电容接在发射极回路的间歇振荡器进行了实验研究,重复周期在 ６０℃时的偏离量在１％左右。     

Ω型承重封闭式的弹性接合件

针对目前公路桥梁伸缩缝接合件的缺陷,设计了一种Ω型承重封闭式弹性接合件.介绍了其结构组成与工作原理;并在环境温度变化时分析接合件的受力和变形,提出了应力、变形和稳定性的计算方法,为接合件的设计提供了理论依据.     

WXD-2型浑沌振荡器的设计

本文从一种非线性系统的数学模型出发,介绍了WXD-2型浑沌振荡器的设计,从数学模型到实现该模型的实体电路以及浑沌振荡器的时域图。     

Ω型无缝接合件的设计与应用

针对现有国内外公路桥梁伸缩缝接合件的局限性,研制了一种新颖实用、性能优越的Ω型承重封闭式弹性接合件(简称Ω型无缝接合件)。阐述了Ω型无缝接合件的结构组成与工作原理,分析了在环境温度变化下接合件的受力、应力及其变形情况,并以此提出设计无缝接合件的计算方法。最后,介绍了无缝接合件的拓展应用。     

一种基于变容管偏置的温度补偿LC振荡器

文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值,补偿因温度变化引起的振荡器频率变化,使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient, TC)为0。另外,在通过分频产生几十兆赫兹频率的同时,振荡器的相位噪声性能得到进一步优化。该文在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿真结果显示,在1.8 V电源下整体功耗为7.12 mW,中心振荡频率2.400 2 GHz处的频率漂移可达到8.68×10^-6℃^-1,经过分频后得到的30 MHz信号在10 kHz偏移下的相位噪声大小为-112.923 dBc/Hz。     

硅PNP型晶体管的沟道漏电

近几年来,硅PNP型晶体管获得越来越广泛的用途,但与NPN型晶体管相比制造工艺比较困难,主要是表面沟道漏电,造成成品率低,可靠性差。本文通过对沟道漏电的理论分析,采取相应措施,基本上消除了沟道漏电,在大批量生产中,中测管芯成品率达80%以上。     

双极型晶体管混频器模型的建立

本文以Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数和变换矩阵为基础建立了双极型晶体管混频器的频域分析模型。运用本模型，可以模拟多频信号输入和考虑本振谐波情况下混频器的混频增益和二阶、三阶交调、互调失真电平随电路静态工作点和本振幅度的变化关系．     

绝缘栅双极型晶体管IGBT的保护

主要阐述绝缘栅双极型晶体管IGBT在应用过程中的具体保护措施,利用缓冲电路对过电压与过电流及其变化率进行保护.介绍如何正确选择驱动电路以及EXB841驱动电路的保护工作过程,给出保护电路相关元器件的参数计算与选择方法,为IGBT安全可靠工作提供保障.     

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３－１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光增益７１１３，４０－５０ｎＷ光功率时光电增为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。