离子束溅射非晶软磁薄膜

用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。     

镍离子束动态增强沉积多元氮化物膜

采用镍离子束动态增强沉积合成膜层,对膜层进行了分析,测试了膜层试样的电化学性能,与非增强沉积膜层相比,镍离子束动态增强沉积膜层有更好的电化学耐蚀性能。     

CVD涂层离子束处理后的组织结构与切削性能

长期以来,如何改善刀具的切削性能;以提高生产率,刀具寿命一直是人们致力于研究的课题。本文将 CVD、等离子注入,辉光离子渗氮等技术综合运用在试验中,以寻求一种经济的离子束表面改性途径,并就此做了一些可行性的试验分析。本文通过用 SEM、AUG、XPS 等进行测试分析,进而为现代表面技术进一步运用于切削加工中提供理论依据。     

不同衬底上离子束辅助沉积MoSx膜的研究

利用离子束辅助技术在黄铜与２０＾＃钢衬底上进行了沉积ＭｏＳｘ膜的研究。对该膜在常温大气环境中的摩擦损特性用针－盘磨损试验进行了评价；用ＸＲＤ和ＸＰＳ检查了磨损前后膜的生成相，组分及Ｍｏ元素价态的变化，发现不同度衬底上的ＭｏＳｘ膜在磨损中出现显著不同的结晶学变化，并对这一现角作了讨论。     

离子束医用材料改性

给出了离子束提高改善生物材料的耐腐蚀和耐磨损的研究结果,也给出了改善生物材料生物相容性的方法和实验结果,并分析了利用离子束技术途径。     

杂质氧在离子束混合形成MoSi_2中的行为

Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe~+离子轰击诱生的MoSi_2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(<5×10~(-7)A/cm~2)Xe~+离子轰击引起的Mo/Si混合区,随轰击剂量增大而增大,但不生成钼硅化物相;衬底适当加温(>300℃)条件下,Xe~+离子轰击诱生的MoSi_2为六角结构.后退火温度大于850℃时,六角结构的MoSi_2转变为四角结构.选择适当的轰击剂量和衬底温度,利用离子束混合技术可以生长出不含氧杂质的均匀的Mosi_2层.     

X射线衍射对离子束混合形成硅化物品粒度的研究

用X衍射测定了离子束混合所形成铂硅化物的衍射线宽,并计算出了其晶粒大小.发现混合时的注入剂量和后退火温度都会影响其晶粒大小.     

真空反应蒸发法制备ZnO透明导电薄膜

以ＺｎＣｌ２作为蒸发源，采用真空反应蒸发技术制备出具有高透过率和电导率的ＺｎＯ薄膜．对制备薄膜的结构，电学和光学特性进行了测量．     

钇钡铜氧涂层的超导性

研制了一种钇钡铜氧涂层,并研究了它的超导电性.电阻测量表明在92 K附近涂层电阻急骤下降,所有样品的零电阻温度均高于77K,有的达到88.2K.交流磁化率的测量也观察到在电阻转变温区有明显的抗磁性.X射线衍射实验证明以氧化铝陶瓷为基体的涂层材料为单相YBa_2Cu_3O_(9-■)欠氧钙钛矿结构.     

离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高

研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Ｓｉ中掺杂激活的新方法，ＭｅＶ高能Ｓｉ注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对Ｐ激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平。     

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２，矫顽场强为８０ｋＶ／ｃｍ     

氮离子辅助沉积的羟基磷灰石膜的结构与电化学特性

通过用XRD，FTIR，EDAX和XPS等，对60keV的N离子束在钛合金表面辅助沉积的羟基磷灰石薄膜（HA）表征发现，膜呈非晶结构，膜中Ca/P比高达2．46，远高于HA原材料Ca/P比的数值1．67，沉积中出现C和O的污染，膜中引入了碳酸根基团CO^2-3，并产生了羟基（OH）的丢失，与已有的实验结果不同，实验中发现，这种N离子束辅助沉积的薄膜在Hanks溶液中的抗溶解特性，不是退火试样最好而是未退火状态的膜比前者理优，但它们二者的抗溶解特性又都比钛合金本身强，作者对所观察到的这种新现象作了讨论。     

节能膜的应用、制备和性能研究

本文介绍了节能膜在建筑镀膜玻璃、防霜玻璃、节能电光源和太阳集热器等方面的应用，节能膜的制备方法和其性能研究。概述了节能膜的发展历程和已取得的主要成果，最后介绍了我国对节能膜研究的现状。     

溅射过程中氧分压对SiO_2薄膜程膜的影响

该工作采用光电子能谱、扫描电镜等方法研究了溅射镀膜条件对成膜质量的影响，说明溅射制膜时氧化压不能超过１３％，同时氧分压过低也对电子加速不利。     

强流加速器束晕控制中填充因子对束粒子密度的影响

运用PIC多粒子模拟程序，采用延迟反馈控制法，研究了离子束在运行过程中粒子分布情况．通过分析比较，得到了对束晕进行有效控制后的粒子分布规律，为强流加速器的应用提供了有用的参考．     

电子束熔凝司太立合金复层的抗蚀性能研究

在不锈钢2Cr13表面,用直流磁控溅射沉积,经电子束熔凝处理,获得司太立合金复层,利用电化学技术研究了在0.5M硫酸和0.1M氯化钠溶液中的腐蚀特性.有效地改善了2Cr13钢的抗蚀性能,临界电流密度I_c降低2个量级,钝态电流密度降低一个量级.利用扫描电子显微镜,结合EDAX进行了显微形貌和化学成分分析.     

离子束溅射氟碳高分子膜的X射线能谱研究

在不同放电条件下利用离子束溅射法制备了聚酯膜基底上的氟碳高分子膜，用光电子能谱法对其结构进行了分析表征，研究发现，该条件下制备的氟碳高分子由－CF3，－CF2，－CF和－C－两个基团组成，随着施加能量的增大，富氟组分增加导致氟碳比增加，但在较高能量下这种变化趋缓，氟碳高分子在这种能量变化中逐渐向直链、饱和，较小分子量的结构转变。     

离子束溅射沉积角对Ni／Si膜界面特性影响的研究

用Ａｒ~＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真空退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥６６°时，试样退火后仅出现Ｎｉ膜择优取向晶化，无硅化物生成。而在接近０°的小角度处沉积的试样，在相同条件退火后则出现以ＮｉＳｉ为主的三种硅化物混合相。