基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。     

金刚石晶体缺陷的同步辐射白光形貌术研究

利用同步辐射的荧光分析和白光形貌术对天然金刚石晶体进行了观察与分析。结果发现，金刚石晶体中存在有多种杂质元素和许多微缺陷，如位错、亚结构和孪晶界等。本文重点分析位错的类型及其特征量，并对实验结果进行了讨论。     

五硼酸钾(KB_5O_8·4H_2O)晶体中缺陷的x射线形貌研究

本文报导用 x 射线透射形貌法(Lang 形貌照相术)研究了五硼酸钾晶体中的馓7见缺陷。在所研究的晶体中,主要晶体缺陷是位错、生长层、包裹体、的沉淀物和双晶。位错主要起源于晶种恢复区。讨论了晶体缺陷与生长条件之间关系。     

人工水晶缺陷的X射线形貌术研究

应用Ｘ射线Ｌａｎｇ形貌术术法对三批不同Ｑ值的Ｙ棒水晶进行了研究,观察到了沉淀物,生长条纹和位错等缺陷,从各种不同的衍射矢量证实了「１１２０」衍射为观察Ｚ区位错线的最佳衍射;测定了Ｙ俸水晶片Ｚ区的位错密度,并对晶片Ｑ值与位错密度ρ之间的关系进行了初步分析。     

聚合物核壳结构微球的同步辐射显微表征研究

针对聚合物核壳结构微球的结构特点,引入了同步辐射显微技术对微球的结构和组分进行了初步研究.利用同步辐射X射线显微成像技术对微球的内部形貌进行了表征,观测到壳层内壁大多呈光滑的圆弧,也有局部由若干个小圆弧连接组成;利用同步辐射红外显微光谱法对核内物质的组分进行了研究,结合X射线显微成像技术观察到的微球壳层内壁的高吸收现象,初步验证了微球内铁离子在辐照下被还原的化学反应过程,表明了利用聚合物核壳结构微球来开展化学反应研究是可行的.     

硫酸三甘氨酸及其同晶的完整性研究

本文借助于x——射线形貌术系统地研究了TGS、DTGS、DATGS的完整性。实验表明:TGS、DTGS、DATGS的缺陷构形相似;在晶体中存在位错、包裹体、沉积物,沉积到和微包裹体缀饰的生长条纹;在DATGS晶体轴两端均有一双晶。DTGS、DATGS晶体的完整性不如TGS。在生长出的晶体中大部分起源于晶体的位错成束类聚,在对应于晶种生长方向的投影区域定域。因此在晶体中可以有一体积区域无位错。最后,讨论了生长缺陷和生长条件的关系,并指出了生长高质量晶体的径途。     

HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究

利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。     

合肥同步辐射扫描软X射线显微镜

软Ｘ射线显微米是研究自然状态下的生物样品高分辨率成像的最好方法．本文简介了在合肥国家同步辐射实验室专用光束线上研制的国内第一台扫描软Ｘ射线显微镜和初步实验结果．     

带锥台托盘KH2PO4晶体生长与位错分布

利用光学显微镜对采用锥台托盘及传统平托盘生长的晶体进行位错腐蚀观察，发现锥台托盘生长的晶体上半部分位错分布与平托盘生长的晶体相似，部分区域位错密度低于平托盘生长的晶体。对于锥台托盘生长的晶体下半部分，其柱面位错缺陷很少，位错集中在与锥台直接接触的下锥面。下锥面的存在阻止了柱面底部新位错的形成，为柱面生长提供了更好的生长条件。硬度分析表明使用锥台托盘一定程度上提高了晶体结晶完整性。     

YAG晶体中位错浸蚀斑的结晶学关系

用化学浸蚀法及光学显微镜的聚焦建立蚀斑,蚀线与位错之间的对应关系,利用X射线劳厄定向术确定浸蚀斑的结晶学方位,籍助于极图,运用作图法确定掺钕钇铝石榴石晶体中各晶面的蚀斑是由{110},{112}:二组晶面即惯态面组成。     

单晶晶须螺位错旋转方向的判定与性质的研究

结合化学浸蚀法光学观察和X射线形貌技术,本文提出了一种不破坏单晶晶须样品而判定螺位错旋转方向的方法,并对Nacl单晶晶须进行了研究,得到了一些有趣的结论。     

厚度对溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜光学性质的影响

利用sol-gel旋涂法在普通盖玻片上生长了ZnO薄膜,用光学透射谱、光致发光谱和原子力显微术研究了ZnO薄膜的光学性质和表面形貌.结果发现,在一定薄膜厚度范围内,紫外发光带和光学吸收边均随着薄膜厚度的减小而单调蓝移,且紫外发光强度递增,峰宽变大.综合光致发光谱、光学透射谱和薄膜表面形貌,对薄膜中晶粒尺寸、应力、缺陷等对光学性质的影响进行了讨论.     

Ti-Fe-Ni-La合金的组织结构与吸放氢特性

研究了Ｔｉ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｌａ合金的组织结构与吸放氢性能。利用光学金相显微技术，Ｘ射线衍射技术和电子探针分子析了合金成分变化对其金相组织、第二相形态及分布的影响。     

磷化镓晶体中缺陷及其成因的探讨

在七种常用腐蚀液对比实验的基础上,选取RC腐蚀液,将使用条件作适当改进,既能清晰显示GaP晶体(Ⅲ)P面、又能显示(Ⅲ)Ga面上的多种缺陷。通过重复腐蚀和逐层腐蚀实验弄清了这些缺陷的形貌特征与识别方法。用红外显微镜和电子显微镜观察与研究清洁位错和缀饰位错。实验发现晶体中缺陷分布的规律,并发现加磷压的高温热处理有助于减少LEC GaP晶体中微缺陷。文中分析和探讨了微缺陷的成因与本质。     

点状籽晶法生长KDP晶体的(100)面位错分布

通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析,发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位错主要来自籽晶的位错。通过籽晶成锥-微溶-生长的过程可以减少籽晶锥区位错向晶体中的延伸,在晶体内部,当两条夹角很小的位错线相交时会合并成一条位错线。     

基于同步辐射光源的DEI技术在豚鼠耳蜗成像中的应用

基于同步辐射光源和单色晶体-分析晶体系统的硬X射线衍射增强成像（diffraction enhanced imaging， DEI）是一种对X射线相位信息进行成像的有效方法. 利用分析晶体微弧度量级的角敏感性，DEI可以对X射线穿透样品时产生的透射光、折射光和散射光分别进行成像，大大提高了硬X射线成像的像衬度和空间分辨率. 在北京同步辐射装置（Beijing synchrotron radiation facilities，BSRF）形貌学实验站，文中应用DEI方法对豚鼠耳蜗进行成像，获得了一系列的DEI图像；并在此基础上计算得到了表观吸收像和表观折射像. DEI图像清晰显示了耳蜗的整体结构和内部细节，甚至包括细胞水平的结构，如内外毛细胞的静纤毛和Hansen 细胞边缘等. DEI图像具有高衬度、高分辨率和明显的边缘增强等特点，在生物、医学研究和临床应用中有广阔的前景.     

CoAPO-5沸石晶体的合成及表征

利用水热方法,生长出了不同掺Co2+摩尔比的AlPO4-5沸石晶体(CoAPO-5)。X射线粉末衍射(XRD)和傅立叶红外吸收(FTIR)分析了晶体的结构,结果表明,Co2+离子的引入并没有显著改变AlPO4-5晶体的晶格结构;光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测了CoAPO-5晶体的光学质量和表观尺寸,结果显示,合成出的晶体形貌完整、透明,尺寸达到45 mμ×45μm×300μm;X射线荧光分析(XRF)测试了CoA-PO-5晶体的化学成分,结果表明,当Co2+离子进入AlPO4-5晶格中取代了Al3+离子,使晶体晶格带负电性,且由此导致Brφnsted酸位的产生。     

单向加载钼单晶中“裂纹稳态扩展”的研究

本文利用我们提出的X-射线衍射形貌法,对单向加载钼单晶的断口及其断裂过程进行的一系列观测,着重研究裂纹的稳态扩展。从而我们认为单向加载钼单晶断裂中並不存在一般的裂纹稳态扩展过程,而是形变晶体的失稳脆断。     

CoAPO-5沸石晶体的合成及表征

利用水热方法,生长出了不同掺Co2+摩尔比的AlPO4-5沸石晶体(CoAPO-5).X射线粉末衍射(XRD)和傅立叶红外吸收 (FTIR) 分析了晶体的结构,结果表明,Co2+离子的引入并没有显著改变AlPO4-5晶体的晶格结构;光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM) 观测了CoAPO-5晶体的光学质量和表观尺寸,结果显示,合成出的晶体形貌完整、透明,尺寸达到45 mμ×45 μm×300 μm;X射线荧光分析(XRF)测试了CoAPO-5晶体的化学成分,结果表明,当Co2+离子进入AlPO4-5晶格中取代了Al3+离子,使晶体晶格带负电性,且由此导致Brφnsted酸位的产生.     

垂直沉积法制备二氢化硅胶体晶体及其表征

利用垂直沉积法将单分散的二氧化硅胶体微球自组装生长为胶体晶体，并用扫描电子显微镜和紫外—可见光分光光度计对其显微形貌和光学特性进行了表征．结果表明二氧化硅微球有序堆积，自组装成胶体晶体，其结构为FCC密排结构，表面为FCC密排结构的(111)面；反射光谱还表明，所制备的胶体晶体的光子带隙位于可见光波段．与重力沉淀等其他自组装方法相比，垂直沉积法制备胶体晶体具有能够用胶体微球粒径和胶体溶液浓度精确控制样品厚度等优点．