铜氧化物高温超导体的比热容

 基于Nozieres Schmitt Rink的强耦合超导理论和推广的Luttinger理论,文中分别计算了低电子浓度和高电子浓度体系的电子比热容及线性比热系数,描绘出线性比热系数随温度的变化曲线。电子线性比热系数的计算结果表明,在Nozieres Schmitt Rink理论和推广的Luttinger理论框架下,铜氧化物高温超导体中产生赝隙。     

铜氧化物的晶体结构参量与超导电性

以ｄＡ（ＣｕＯ２面上Ｃｕ（Ｐ）和项角氧Ｏ（Ａ）键长）对Ｖｄ［沿Ｃｕ（Ｐ）－Ｏ（Ａ）键和沿Ｃｕ（Ｐ）－Ｏ（Ｐ）键方向一个空穴的平均Ｍａｄｅｌｕｎｇ位势差］做图，发现所有铜氧化物超导体的转变温度和结构参量存在一确定的变化规律，不同超导系统被明显地分离开来，Ｔｃ既随ｄＡ也随Ｖｄ的增大而增大．本文从晶体结构的角度分析了产生该现象的原因．     

高温超导体中的自旋玻璃态

近年来,随着高温超导材料的发展,特别是在铜氧化物高温超导材料方面的研究进展,使得自旋玻璃态逐渐成为科学家研究的一个方向。自旋玻璃是一种非晶态磁性材料,对它的研究具有极大的科学意义和不可估量的潜在应用价值,自旋玻璃的应用非常广泛,在绝大多数科研项目中都发挥了极其重要的作用,高温超导就是其应用之一。该文从自旋玻璃态的一系列现象出发,研究分析了最近几年来科学家们对自旋玻璃态的研究成果。     

铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应

简要介绍高温超导体的发展以及研究状况.实验显示,可用正电子湮没参数来表征元素掺杂对超导体的超导转变温度、结构缺陷和相变的影响.表明了正电子湮没技术是研究铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应的有效手段.     

掺铜锂锰氧化物的结构和循环稳定性

用熔盐法制备出掺铜的尖晶石锂锰氧化物LiCuxMn2 -xO4 (x =0 ,0 0 3,0 16 ) .研究合成掺杂样品的一些物理化学性质 .样品中锰的化合价分析结果表明 ,锰的平均化合价随样品中铜含量的增加而增加 .XRD结果表明 ,合成样品均属于立方晶系的尖晶石结构 .尖晶石型的锂锰氧化物掺入铜后晶胞常数 (a)减小 ,掺铜量x =0 ,0 0 3,0 16的锂锰氧化物尖晶石晶胞常数依次为 8 2 35× 10 - 10 m ,8 2 2 1× 10 - 10 m ,8 2 18× 10 - 10 m .恒电流充放电结果表明 ,随着掺铜量的增加 ,样品的初始容量降低 ,但循环稳定性增加 .掺铜量为x =0 ,0 0 3,0 16的锂锰氧化物初始容量分别为 97 9、 85 3、 71 1mA·h/g (0 5mA·cm- 2 ) ,但 5次循环后的容量损失依次为 34 5 %、13 1%、1 5 % .     

二氯二（2-吡啶-N-氧化物）二硒醚合铜配合物的合成及晶体结构

由(PySe)2和CuCl2·2H2O在溶剂CH2Cl2和乙醇中合成了化合物[Cu(PySe)2Cl2]((PySe)2=二(2-吡啶-N-氧化物)二硒醚,HPySe=2-硒吡啶-N-氧化物),并用单晶X射线衍射法测定了该化合物的晶体结构 (C 20H 16Cl2CuN4O4Se4).该配合物空间群为P2(1)/n,晶体学参数:a=1.649 6(2),b=0.987 2(6),c=1.687 0(2) nm,β=111.405(2)°,V=2.558(5) nm3,Z=4,Dc=2.147 g·cm -3,Mr=394.5,μ=6.790 mm -1,F(000)=1 580.最终结构偏离因子R=0.122 6,Rw=0.255 1;S=1.019.最终差值电子密度的最大值和最小值分别为1 804 nm -3和-1 852 nm -3.中心离子Cu(Ⅱ)的配位环境呈四方锥构型.     

高温氧化物超导体晶体结构研究

本文详细介绍了通过X射线衍射来研究超导体晶体的原理与方法,较为精确地计算了Bi系超导材料中80K和110K相的点阵参数及其晶体衍射峰的晶面间距和强度。理论计算与实验结果能很好符合,验证了Tarascon给出的晶体模型的正确性。     

铜氧化物的晶体结构参量与超导电性

以ｄＡ（ＣｕＯ２面上Ｃｕ（Ｐ）和顶角氧Ｏ（Ａ）键长）对△Ｖｄ（沿Ｃｕ（Ｐ）－Ｏ（Ａ）键和沿Ｃｕ（Ｐ）－Ｏ（Ｐ）健方向一个空穴的平均Ｍａｄｅｌｕｎｇ位势差）做图，发现所有铜氧化物超导体的转变温度和结构参量存在一确定的变化规律，不同超导系统被明显地分离开来，Ｔｃ既随ｄＡ也随△Ｖｄ的增大而增大，本文从晶体结构的角度分析了产生该现象的原因。     

含铜稀土复合氧化物的氧化活性

本文研究了不同配比电子型Ｎｄ－Ｃｅ－ＣＵ－Ｏ和空穴型Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ系列样品的ＣＯ氧化活性、晶体结构、程序升温氧脱附和导电性的特征．结果表明：超导体ＹＢａ２Ｃｕ１．５Ｏ７－ｘ和半导体Ｃｅ２ＣｕＯｘ具有良好ＣＯ氧化转化率．后者在１２０℃时，ＣＯ达到完全转化．ＸＲＤ证明它为２ＣｅＯ２和ＣｕＯ混合晶相．由于导电和催化反应机制完全不同，活性高低和样品导电性能间没有发现直接关联．讨论了含Ｃｅ、Ｃｕ样品的活性中心，认为ＣｅＯ２为吸附氧和供氧中心，而Ｃｕｎ＋为ＣＯ活化和氧化反应中心，而前者可能为控制步骤．两者紧密协同，使Ｃｕ２＋的氧化还原循环更容易进行．     

HAP的结构及物理性能

本文介绍了ＨＡＰ的晶体结构及其物理性能。     

Zn元素在高TC氧化物超导体中的作用

元素替代效应是研究高TC氧化物超导体的电子结构、晶体结构变化及宏观物性间相互关联、相互制约的重要途径,是获得高TC超导氧化物的重要手段。本文就高TC氧化物超导体中的Zn元素替代效应,尤其对Y系、Bi系高TC氧化物超导体的CuO2平面上Cu(2)位部分取代,导致TC被强烈抑制的机理进行了分析研究,讨论了从中给出的有关高温氧化物超导电性微观机制的信息。     

Cu、O同位素效应与高Tc超导体超导电性机理

Cu元素、O元素在铜氧化物高Tc超导体中对超导电性的产生,超导转变温度的变化,掺杂元素的特征效应具有决定性作用。对Cu元素、O元素的性质特征认识,成键特点,以及在铜氧化物高Tc超导体中的同位素效应清楚的理解,对全面揭示高Tc铜氧化物超导体超导电性机理具有关键作用。通过分析Cu元素、O元素在铜氧化物超导体中的同位素效应,得出了高Tc铜氧化物超导电性的机理仍是电声机制,CuO2平面上的Cu元素,O元素的声子直接参于电声子配对,CuO2平面上的Cu、O元素的键态的声子模对电声配对具有决定性作用。     

高T_c铜氧化物超导体的低密度载流子特征

用电负性均衡原理研究在高Tc铜氧化物超导体中由于元素中有化学键的形成,形成了低密度载流子浓度并对超导电性产生了强烈的影响;由于元素之间形成化学键,电子密度的分布在超导材料中的不均匀性,使得超导材料中形成宏观物理性质不同的板块结构。     

还原氧化石墨烯增强铜基复合材料的制备及性能研究

借助分子级混合法和均质机剥离共同作用,采用放电等离子体烧结技术(SPS)制备出还原氧化石墨烯/铜基复合材料。利用SEM、XRD、Roman、XPS和压缩测试对其微观组织结构及综合性能进行了研究。结果表明,适量的氧化石墨烯能够均匀分散在铜基中并显著提高复合材料的综合性能。复合材料的压缩屈服强度最高达到481 MPa,比纯铜相应值提升了约2.2倍,维氏硬度较纯铜相应值也提升了约0.7倍。     

铜纳米粒子的电化学制备及其氧化物的光电催化分解水性能

以五水硫酸铜(CuSO4·5H2O)为前驱体,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为包裹剂,在水溶液中采用电化学方法在氧化铟锡( ITO)表面制备得到了形貌和尺寸均一的铜纳米粒子,并研究了前躯体的浓度、包裹剂的种类和浓度以及电化学沉积电位对产物的形貌和生长密度的影响。将得到的产物经过热处理后,会在表面生成一层黑色的氧化铜,经过测试发现其对光电分解水制氢具有良好的催化作用。     

高温铜氧化物超导体能隙问题研究最新进展

高温铜氧化物超导体的超导机制是最近20多年凝聚态物理中的重大难题之一,而蕴含其中的高温超导体的能隙问题,特别是赝能隙的起源及其与超导能隙之间的关系,一直是凝聚态物理实验和理论研究的重要内容。我们从实验和理论两方面,概括综述了近年来针对高温铜氧化物超导体能隙问题研究的最新进展,对几种能够直接探测赝能隙和超导能隙特性的实验方法,如角分辨光电子能谱、扫描隧穿谱和电子拉曼光谱等主要实验结果进行了系统的梳理,同时介绍了与这些实验结果紧密联系的几种较为流行的理论模型及其结果。最后针对这些问题给出了简单的讨论,并展望了下一步的发展,期望对高温超导体物理性质的进一步理解和研究具有积极的帮助作用。     

超导在现代移动通信系统基站中的应用

在简要介绍现代移动通信系统的基础上．描述了在移动通信系统的基站中高温超导的一个应用事例——高温超导接收机前端。此项应用可以明显提高基站的灵敏度并增强其选择性。