激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响

利用有效质量近似和变分原理,研究了激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中基态施主束缚能的影响.结果显示,基态施主束缚能随着激光场的增强而减小,尤其是对于量子阱中心处的杂质,激光场的影响更明显.而且激光场对窄阱中杂质的施主束缚能有明显的影响.基态施主束缚能随着温度的增加而减小,随着Al含量的增加而增加,随着量子阱宽的增大而减小.并且随着阱宽的进一步增大,束缚能减小的趋势变慢.     

土霉素杂质吸收度工艺的研究

中国、英国等药典都对土霉素杂质吸收度制定λ４９０ｎｍ≯０．２标准规定,而全国绝大多数厂家都达不到该项标准。本项研究通过对土霉素提炼工艺中酸化,脱色及碱化等工序的调整１技改,使其λ４９０ｎｍ朋０．３５－０．５５下降至０．１０－０．１８。     

超声强化单宁锗中杂质铁去除研究

针对现行洗涤除杂工序问题,提出一种超声波强化单宁锗中杂质铁去除的新方法。在分析单宁锗中铁赋存状态及反应温度、液固比、硫酸质量浓度及超声功率等单因素影响的基础上,考察超声强化杂质铁去除的机制。研究结果表明：单宁锗中杂质铁的赋存形式复杂,包括Fe₂(SO₄)₃、Fe(OH)₃、Fe SO₄、单宁-Fe(Ⅲ)络合物等,需要超声酸洗去除。当超声功率为225 W、硫酸质量浓度为20 g/L、液固比为7:1 m L/g、反应温度为40℃和反应时间为30 min时,铁的去除率达到85.95%,比常规条件的去除率增加9.8%左右。单宁锗中杂质铁的去除受内扩散步骤控制,超声作用能够增加杂质铁与硫酸的接触,降低反应的扩散阻力,使铁去除表观活化能由常规条件下的17.190 k J/mol减小至13.856 k J/mol,从而提高杂质铁的去除效率。     

含稀土纳米材料微波吸收特性的研究

在9.3GHz频率点对稀土复合氧化物与以稀土复合氧化物为基掺杂铁粉得到的吸波材料的吸波性能进行了比较,并研究了材料粒度对吸波性能的影响。结果表明：纳米稀土复合氧化物具有优异的吸波性能,是一种有发展前景的微波吸收剂。     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。     

硒化物半导体纳米材料光学吸收谱的温度特征

目的研究半导体纳米薄膜材料的光学吸收谱由于温度效应产生的吸收边变化和能带移动。方法采用共沉淀法制备了硒化物半导体纳米薄膜材料CdSe,并测量材料在室温至低温下的紫外-可见吸收光谱,观察不同温度下谱带吸收边的变化。结果实验发现光学吸收边随温度降低而发生蓝移的情况,将(αhν)2～hν曲线直线部分外推,与横轴的截距即为材料带隙宽度Eg,数据模拟结果显示Eg随温度变化是非线性的,且能带随温度的变化较好地符合Fernandez公式。结论进而分析造成吸收谱温度效应的原因是温度变化对晶格参数及电子-声子相互作用的影响,引起能带边缘的相对移动,导致吸收边能量位置的漂移,并从理论公式上表达了带隙变化随温度的依赖关系。     

高纯稀土化合物中九种痕量非稀土杂质的无焰原子吸收测定

本文建立了高纯氧化钇、氧化、氧化钕、氧化钐和氧化钆等样品中铅、铜、锰、钴、镍、铁、钒、铬和镉等９种痕量元素的石墨炉原子吸收测定方法,研究了基本改进剂在提高灰化温度克服灰化损失和消除基体背景吸收干扰等方面的作用,分析方法简单准确。     

超声化学在合成纳米材料中的应用

随着纳米科技的飞速发展,合成纳米材料的新方法层出不穷。在这些新方法当中,超声化学方法近年来引起了越来越多的关注。本文中介绍了超声化学法制备纳米材料的原理,并详细介绍了超声化学法在控制合成纳米材料形态方面的应用。     

半导体量子阱中施主杂质态研究

半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d，本文用打靶法求解薛定谔方程，研究施主杂质的能谱随d的变化，发现具有相同角动量的能态具有相似的变化规律。     

单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响

利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题.采用London模型,用变分法计算浅杂质态的结合能,研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响.对G aN,A lN和InN三种材料进行数值计算,给出了结合能随异性角(总动量与主轴之间的夹角)的变化关系,结果表明结构异性对结合能的影响显著.     

基于小波变换的激光超声信号处理

 采用Laser-PVDF实验系统对纳米AlP/SiO₂中激光超声信号进行采集.利用小波的多尺度分解、重构和消噪功能,提取出直达波及其反射回波,测量了时间间隔和纳米AlP/SiO₂的纵波声速.结果证明小波变换的方法能有效地处理复杂激光超声信号.     

基因重组药物蛋白类杂质检测及质量控制

生物技术药物中蛋白类杂质是最普通、最复杂也是最具潜在危害性的杂质,去除生物药品中所有蛋白杂质也是不可能的.为增加产品安全性必须加强对生物制品中蛋白类杂质的质量控制.目前对生物技术药物蛋白类杂质检测及质量控制方法包括：免疫学分析、凝胶电泳、等电聚焦电泳、二维电泳及质谱技术、毛细管电泳、高效液相色谱等.将生物药品中相关蛋白类杂质控制在合理范围内,既可增加用药安全性,又能增强药物生物学活性,是该类药品成功应用于临床的必然要求.     

头孢地尼中杂质来源分析与合成

为了完善头孢地尼原料药的质量控制,建立其质量标准,从头孢地尼的合成路线入手,分析并合成其中可能存在的5种杂质：噻唑乙酰基甘氨酸肟、杂质O、杂质D、杂质G和杂质S,并经核磁共振氢谱和质谱确认。纯度经高效液相色谱法测定均达到了99%以上,可作为头孢地尼药物质量控制的杂质对照品,为头孢地尼产业化开发及质量控制提供依据。     

甾体药物安宫黄体酮中杂质的分离和鉴定

应用柱色谱方法对安宫黄体酮多次重结晶母液中所含的杂质进行了分离和纯化,并应用NMR和MS等波谱方法确定了5个孕甾烷型杂质的结构:17α-氧乙酰基-6α.甲基孕甾一3,20-二酮、17α-氧乙酰基孕甾4-烯-3,20-二酮、17α-氧乙酰基孕甾4-烯.20-酮、17α-氧乙酰基-6β羟基-6α-甲基孕甾4-烯-3,20-二酮、17α-氧乙酰基-6α-羟基-6β-甲基孕甾4-烯-3,20-二酮.为安宫黄体酮的质量控制及代谢研究提供了依据.     

椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率

在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质有强烈的影响.     

ICP-OES法同时测定RbCl产品中的14种杂质元素

研究了ICP-OES法测定RbCl产品中14种杂质元素的检测方法,确定了分析谱线、仪器的工作条件,分析了基体干扰和电离干扰的共同作用,确定以基体匹配做方法校正.该方法加标回收率为92％～107.1％,产品中杂质质量分数大于0.01％时,RSD≤5％;杂质质量分数在0.001％～0.01％时,RSD≤10％,准确度和精密度良好.     

用乙炔吸收方法实现光纤光栅外腔式半导体激光器稳频的研究

设计了用乙炔吸收方法稳频1.53μm光纤光栅外腔式半导体激光器的系统结构并简述了基本原理.系统中的吸收气室选用渐变折射率和带尾纤的光纤,提高了耦合的稳定性.采用三次谐波锁定技术,消除了背景功率的影响.利用锁定放大器闭环控制布拉格波长,将激光器的输出波长锁定在乙炔气体1530.37nm的吸收峰上,24h内频率稳定度达10-8.     

镁钙耐火材料对IF钢杂质的影响

主要研究镁钙耐火材料对IF钢杂质元素的影响，利用直读光谱仪及扫描电镜能谱分析等手段，分析反应后钢样中杂质元素的变化及耐火材料成分的改变，并采用热力学计算进行反应过程的理论分析。研究结果表明，镁钙耐火材料不污染钢液，且材料中的CaO能与IF钢样中的S、Al、S等发生化学反应，起到净化钢液的作用，是冶炼纯净钢的首选耐火材料。     

超声散射场自相关函数纵向特性

对粗糙界面反射超声散射场的纵向自相关函数进行了理论分析和实验研究．理论分析表明，由于超声散射场纵向自相关长度取决于界面散射声场的时间相干性，因而它最终取决于入射界面上的超声脉冲的时宽和声速．对此结论进行了实验验证，结果显示，理论分析和实验结果有很好的一致性．