光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）

该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1)mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压(I-V),电容-电压(C-V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的.实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符.     

互嵌式壳型电极探测器的三维电学性能仿真

提出了一种基于闭合式壳型电极探测器(closed shell-electrode detector,CSED)的互嵌式壳型电极探测器(interleaved shell-electrode detector,ISED,中国专利#zl201721077852.6),通过减少死区来提高电荷收集效率.该文对ISED的新设计理念进行了详细的讨论.利用Silvaco TCAD工具对ISED的电学特性进行了三维模拟,包括电势分布和电场分布.在可形成有效阵列的"组合单元"中,ISED由嵌套的壳型电极引入的死区是CSED中的一半.ISED单元中交错壳型电极引入的对电性能的干扰是最小的,并且低电场区保持在方形单元内的两个对角上.该文还对探测器的全耗尽电压、电容、击穿电压、I-V和C-V特性进行了模拟,并给出了结果 .     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作

该文描述了碲化镉（CdTe）探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压（I V）,电容 电压（C V）、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符     

图像型火灾探测系统设计

当一个大空间建筑物或者户外环境发生火灾时,传统的火灾探测器不能有效发挥其功能,导致探测失败。而本文从硬件和软件两方面设计的基于DSP技术的图像型火灾探测器,可以有效解决上述问题。硬件采用的是TI公司的TMS320DM642作为核心芯片。软件方面是用C语言对火灾图像进行预处理、优化、特征提取和火灾识别等。     

FPGA在图像型火灾探测器中的应用

随着工业的不断发展,对火灾探测的要求也越来越高。在工业危险场所,火灾发生后传播速度快,破坏力强,容易造成巨大的经济损失和人员伤亡。所以在此类场所中,火灾探测器必须更准确、更快速、更稳定。因此,更智能的图像型火灾探测器进入了人们的视野。基于此,提出一种以FPGA为硬件系统的图像型火灾探测器方案,其利用FPGA系统小型化、低功耗、高速度、高稳定性等特点,来满足图像型火灾探测器在石油化工等高危场所中的应用。     

一种新型低电容像素探测器的设计与模拟

该文提出了一种新型的低电容硅像素探测器,其目的就是降低电子噪声.该探测器是一种新的电极几何结构,有效电极面积减小,结构新颖,同时保持敏感部分体积不变.利用三维软件Silvaco TCAD对探测器的各种特性进行了详细的模拟,这些特性包括电场、电势、全耗尽电压和电容.通过这些设计、模拟和计算,与传统探测器比较,得出了新的结论 .     

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.     

空中侦察系统中红外小目标的被动测距

针对光电对抗系统在红外小目标被动测距中的不足,提出了一种基于目标距离比和方向信息的被动测距算法. 建立了三维空间中的目标和探测器运动模型,通过数学分析构建估计红外小目标距离的一元二次方程,其参数由相邻采样时刻目标到探测器的距离比、探测器自身空间坐标、目标对探测器的方位角及高低角决定. 通过仿真实验和加噪分析验证了该方法的有效性. 文中所提方法表达简单,可避免分母接近于零的情况,适用于机载或弹载双波段红外探测器对小目标的距离估计.     

半导体辐射探测器（英文）

在探测器领域,半导体材料的重要性有三个:(i)可以充分利用辐射的贯穿性;(ii)能检测辐射对生物的有害性;(iii)是我们周围信息的有效载体.目前有以下几种探测器:(1)粒子计数探测器;(2)粒子能量探测器;(3)粒子与物质作用时间探测器;(4)粒子单位体积单位时间能量探测器.有多种被探测的电离粒子和能量范围,因为不同的粒子与探测器物质的相互作用不同所以需要不同的探测器.该文综述了不同的探测器种类(包括不同的材料和结构),它们的应用和面临的挑战.     

超低温下运行的硅探测器（英文）

由于升级版强子对撞机中的最大粒子能量和亮度的增加,我们需要得到在对撞机磁环附近辐射场更精确的分布,因此我们必须把探测器放在磁环的附近以减小碎片对粒子束的影响.欧洲核子中心(CERN-BE-BI-BL,RD39)和俄罗斯Ioffe研究所7年前把硅探测器作为一种选择对其开展了研究工作.由俄罗斯Ioffe研究所制作的探测器在1.9K和4.3K温度下对能量为23GeV的质子实时辐射检测中,得到了探测器的特征并由此发现了新的物理现象.     

In0.53Ga0.47As红外探测器结构设计与器件性能研究

采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长InGaAs红外探测器器件结构.器件结构为:在掺杂的InP衬底上生长2.8μm的In0.53Ga0.47As吸收层,然后再生长0.8 μm的InP覆盖层.采用Zn扩散技术得到P型,从而制备出平面型p-i-n探测器器件,并对128×2线列器件的性能进行研究,测量线列探测器的I-V曲线、光谱响应曲线.所制作的128×2 In0.53Ga0.47As线列器件无盲元.线列器件的平均峰值探测率D*为3.98×1011cmHz1/2W-1.     

基于PIN硅像素探测器的新型低电容结构设计与仿真

设计的新型低电容硅像素探测器是基于减少有效几何电极面积,同时保持探测器有效体积不变的思想提出的.借助半导体器件仿真软件(Sentaurus TCAD)对探测器的电特性,包括静电势、电场、电子浓度和电容进行了仿真,并与传统硅像素探测器对比,从而得到新型硅像素探测器比传统硅像素探测器电容小的结论 .     

一种可靠的看门狗电路

介绍一种实用的硬件复位电路,其成本低、性能可靠,且具有故障复位和上电复位作用.     

用简单旋转装置实现三维相机多视角数据采集

提出一种用简单旋转装置实现单视角三维相机对物体进行多视角表面数据采集的方法.论述了基于这一方法的多视角三维相机的构造,旋转装置参数的标定,以及不同视角采集的物体表面三维数据直接通过相应的空间坐标变换关系对齐复位的方法;推导了关于旋转角度的空间坐标变换函数,分析了由旋转装置引入的多视角数据对齐复位的误差,最后给出了实例并进行了讨论.本方法构成的多视角三维相机将具有系统简单,采集过程无需附加操作和特殊要求,可确定的对齐复位精度以及全自动化的快速采集复位过程等特点.     

用简单旋转装置实现三维相机多视角数据采集

提出一种用简单旋转装置实现单视角三维相机对物体进行多视角表面数据采集的方法.论述了基于这一方法的多视角三维相机的构造,旋转装置参数的标定,以及不同视角采集的物体表面三维数据直接通过相应的空间坐标变换关系对齐复位的方法;推导了关于旋转角度的空间坐标变换函数,分析了由旋转装置引入的多视角数据对齐复位的误差,最后给出了实例并进行了讨论.本方法构成的多视角三维相机将具有系统简单,采集过程无需附加操作和特殊要求,可确定的对齐复位精度以及全自动化的快速采集复位过程等特点.     

一种全集成通道级双输出低压差稳压器设计

像素型传感器的读出通道数随像素面阵增加,当芯片面积较大时,片上电源线和地线上的寄生参数将不能忽视.这些寄生参数使得通道间串扰更为严重,甚至引入读出电路的反馈回路中,从而造成电路振荡,无法正常工作.为了解决该难题,提出了一种可全集成在一个通道内的双输出低压差稳压器.这样每个通道之间的电源相互隔离,可以减少串扰,也可避免走线寄生对读出电路造成影响.该稳压器可以分别输出模拟电路电源和数字电路电源,避免数字电路对模拟电路的干扰.为了减小芯片面积,稳压器的两路输出复用了部分电路.所提出的电路采用0.25μm 2P5M商用标准CMOS工艺实现.芯片面积为480μm×153μm.消耗的静态电流为25μA.最大负载电流分别约为4.4mA和3mA.     

一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC

介绍一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC.该电路的核心由采用rail-to-rail输入的比较器和R-2R网络结构的DAC组成.针对可测性设计的要求,电路结构简单紧凑,功耗低,芯片面积小.同时也提出,基于该ADC的一种适合于蓝牙射频电路的测试方法,通过该方法可以较好地对蓝牙射频电路的功能和性能进行监控和测试.芯片采用TSMC的0.35μm标准CMOS工艺制造,面积仅为0.15mm2.测试结果显示,在3.3V工作电压下,分辨率可达7位,且在高频工作环境下表现出很好的抗干扰特性.     

对三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与模拟

该文研究了漏电流对三维沟槽电极硅探测器性能的影响.由扩散电流、产生电流和表面漏电流三部分电流构成的探测器漏电流在不同情况下受各种电流影响不同.漏电流是影响探测器性能的一个重要因素,在探测器的制造过程中,或者受到辐照以后,会在探测器中形成一系列缺陷,特别是在探测器受到辐照以后,由于深能级缺陷引起的漏电流会显著增加.由仿真可以看出,随着在负极(沟槽壁)上加的电压逐渐增大,漏电流会显著增大,直到漏电流达到饱和.在仿真中主要考虑的是产生电流的影响,其大小主要由耗尽区域的体积决定.     

半导体辐射探测器

在探测器领域,半导体材料的重要性有三个：(i) 可以充分利用辐射的贯穿性;(ii) 能检测辐射对生物的有害性;(iii) 是我们周围信息的有效载体目前有以下几种探测器：（1） 粒子计数探测器;（2） 粒子能量探测器;（3） 粒子与物质作用时间探测器;（4） 粒子单位体积单位时间能量探测器有多种被探测的电离粒子和能量范围,因为不同的粒子与探测器物质的相互作用不同所以需要不同的探测器该文综述了不同的探测器种类（包括不同的材料和结构）,它们的应用和面临的挑战     

超低温下运行的硅探测器

由于升级版强子对撞机中的最大粒子能量和亮度的增加,我们需要得到在对撞机磁环附近辐射场更精确的分布,因此我们必须把探测器放在磁环的附近以减小碎片对粒子束的影响欧洲核子中心（CERN BE BI BL,RD39）和俄罗斯Ioffe研究所7年前把硅探测器作为一种选择对其开展了研究工作由俄罗斯Ioffe研究所制作的探测器在1.9 K和4.3 K温度下对能量为23 GeV的质子实时辐射检测中,得到了探测器的特征并由此发现了新的物理现象