基于示波器的晶体管特性曲线测试电路的研究——HYDZ-1电路原理与调试

在晶体管HI-FI功放制作、学校学生晶体管实验中,需要晶体管特性图示仪进行晶体管配对、特性曲线观察,但晶体管特性图示仪价格昂贵.文章中介绍的晶体管特性曲线测试电路,配合普通示波器,可替代晶体管特性图示仪完成这一任务,观测效果良好.     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

浅议晶体管特性图示仪校准方法

晶体管特性图示仪是能在示波管屏幕上观察与测试晶体管管特性曲线与直流参数的测量仪器。晶体管特性图示仪的精确度直接影响晶体管器件的实际结果。因此本文以JT-1型晶体管特性图示仪为例,介绍了改型号图示仪的工作原理、校准原理及校准技术。     

场感应晶体管 Ⅰ-Ⅴ 特性的分析

本文对场感应晶体管的Ⅰ—Ⅴ特性进行了简单讨论后,给出了试验中所遇到的若干异常的Ⅰ—Ⅴ特性曲线.并分析了它所对应的有关电参数的劣化以及可能的物理工艺原因.     

非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟

在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.     

物理系电子仪器厂小批生产QT1型晶体管伏安特性图示仪

QT1型晶体管伏安特性图示仪,是一种能在示波管萤光屏上直接观察PNP、NPN型晶体管各种特性曲线簇的全晶体管化的专用仪器,还可以通过萤光屏前的标尺刻度直接读测晶体管的各项参数。1.可测下列各击穿电压及饱和电流:BV_(EBO)、BV_(CBO)、BV_(CEO)、BV_(CES)、BV_(CER)I_(EBO)、I_(CBO)、I_(CEO)、I_(CES)、I_(CER)2.可测下列共发射或共基极特性曲线簇:(1)输出特性:I_c-V_(ce)或I_c-V_(cb)(2)输入特性:I_b-V_(be)或I_e-V_(eb)(3)电流放大特性:I_c-I_b或I_c-I_e     

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中△VBE与IE关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 747-7的热阻部分,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的,从理论上证明了该标准中的I-V-T曲线与实际情况相矛盾,这一矛盾也被实验所证实;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I-V-T特性曲线和波形图,可以作为修正标准的参考样本.还提供了相应的计算和精确的实测结果.     

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中ΔV_(BE)与I_E关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V T特性曲线和波形图 ,可以作为修正标准的参考样本 .还提供了相应的计算和精确的实测结果 .     

一种OLED双稳态驱动电路的设计方案

以光电双基区晶体管为驱动器,设计了一种有机电致发光显示器(OLED)双稳态驱动电路的方案,通过实验得出了输入光功率和输出光功率的光学双稳态的特性曲线,并对该双稳态电路在OLED驱动的应用上进行了分析.     

高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全

通过对高可靠性晶体管Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究，提出解决发辉现象的措施和测试Vcbo单结特性时应注意的问题，确保了产品的可靠性。     

基于虚拟仪器的晶体管特性测量系统

为了提高晶体管特性测量的操作简易性,利用虚拟仪器技术设计了一套晶体二极管和晶体三极管的特性测量系统.解决了测量的发生信号同步生成、电压数据同步采集、特性曲线直观显示等问题.文章主要介绍系统的框图结构、采集卡的接线方式、和信号的同步生成与采集.     

用全反馈磁放大器设计下降特性可调的电孤等离子体电源

一、引言工程实际中大量地需要不同外特性(即陡降特性、平特性及介于两者之间的斜特性)的电弧等离子体电源。70年代初发展起来的大功率晶体管弧焊电源虽然可以任意调节外特性曲线的下降斜率,但由于晶体管过载能力和抗干扰能力均较差,此种电源还未能广泛用于生产实践.而磁放大器由于其使用可靠、过载能力强等伏点,在电弧等离子体电源设计     

p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化

为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增.采用p型栅结构制备增强型器件的方法是目前极有前景的一种增强型方法.该方法致力于提高器件的正向阈值电压和输出饱和电流,通过Silvaco TCAD软件调节AlGaN势垒层厚度及其Al组分,仿真器件转移特性曲线和输出特性曲线.将AlGa...     

自制NPN高频大功率晶体管中间测量仪

一、概述 本仪器是根据北京电子管厂设计的“NPN高频大功率晶体管（4S1～4S11系列）中间测试台”线路图按我们生产上的需要改制而成,属于生产线上的专用仪器,适用于高频大功率管3DA1～3DA29系列的中间测试和成品测试。本仪器可用作直流测试（由仪器的电表读出参数）和脉冲测试（用示波器显示特性曲线）两类,包括晶体管的反向截止电流、反向击穿电压、共发射极电流放大系数等项参数。 仪器中供测试晶体管用的偏置电源输出电压是半调整的,按产品的测试规范调好,由七个微动按钮开关根据各种不同的测试项目通过继电器连接被测晶体管（或管芯）;因此,它适应生产过程中中间测试需要简捷方便的要求。     

电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究

由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注.对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目.笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂.对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极.实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线.在栅压2 V时,其跨导约为0.5 mA/V.并对获得的研究结果进行了讨论.     

栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响

用根据实际制作的有机静电感应晶体管（OSIT）建立物理模型,Matlab软件中的偏微分工具箱通过有限元法对有机静电感应晶体管特性进行解析,着重分析栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响,特别是沟道电势分布的影响.结果表明,调节栅源距离能有效控制沟道势垒高度,从而影响载流子的传输.     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性.提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声.模拟结果表明,新结构的系统性能,特别是抗噪声性能有一定提高     

无线通讯双工器的作用、结构及检测方法

文章以无绳电话双工器为例,介绍了在无线通信产品中广泛使用的关键元件——双工器的作用、结构和检测方法.通过对双工器特性曲线的检测与分析,可以准确了解双工器的性能特性,为无线通讯产品中双工器的分析、设计及维修提供理论依据.     

光照和退火对非晶硅场效应管特性的影响

氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）场效应晶体管（ＦＥＴ）的特性对环境因素较为敏感，光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用ＡＭＩ标准光源光照和３５０℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化，光照２ｈ使得样品开启电压从６Ｖ增大到１９Ｖ，场效应特性曲线向栅压较大的方向平移，而４７０℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化，栅电压的控制作用减弱。最后根据ａ－Ｓｉ：Ｈ的价键模型对此进行了讨论。     

开关电容网络频域的最小二乘曲线拟合

对利用双向非重叠时钟发生器和CMOS管建立互补模拟开关的方法进行了讨论,引入了开关电容频率曲线的含参最小二乘曲线拟合技术,在此基础上提出一种新的对开关电容电路进行晶体管级的频域仿真分析的方法.以5阶巴特沃思低通滤波器,进行了系统级和晶体管级的计算机模拟,两种结果一致.