NiO电致变色薄膜的电化学制备和性能

以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂、NiCl2为主盐、LiClO4为支持电解质、FTO导电玻璃为基体.采用恒电位电沉积的方法制备了电致变色性能良好的NiO薄膜.实验过程中对溶剂脱水方法、电沉积电压等实验条件进行了研究.探索在此体系中电沉积的最佳条件,制备出电致变色性能和附着性良好的NiO薄膜;通过×射线衍射仪、扫描电镜、高分辨透射电镜和能谱仪等仪器.对膜的成分、结构和厚度进行了分析;采用紫外可见分光光度计,对膜的透光性能进行了表征;通过循环伏安法和双电位阶跃法,对膜的电化学稳定性和响应时间进行研究.     

脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展

NiO作为一种优良的半导体材料,在传感器、催化剂、电致变色器件等领域都有着广泛的应用,纳米NiO又是很有前途的锂离子电池电极材料。脉冲激光沉积作为一种制备高质量NiO薄膜的可行方法。本文综述了脉冲激光沉积制备NiO薄膜的研究进展,包括多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。     

氧化镍薄膜的制备及其磁性研究

采用电化学的方法制备了阳极氧化铝(PAA)薄膜,利用直流反应磁控溅射方法,以有序多孔PAA作为衬底,成功制备了有序多孔氧化镍(NiO)薄膜,并对其进行了结构和物性表征.磁性测试发现,有序多孔NiO薄膜具有明显的室温铁磁性,而且垂直于膜面方向的饱和磁化强度要远大于平行于膜面的方向.将薄膜在氩气环境中热退火处理,对有序多孔NiO薄膜退火处理前后的磁滞回线(M-H)测试分析发现,氩气环境中热退火处理后样品的室温铁磁性明显增大.在相同条件下,制备了致密NiO薄膜,通过与多孔NiO薄膜进行磁性比较,并结合光致发光(PL)光谱的分析结果发现,热退火处理后样品的室温铁磁性增大与材料的多孔结构以及氧空位有关.     

基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性

用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。     

Zn1–xCaxO薄膜的结构和光学性质研究

采用磁控溅射法在玻璃基片上制备了Zn1-xCaxO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和荧光光谱仪研究了Ca掺杂量对Zn1-xCaxO薄膜结构和光致发光特性的影响.结果显示:Zn1-xCaxO薄膜属于纤锌矿多晶结构;随着Ca含掺杂量的增加,薄膜衍射峰半高宽变大,薄膜质量变差;光致发光谱显示,随着Ca掺杂量的增加,紫外发光谱峰发生了蓝移.     

离子液体-有机液体混合体系中制备NiO电致变色薄膜的结构和性能

采用电化学沉积方法在NiCl_2、离子液体和有机液体(DMF)混合体系中制备出结构和性能优异的NiO电致变色薄膜。采用SEM、XRD、紫外-可见分光光度仪、电化学工作站对薄膜的形貌、物相、光学及电化学等方面进行了研究。通过对沉积电位和时间的控制,实现了对薄膜厚度和微结构的控制。结果表明,在室温下,在沉积电位为3.0 V,沉积时间30 s的条件下,所得到的NiO薄膜具有最佳光学性能,其消/着色态透光率差值达到52.7%。在沉积电位3.9 V,沉积时间20 s条件下,薄膜具有最快的响应时间(t_b/t_c=0.32 s/0.30 s)。     

射频磁控溅射法制备CdTe薄膜及其性质的研究

为了制备高效率的CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池,本文采用射频磁控溅射技术在不同温度玻璃衬底上制备了CdTe多晶薄膜. 利用X射线衍射仪其微结构;用紫外分光光度计测量薄膜的透过谱,计算出了能隙Eg;利用原子力显微镜表征其微观形貌. 结果显示在常温时沉积的薄膜晶面取向性好,为立方闪锌矿型结构,有较低的透过率. 以上结果表明,用射频磁控溅射技术更适于制备CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池中的CdTe薄膜.     

基片温度和氧气流量对磁控溅射制备ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射技术在BK-7基片上沉积掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜.研究不同基片温度和氧气流量对薄膜的结构、电学和光学性质的影响,分析光电学性质改变的机理.结果表明,随着氧气流量的增加,载流子浓度(N)不断下降,电阻率(ρ)不断增大,但迁移率(μ)先增大后减小,在氧气流量为0.5 cm3/min(1Pa)时有最大值.随着基片温度的上升,N逐渐增加,ρ不断降低,而μ则先增加后减小,在基片温度为200 ℃时为极大值.所有样品在可见光区的平均光学透过率都大于80%,薄膜的折射率和消光系数从拟合透射光谱数据获得;在1 500 nm光学波长处,折射率随载流子浓度的增加而减小,较好符合线性关系;消光系数随载流子浓度的增大而增加,不符合线性关系.     

PbTiO3薄膜的非线性光学性质研究

用射频磁控溅射系统在α-Al2O3衬底上制备了具有钙钛矿结构的PbTiO3薄膜. 用光学透射测量方法得到了该薄膜材料的基本光学常数(带隙、线性折射率、线性吸收系数). 利用Z-扫描技术确定的非线性折射系数n2的符号及大小为-2.8×10-7esu,双光子吸收系数为51.8cm/GW.这些结果表明PbTiO3铁电薄膜在非线性光学上具有潜在的应用前景.     

沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究

采用射频磁控溅射法,以高纯Al（99．999％）为靶材,高纯N2为反应气体,在硅及金刚石上制备了氮化铝（AIN）薄膜．研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对A1N膜沉积的影响规律．结果表明,随着氮气比例的增大A1N（002）取向明显增强．溅射气压低有利于以AIN（002）面择优取向．     

聚一氟对二甲苯的合成及膜性能研究

以二氟[2.2]对环番为原料,通过真空化学气相沉积合成了一种高分子聚合物薄膜,并对该高分子薄膜材料的一些性能进行了探讨     

铁电薄膜的介电性质

基于平均场近似的软模理论,研究了含有表面过渡层的铁电薄膜介电函数的实部ε'和虚部ε″的随温度变化的动态特性。实验结果表明,随着温度的升高ε'和ε″分别出现两个峰和一个峰。当表面过渡层的作用增大时,薄膜的平均介电常数实部和虚部的峰变宽,峰值降低而且峰位向低温区移动。     

双层铁电薄膜性质的研究

利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究突变型和缓变型二级相变双层铁电薄膜界面对铁电薄膜性质的影响.     

溅射NiOx电致变色薄膜器件电化学特性测试

介绍了一个以单片计算机和ＰＣ机组成的电致变色器件电化学特性测试系统．采用直流溅射的方法制备了Ｎｉ（ＯＨ）２薄膜，并且进行了循环伏安特性、注入薄膜中电荷总量和时间的关系、光密度变化和注入电荷总量的关系及驱动电流和时间的关系测试．发现随着注入电荷量的增加，开始光透过率的变化呈线性变化，当注入电荷量较大时出现饱和趋势．所测试的结果与传统用分离设备测试的结果是一致的     

梯度铁电薄膜性质研究

以二级相变铁电材料为例,利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究不均匀结构对梯度铁电薄膜性质的影响.结果表明:退极化场对于两层薄膜中间的极化影响较小,而在薄膜的两端处影响最大;梯度铁电薄膜的平均极化随膜厚按线性规律变化;在接近相变温度时,自发极化消失,梯度铁电薄膜的这一现象与铁电材料的性质相同.在外场不等于零的情况下,得到的梯度铁电薄膜的电滞回线中心对称.     

薄膜工艺中的系统仿真研究

简要介绍了系统仿真的概念,结合利用软件FLUENT对簿膜工艺喷雾气流场进行流人本力学仿真的实例,介绍了建模、仿真的步骤.给出了详细的数学建模和几何建模的方法,最后给出了利用模型进行仿真的结果,并对仿真结果进行了分析.结果表明,系统仿真技术可以大大提高设计效率,降低设计成本,加深对工艺过程的理解,不失为一种新的研究方法.     

复合热释电薄膜红外探测器的制备和性能测试

为解决热释电薄膜红外探测器中的热损失问题,引入了复合热释电薄膜的概念．它利用多孔二氧化硅具有的低热导率特点,有效地减少了热量从热释电层向衬底的热扩散．利用溶胶-凝胶和金属有机物热分解等工艺制备的复合热释电薄膜红外探测器,在温度为420K、频率为10Hz时,电压响应率约为1400V／W,探测器的星探测率D     

BaTiO3薄膜陶瓷的制备与性能测试

本文介绍了薄膜PTC陶瓷样品的真空物理淀积方法,并对样品作了分析测试,其导电类型为半导体导电,遵守指数规律,样品电阻率具有典型的温度系数特征,响应速度快,对湿度敏感,性能稳定可靠,具有一定的开发意义。     

四元系锂玻璃快离子导体的电学性质及其薄膜的表面性质

研究了锂卤钨磷酸盐玻璃态快离子导体的阻抗及介电常数等参量随温度、频率的变化规律,并用阻抗谱法、DTA对样品进行了分析。结果表明:当温度高于160℃时,样品电导率随温度的变化,满足Arrheius方程;高温情况下电导率随频率的增加而增加,达到一定程度后基本不变;温度较低时,低频下的电导率基本保持不变。介电常数随温度的变化,在150～200℃间变化不大,尔后增加并达极大值后减小;介电常数随频率减小而增大。此外,用AES、XPS、XRD、WF-metre对其薄膜的表面成分、价态、结构进行了研究,得悉薄膜的表面成分接近体的成分,玻璃体系的骨架是由(PO_4)和[WO_4]基团连接而成。文中还揭示了离子迁移机理和微观结构间的关系。