金刚石晶体缺陷的同步辐射白光形貌术研究

利用同步辐射的荧光分析和白光形貌术对天然金刚石晶体进行了观察与分析。结果发现，金刚石晶体中存在有多种杂质元素和许多微缺陷，如位错、亚结构和孪晶界等。本文重点分析位错的类型及其特征量，并对实验结果进行了讨论。     

人工水晶缺陷的X射线形貌术研究

应用Ｘ射线Ｌａｎｇ形貌术术法对三批不同Ｑ值的Ｙ棒水晶进行了研究,观察到了沉淀物,生长条纹和位错等缺陷,从各种不同的衍射矢量证实了「１１２０」衍射为观察Ｚ区位错线的最佳衍射;测定了Ｙ俸水晶片Ｚ区的位错密度,并对晶片Ｑ值与位错密度ρ之间的关系进行了初步分析。     

HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究

利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。     

基于LBO晶体三倍频的激光实验系统的研究

首先简述了晶体的倍频理论,总结了适用于紫外倍频的非线性光学晶体的特性,提出了倍频晶体选择的理论依据,选用KTP晶体,调试出高效腔外倍频绿光激光器。选用LBO晶体,设计出一台紫外激光器,获得稳定的24.3mw的355nm紫外激光输出,转换效率为10.6%。     

LD泵浦Nd:YAG/LBO腔内倍频蓝光激光器的研究

以LBO作倍频晶体,腔内倍频Nd:YAG产生473 nm蓝光,得到最大平均输出功率为87.6 mW,斜效率为1.1%,倍频转换效率为1.2%的连续蓝光的输出。     

X射线形貌术概述

文章概略介绍了Ｘ射线形貌术以及其实验原理和方法,并对影响图象分辩率和质量的主要因素作了扼要分析。     

基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。     

X射线衍射仪精确测定点阵常数的研究

Ｘ射线衍射测定晶体点阵常数是基本的实验方法．用普通Ｘ射线衍射仪粉末法测定硅点阵常数，比较了不同测试方法和计算方法，以定点扫描三点抛物线法定峰、ｃｏｓ２θ外推法计算结果最佳．     

含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性

 为了研究含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性,引入复折射率的概念,并采用光学特征矩阵方法,分析了各缺陷模的峰值和带宽随消光系数以及杂质厚度的变化.分析结果表明:杂质的消光系数对各缺陷模的中心波长没有影响,随着消光系数的增加,各缺陷模峰值逐渐减小,而带宽逐渐增加,且各缺陷模峰值和带宽的增减速度不同;当消光系数不变,随着杂质层光学厚度的增加,缺陷模的峰值和带宽都随之减小.因此在设计相关光学器件时,应充分考虑杂质吸收对缺陷模特性的影响.     

LiAl（IO3）4晶体结构的研究

用新的化学方法获得多晶碘酸盐LiAI(IO_3)_4其晶体具有压电性。密度为4.60g/cm~3,颜色为白色,常压下分解温度是445±5℃。用X射线粉末法测定了LiAI(IO_3)_4的晶体结构和原子参数。发现LiAI(IO_3)_4与a-LiIO_3同晶型,属六方晶系。室温下的点阵常数分别为a=5.585×10~(-10)m,C=4.945×10~(-10)m,c/a=0.8854。     

利用FDTD计算三维光子晶体缺陷中电磁波的传输特点

采用时域有限差分方法,将麦氏方程转变为差分方程,并以三维光子晶体的点缺陷和面缺陷为例,分析了电磁波在缺陷中的传输特点。结果表明,缺陷球粒的大小,缺陷层的厚度,相对介电常数的大小均对电磁波的传输产生影响。     

含负折射率介质层的一维光子晶体缺陷模的特性

利用转移矩阵给出了在正常材料中加入双负介质结构的色散关系和缺陷模的本征频率方程.根据本征方程计算了当缺陷层的折射率和光学厚度改变时缺陷模频率的变化.     

碘化汞室温X射线探测器的研制

碘化汞室温Ｘ射线探测器的研制李正辉，邹联隆，曹瑞钦，李伟堂（材料科学系）自本世纪７０年代初Ｗｉｌｌｉｎｇ等首先用碘化汞（ＨｇＩ２）晶体制成室温半导体核辐射探测器［１］以来，该晶体在生长和应用等方面都取得了很大的进展［２～４］．由于ＨｇＩ２晶体有效原子...     

非线性光子晶体缺陷对单向透射特性研究

采用基于时域有限差分技术的数值模拟计算和时间耦合模理论,研究了引入Kerr非线性的光子晶体缺陷对的非对称透射特性,侧重于找到提高缺陷对的最大透射率及透射对比度的方法.结果表明,这种由2个不同尺寸但具有相同谐振频率的缺陷对组成的结构具有单向透射特性,理论分析也验证了数值模拟结果,并且适当错开两缺陷共振频率的位置,可以使缺陷对结构的最大透射率及透射对比度都有很大的提高.     

多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响

采用特征矩阵法计算了一层掺杂、双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的变化特征,得到了掺杂层数的变化对缺陷模的数目、峰高和半高宽都有明显的影响。一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模;双层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模,中心缺陷模的半高宽随掺杂层数的增加而减小。对称缺陷模的峰高和半高宽都随掺杂层数的增加而减小;对称缺陷模的位置随掺杂层数的增加而向中心缺陷模移动。     

不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究

利用正电子湮没寿命谱（PAT）和X光电子能谱（XPS）的测试手段，对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究，结果表明丰W样品增加晶体中铅空位（VPb）浓度（物质的量比）、而丰Pb样品则少晶体中VPb浓度。这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用。并结合发射谱的测试，提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3＋O^-。     

对电缆内部缺陷无损探伤的研究

用Ｘ射线透射原理来探测高压电力电缆内部缺陷，在国内是一种新的尝试，试验证明，这种探伤对电缆本体不存在任何破坏，属无损探伤，可以有效地发现电缆中的集中性缺陷，而以地分散性缺陷，尚不易判断，随着Ｘ射线对电缆不同材料不同厚度穿透率的掌握，以及实验技术的不断完善，这种无损伤解决范围将日益扩大，其在电力系统中将会有广阔的应用前景。