新型室外多用电视天线放大器通过技术鉴定

新型室外多用电视天线放大器通过技术鉴定电教系刘大文副教授等研制的“Ｂ－１型室外多用电视天线放大器”，于１９９４年１２月在长春通过国家教委委托鉴定。鉴定委员会专家组认为，该放大器较好地解决了宽频带放大器易受强信号干扰的问题，工作稳定可靠，非常适合广大农...     

微带全频道天线放大器设计

<正> 本放大器采用MWA5157高增益、低噪声、宽频带集成放大器,由于考虑到放大器在超高频段时其幅频特性受电路元件及印制线路分布参数的影响,因此电路中采用半集中参数元件作为超高频段通带滤波器,即电容器用集中参数元件,而电感用分布元件,即用微带来实现。输入、输出也用特性阻抗为75欧姆的微带线来实现,在整个频带内幅频特性满足驻波比小于2的要求。VHF频段仍用集中参数元件来实现。     

一种电视信号处理放大器

本文介绍一种适用于PAL制彩色电视信号的处理放大器,并对其各个部分,特别是对色同步信号处理部分的设计原理作了定性分析,最后给出了实际样机的测试结果.     

浅析两管天线放大器的原理和维修

在介绍两管天线放大器工作原理的基础上,对天线放大器的检修方法作了阐述,并对天线放大器常见的故障进行了概括。     

电视发射天线辐射功率的合理利用

本文提出了合理确定天线垂直面方向性图及水平面方向性图的方法。     

电视发射机天线自动切换控制系统

本文根据我台电视发射设备的实际情况,主要介绍我们自行设计的天线自动切换控制系统的工作原理及使用方法。     

用遗传算法优化设计天线

遗传算法是一种新的搜索方法。本文介绍了遗传算法的基本原理和使用方法,并用遗传算法讨论了线天线阵的优化设计问题。     

利用锁定放大器实现微波天线方向图的精确测量

采用常规的测量放大器或选频放大器进行微波天线方向图的高精度测量是困难的,本文设计了利用锁定放大器精确测量微波天线方向图的电路,该方法是从信号和噪声本身的特性出发,针对信号的周期性和噪声的随机性的特点来抑制噪声,提取信号。测试实验结果表明,采用该电路能极大的提高信噪比,可靠检测出有效信号。     

演示实验用单管放大器

单管直流放大器,配合示教电表,用作右手定则的演示实验,效果比较满意。该放大器结构简单,工作稳定可靠,具有50倍左右的放大倍数,能满足课堂演示教学的要求。现介绍如下,供同志们参考。     

轻型电视天线塔桅结构的探讨

本文讨论安装开路和闭路电视系统所用发射与接收天线的支承物——轻型电视天线塔桅结构的外型设计,及其截面选择的理论计算方法,并用有限元法计算塔身在风载作用下杆件内力及结点位移的方法.     

电视发射天线多频道共用的前景

本文分析了用一副电视发射天线传送多个频道电视节目的优点,简要介绍了国外的研究成果及实用情况,最后指出用一副天线发送多个电视节目是很有前途的。     

全频道共用天线电视系统的频率补偿

本文叙述了全频道共用天线电视系统设计中的一个重要问题——电缆的频率补偿问题.文中提出了系统前端和系统干线传输部分的几个具体补偿方案.可供从事共同天线电视工作的技术人员参考.     

一种单片机控制的电视天线控制器

本介绍一种８０３１单片机控制的电视天线控制器，用户可通过不的键来选择天线的正转、反转、５０°扇扫或９０°扇扫，使电视机获得清晰画面。     

电视发射天线及馈线系统的更新

介绍电视发射天线的技术方案、技术参数、测试及安装,保证了优质安全播出。     

用四端网络分析反馈放大器

分析负反馈放大电路的常用方法有方框图法和等效电路法 .这两种方法各有优缺点 ,本文介绍用四端网络法分析反馈放大器 ,此法既保持了方框图中物理概念明确的优点 ,又可妥善地解决Ａ0 和Ｆ定量计算上的困难 .图 1表示一个反馈放大器 ,我们把内放大器 (即基本放大器 )和反馈网络作为一个整体用四端网络Ｎ表示 ,内放大器也用一个四端网络Ａ表示 ,它包括在Ｎ之内 ,在Ｎ的输入端接入信号源 ,输出端接上负载ＲＬ.内放大器可以是一级的或多级的 ,考虑到晶体管是电流控制元件 ,取电Ｉｂ 作为内放大器的有效控制信号 ,则内放大器输出端的受控电流源为…     

适合农村发展的九类食品加工业

据有关方面的调查分析．当前适合我国农村发展的食品加工业有九大类：粮食类大米、小米、米制品、面粉、精粉、挂面、面条、方便面、面包、馒头。杂粮制品等。植物油类棉籽油、菜籽油、花生油、豆油、香油、葵花籽油、糠铁皮油、玉米任油、茶油等。肉禽类猪、牛、羊、兔、家禽和野禽屠宰加工、熟肉、火腿、腊肉、肉脯等。糖果糕点各种低甜度的酥糖、软糖、始糖、夹。C硬糖、巧克力糖等;传统糕或、儿童食品、保健食品、出口食品等。水果蔬莱类苹果、梨、杏、柑桔、红枣等各种干、鲜果品,果脯、蜜饯、干菜。酱菜、榨菜、野菜、食用菌等。罐…     

适合基站放大器应用的图形化SOI LDMOSFET的设计与分析

设计了一种新型图形化SOI（pattemed-Silicon-On-Insulator）LDMOSFET（lateral doublediffused MOSFETs）结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2G、60V无线通讯基站功率放大器的要求.