二种非晶合金在流体静高压下的电阻率

非晶态铁磁性合金不仅磁性优良,而且电阻率比同组分晶态合金高1—2个数量级.它取代硅钢片等制成变压器铁芯使铁损减少3/4,并提高工作频率,已在美、日、德、法等国广泛应用.然而非晶态合金的导电性理论至今仍很不完善,有较大局限性.(1)推广的 Ziman 理论可解释在任意温度简单金属(d 壳层全空或全满的金属)玻璃的电阻特性,却不能解释非简单金属(含过渡金属和稀土元素)玻璃的电导输运特性.因为后     

压力下金属玻璃(Fe_(1-x)Nb_x)_(84)B_(16)的电子输运性质

对金属玻璃电子输运性质的研究已愈来愈广泛,至今,不仅还没有一种理论能统一的解释各种输运现象,而且可以说,对有些输运现象的观察还是十分缺乏的。对金属玻璃在压力下的电阻特性的研究是近几年才开展起来的工作,不仅理论解释需要探索,而系统的实验报道也还需要更多的工作。     

含铋金属玻璃热弛豫过程的动态电阻研究

近年来,人们对金属玻璃物性与退火处理过程的关系进行了大量地研究,并且提出了一些模型理论来解释所观测到的实验现象。但是关于热驰豫过程对金属玻璃电性影响的报道较少,尤其在退火处理对其电阻温度系数影响方面研究甚少。我们研究了热弛豫过程对     

~(24)Mg+~(20)Ne和~(24)Mg+~(16)O散射的机制研究

最近,用重离子光学模型理论分析较轻的4N核散射遇到了困难~[1-4],难以解释后向反     

压力对几种金属玻璃电阻的影响

一、引言 非晶态合金材料的电子输运特性多年来已经引起人们的极大兴趣。电阻作为电子输运特性的重要参量,从理论到实验已进行了大量的研究。在宽温区内进行电阻随温度变化关系的研究是探讨对电阻有贡献的各种散射机制所起的作用必不可少的途径;而在不同压力下研究     

La1-xTexMnO3(x=0.04,0.1)的庞磁电阻效应及自旋玻璃态特性

制备出用氧族非金属元素Te替换部分镧所生成的锰氧化物新材料:La1-xTexMnO3(x=0.04,0.1).研究表明该材料具有空间群R-3C结构,Te为正四价态.电阻率-温度关系给出其存在金属-半导体转变特性,具有庞磁电阻效应(CMR),x=0.1成分的磁电阻变化率在4 T作用下为51％.此外,还观察到该材料在低温下的自旋玻璃态行为.     

一种新的金属玻璃Mo_(70)Ge_(20)B_(10)

非晶态过渡金属超导体的Collver-Hammond曲线,到目前为止仍是一个未被充分解释的问题,获得这条曲线的实验工作是基于研究电子束蒸发薄膜的超导体临界温度而得到的。这些膜有很多是在冷底板上制取的,其中有些在室温下已全部晶化,同时,薄膜样品又给一些物理测量带来了困难,如比热测量,因此获得大块的非晶态过渡金属及其合金是研究非晶态过渡金属的很重要的内容。通常获得大块非晶态样品都采用超高速液相淬火的方法,用这种方法,已经制备出了几个在室温下稳定的非晶态过渡金属合金,亦称金属玻璃,对于金属Mo及其合金只有加入类金属,才有希望得到这种室温稳定的金属玻璃。在此之前,有人制备出了     

粗糙表面激光散射镜反射方向的边凸现象

1987年,O’Donnell和Mendez首次观察到激光(6328A)在具有较大统计斜率的金属粗糙表面上的后向散射增强效应。Kirchhoff近似的单次散射理论和微扰动理论,都不能得出这种效应。然而全波理论、Monte—Carlo方法和Kirchhoff多次散射理论以及更精确的实验,则对后向散射增强效应作了解释,说明产生后向散射增强的主要原因是由于在粗糙表面上发生了多次散射。     

Sr_xLa_(1-x)CuO_3系统半导体-金属相变的正电子湮没研究

在最近发现的高温氧化物超导体Sr-La—Cu-O、Ba-La-Cu-O系统中,由电阻-温度关系测量观察到,在相同的热处理条件下,随组分x的变化,发生半导体-金属相变。有人认为,发生相变的原因,在于电荷密度波出现能隙。因此,从不同的侧面研究高温氧化物超导体中发生半导体-金属相变的起因,以及它与高温超导电性的关联,是当前重要研究课题之一。     

大厚度Ni_(75)B_(17)Si_8非晶合金的制备

一、引言 传统的熔体急冷技术一般可生产直径或厚度约为50μm左右的非晶合金粉末、细丝和薄带,这就影响了金属玻璃的应用范围。从各种途径获得大块状金属玻璃,充分发挥其优异性能,已成为人们十分关注的课题。Cotts采用复合机械变形和固态反应的方法制取了0.5 mm     

晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性

在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(R_(sh))和比接触电阻率(ρ_(sc))的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的R_(sh)对温度呈指数依赖关系,幂指数约-2.61,主要由高温下半导体的晶格散射机制决定;(2)300~523 K的变温范围内,ρ_(sc)随温度上升呈先增大后减小的趋势;当温度低于350 K时,ρ_(sc)的温度依赖关系主要由TiN合金的类金属特性决定;而在更高的温度下,热场发射机制将逐渐占主导.基于以上2种模型的并联形式对实验数据进行了拟合,并分析了提取的重要物理参数.     

用俄歇谱仪研究金属玻璃Pd_(80)Si_(20)的热稳定性

系统地研究金属玻璃的结构弛豫和晶化过程对研究这些材料的热稳性十分重要,一般采用传统的透射电子显微技术、X射线衍射、示差扫描卡计(DSC)和电阻测量等技术。这些方法各有特点和优越性,但也有它们的局限性,往往不能直接反映在加热过程中微区的结构变化和局部成份变化之间的关系。俄歇谱仪是研究试样表面层成份的重要工具,有较高的灵敏度。我们用俄歇谱仪原位加热的分析技术,初步看到了在Pd_(80)Si_(20)加玻璃态合金结构弛豫和晶化的同时,试样表面的成份在局部区域有明显的、规律性的变化。     

(BiPb)-Sr-(CaCd)-Cu-O系的超导电性

自从Bi系超导体发现以来,人们已经确定了至少三个超导相(2201、2212、2223相),各相每半个晶胞中含1、2、3层铜氧层,其零电阻温度正比于单胞中铜氧层的数目,分别为7、85、110K。为了获得更高转变温度的超导相,中国科技大学用少量Sb替代Bi发现了零电阻温度大于132K的超导现象,此结果陆续被几个研究小组重复,有的样品甚至高于160K。但至今关于132K高温超导相的结构或形成的可能机制尚未确定。最近,我们采用直接烧     

金属玻璃异常放热现象与隐藏非晶相变研究进展

金属玻璃因其简单的金属键结合及原子密堆积结构而成为研究非晶物理的理想材料模型。解开玻璃形成液体的微观结构可以探寻玻璃形成能力的秘诀。许多非晶合金体系在玻璃转变点以上、结晶温度以下表现出异常放热现象,暗示在超过冷液相区间隐藏着非晶相变,这一现象的微观结构本质困扰了学界逾四十年。近来,中子和同步辐射散射等大科学装置的发展为揭示隐藏非晶相变的机制提供了原位、无损以及从原子到纳米级别的多尺度"探针"。最新研究发现Pd-Ni-P这一典型的具有异常放热现象的原型非晶合金在临界转变温度处发生了重入超过冷液体转变,其内在微观机制为中程有序结构的演变所导致的液-液相变。同时通过恰当的热处理,人们可以方便地调控这一类非晶合金的微观结构。经过统计几种具有异常放热现象的典型金属玻璃体系的热物理参数,发现异常放热峰可能与玻璃形成能力有一定的关联。金属玻璃中的异常放热现象及其隐藏的非晶相变为开发新型非晶合金体系并改进合金的性能提供了新的思路。     

包括f轨道的~(13)C核磁共振化学位移的INDO/GIAO微扰理论计算

五十年代以来,有机金属配合物的研究有了飞速的发展,但主要集中在过渡金属配合物的研究上。近年来,包括各种σ-成键袖π-成键的镧系元素配合物作为有机合成的催化剂及新型材料,已引起人们的极大兴趣。因此对于这一类配合物的结构和成键特性的研究具有一定的理论和实际意义。 核磁共振化学位移是研究配合物结构和成键特性的有力工具。有机金属配合物的化学位移比一般有机化合物为复杂,我们曾报道过应用X_a,Fenske以及INDO等各种量子     

La1-xTexMnO3 (x = 0.04, 0.1)的庞磁电阻效应及自旋玻璃态特性

制备出用氧族非金属元素Te替换部分镧所生成的锰氧化物新材料: La_1-xTe_xMnO₃(x = 0.04, 0.1). 研究表明该材料具有空间群R3C 结构, Te为正四价态. 电阻率-温度关系给出其存在金属-半导体转变特性, 具有庞磁电阻效应(CMR), x = 0.1成分的磁电阻变化率在4 T作用下为51%. 此外, 还观察到该材料在低温下的自旋玻璃态行为.     

(Ba, Pb)TiO3半导体陶瓷的特殊敏感性及其机理

研究了具有多孔网状结构(Ba,Pb)TiO₃半导体陶瓷的电阻温度特性, 发现在空气中长时间放置的(Ba, Pb)TiO₃陶瓷在居里点以前有一段电阻值随温度升高而增大的反常阻温特性. 进一步的研究结果表明(Ba, Pb)TiO₃陶瓷反常的阻温特性与其湿敏性相关, 在11%~93%相对湿度范围内, 电阻值变化3个数量级, 而且在单对数坐标中其湿阻特性曲线接近线性. 结合表面吸附、晶界势垒、铁电-顺电相变, 综合分析了(Ba, Pb)TiO₃陶瓷的特殊敏感性机理, 并给出定性解释.     

基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象

比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250nm和10nm的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和I-V特性,得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之间没有必然关系,说明铁磁金属薄膜纳米点连接的中间部位纳米局部区域的电阻与它两端的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比不起绝对决定作用,也就是说,我们所测得的铁磁金属薄膜纳米点连接的电阻主要来自于它的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极.比较了铁磁金属薄膜纳米点连接和在同样真空薄膜沉积条件下制备的同样厚度的0.2cm×0.8cm的铁磁金属薄膜的磁电阻之间的关系,发现与薄膜相比,纳米点连接样品的磁电阻比例普遍得到较大的提高,也就是说我们所测量的铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻主要来自于纳米点连接样品的中间部位纳米局部区域.可以得出在铁磁金属薄膜纳米点连接中,由于具有很高磁电阻比例的中间部位纳米局部区域的电阻与具有很低磁电阻比例的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比很小,所以整个铁磁金属薄膜纳米点连接的电子输运行为由样品的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电子输运行为决定,表现为它所呈现的是线性的...     

铁磁金属-绝缘体颗粒薄膜的隧道型磁电阻(TMR)

评述了最近在铁磁金属－绝缘体颗粒薄膜系统中发现的隧道型磁电阻（ｔｕｎｎｅｌ ｍａｇｎｅｔｏ－ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＴＭＲ）的研究现状,综述了包括电阻、磁电阻（ＭＲ）以及它们的温度依赖性在内的理论和实验研究结果,讨论了铁磁金属－绝缘体颗粒薄膜系统在实际应用中存在的问题和局限性,此外,对与颗粒结构紧密联系的另外两种磁性质,高频软磁特性和巨Ｈａｌｌ效应（ＧＨＥ）进行了简要介绍。     

固相反应合成M(biN)_nCl_2配合物

固-固化学反应具有一定的优点,在原子簇合成、直接法固相制备化合物等方面已有所表现。研究表明,在溶液中快速进行的连续反应如在固相中进行,速度会降低,而且控制适当的条件可使反应停留在任意一个中间产物上,这在溶液中是难以做到的。基于此,我们用固-固反应制备了M(biN)_xCl_2[I],