关于R.K.Guy的一个问题

设p为奇素数,(n/p)为通常的Legendre符号.若p≡1(mod4),容易证明区间T_1=[1,(p-1)/2]与区间T_2=[(p 1)/2,p-1]中二次剩余(modp)的个数是相同的.换言之,当p≡1(mod4)时modp的二次剩余的分布具有均匀性.若p≡3(mod4),问题变得复杂起来.以h(-p)表虚二次域Q((-p)~(1/2))的理想类数,我们有Dirichlet的类数公式     

实二次域关联的丢番图方程的解

设m为无平方因子有理正整数,c为整数,方程x~2-my~2=c (1)的整数解问题,与实二次域Q(m~(1/2))及分圓域Q(ζ_m)的实子域的类数密切相关,文献[1—7]均由研究此方程得出了有关类数结果,且对特别的m和较小的c值,得出了方程(1)可解的     

线性筛法的新上界

本文所用到的记号请参看文[1,2],主要结果为定理设y>z>3,(?)是有限个整数的集合且满足条件:V(z_1)/V(z_2)≤(logz_2/logz_1)·(1 O(1/logz_1)),2≤z_1相似文献   

E=mc~2的实验证明的精密度

从原子核反应能量和衰变能量求出來的氘核(D~2)和氦核(He~4)的靜止能量的差数(2D~2—He~4),和質譜仪直接测定的質量差的比較,为連結能量質量的E=mc~2关系提供了准确度最高的实驗証明。現在达到的相对准确度是1/6000。理論上,2D~2—He~4的靜止能量的差数可以由氘核和氘核碰撞而合成氦核时放出来的能量确定。但我們熟知,D~2+D~2反应放出重粒子。依照核反应的一般     

周期Sobolev类的2n-宽度

一、引言 设Q(x)是实系数多项式.称W_p(Q(D))-{f丨f~(i)(0)-f~(i)(2π),i-0,…,deg-1,f~(degQ-1)在[0,2π]上绝对连续,‖Q(D)f‖_p≤1}是由线性微分算子Q(D)所确定的周期Sobolev类,其中D-d/dx,degQ是Q的次数,p∈[1,∞],‖·‖_p是通常L_p[0,2π]-范数.我们分别用d_n(p,q)、d~n(p,q)、δ_n(p,q)和b_n(p,q)记W_p(Q(D))在L_q[0,2π]中     

一类Hopf曲面的模空间

在文献[1]中,Kodaira构造了S~1×(S~3/H)上复结构的模空间为平面上的空心单位圆盘D~*={z=∈C|0<|z|<1),这里H=<σ,τ>为σ,τ自由生成的群。ρ=exp(π/n (-1)~(1/2)),n≥2为固定整数。本文对一般型H构造了S~1×(S~3/H)上复结构的模空间仍为D~*。我们所用方法也不同于文献[1]中的方法。     

晶间湍型位错对多晶体硬化公式的推导

设想有一晶体,内部有均匀排列的晶间位错(其位错密度为D~(-(1/2)),D为位错间距)。已知单位面积的晶间能量为     

一类虚二次域类数的可除性

一、引言 设a,d,d′是正整数,d=a~2d′,d′无平方因子,h′(-d′)表示二次域Q((-d′)~(1/2))的类数。对此Cowles证明了:当a=1,d=4k~n-1,k>1,k、n均为正整数,(1)     

马尔可夫过程与场论

称Q=(q_(ij))为Q矩阵.若Q=(q_(ij))有限(即得q_i<∞,i∈E)则称满足(3)式的P(t)为Q过程.对于给定的Q矩阵Q=(q_(ij)),也有同样的问题(ⅰ)和(ⅱ).进而,对于有限的Q=     

Q过程的唯一性准则

定义1 设E为可列集。称定义在E×E上的矩阵Q=(q_(ij))为Q矩阵,如果它满足     

实二次域理想类群的子群的决定

从文献[1]中结果,可得出实二次域K=Q(m(1/m))的类群H(m)和类数h(m)的一系列结果。本文即其中的一部分。以下恒设m为无平方因子正有理整数,z_1,z,t∈Z,z_1为奇数,     

离散事件动态系统的周期配置

离散事件动态系统一般是复杂的非线性系统,但用极大代数方法可看作如下线性系统: X(k)=X(k—1)A+U(k)B, (1)其中A∈D~(n×n),B∈D~(m×n),X(k)∈D~(1×n),U(k)∈D~(1×m),D表示极大代数(RU{—∞},max,+),R为实数集,不失一般性,可设A     

齐次可列马尔可夫过程构造论

关于Q矩阵,保守的Q矩阵以及Q过程的定义见资料[2]。设E=(1,2,…),Q=q_(ij)(i,j∈E)是一保守的Q矩阵,若-q_(ij)>0(i∈E)则称Q=(q_(ij))为双保守的Q矩阵。本文的目的是对任给的一个双保守的Q矩阵,把全部Q过程构造出来。对于一     

关于随机集值映象的不动点定理

设(X,d)是一Polish空间,(Q,A,P)是完备概率空间。(?)x∈X,B(?)X,d(x,B)=inf{d(x,y):y∈B}。CB(X)(K(X))表X的全体非空有界闭(紧)子集,D表CB(X)上用d诱导的Hausdorff距离。我们说集值映象T:Q→CB(X)是A可测的,如果对于X的任意开子集B,     

关于丢番图方程x~4-pqy~2=1

关于丢番图方程x~4-Dy~2=1,D>0,且不是平方数,(1)有过许多工作,例如Nagell、Ljunggren、Cohn和作者,都分别得到过若干结果(见文献[1])。我们在文献[1]中证明了D(?)3(mod 8),且当x~2-Dy~2=1的基本解ε=x_0+y_0D~(1/2)满足2     

非晶态超导体的转变温度T_c、能隙2△~0和霍耳系数R_H

设E(N)是适合1≤n≤N,且不能表成 n=sum from j=1 to 4 (x_j~(j 1)) x_j为正整数 (1)的n的个数。1951年,Roth(Proc. London Math. Soc., 53(1951))证明了,对任意的正数8     

一阶非线性椭圆组的非线性Haseman边值问题

设D~ 为平面上有界N 1连通域,其边界Γ是N 1条约当闭曲线,Γ∈C_β~1(0<β<1),不妨设z=0∈D~ ,z=1∈Γ。记D~-=E\(?),E为全平面。又E_R为|z|≤R(R是足够大的正数),且记     

热发射电子的初能量分布与角度分布

在文献中关于热发射电子的能量分布的公式出现有两种个同的形式,例如 Recknagel、以及作者均采用p(E)=AEe~(-(E)/(kT))dE (1)但 Nottingham 及 Hutson 等则采用p(E)=A′E~(1/2)e~(-E/(kT))dE (2)其中 A,A′为常数;E 为电子的初能量;T 为热阴极的     

氧气退火对(In+Nb)共掺杂TiO_2陶瓷的介电性能的影响

以固相法制备的(In_(1/2)Nb_(1/2))_(0.05)Ti_(0.95)O_2陶瓷为研究对象,研究了氧气退火对晶体结构、显微组织以及介电性能等的影响,探讨了产生高介电常数的起源.结果表明氧气退火降低了(In_(1/2)Nb_(1/2))_(0.05)Ti_(0.95)O_2陶瓷的介电损耗.在介电温、频谱上观察到3种介电弛豫过程.采用普适弛豫定律,分析了局域化电子与缺陷团簇的偶极极化、极化子跳跃极化和界面极化对介电弛豫的贡献,提出了在(In+Nb)掺杂TiO_2的高介电陶瓷材料中极化子跳跃极化对高介电有贡献.     

关于函数类Ω_P~(r+1)[0,1]的宽度估计

§1.引言设l≥1,r=2l,t_1,…,t_l≥0,D=(d/dx),I为恒等算子,记Q_(r 1)(D)=D(D~2-f_j~2I),q_r(x)=(x~2-f_j~2),Ω_p~(r 1)[0,1]={f(x);f~(r)在[0,1]上绝对连续,且‖Q_(r 1)(D)f(·)‖p≤1,f~(2k-1)(0)=f~(2k-1)(1)=0,k=1,…,l},(1.1)于是,f∈Ω_p~(r 1)[0,1],当且仅当