亚临界直流锅炉用鳍片管的传热特性试验

本文报导了我国30万瓩和60万瓩机组的亚临界直流锅炉所采用的内螺纹管在传热特性试验台上的试验结果。试验条件为:压力:175～200绝对大气压,重量流速:470～2000公斤/米~2·秒,热负荷:(300～465)×10~3仟卡/米~2·时。同时还报道了鳍片光管在压力为185绝对大气压条件下的传热特性作为对比。通过对试验结果的分析比较,可以得出以下结论:在实际燃烧室工作可能遇到的蒸汽干度大于0.3,外壁热负荷大于300×10~3仟卡/米~2·时的条件下,采用鳍片光管是不能保证安全的;而采用内螺纹管则可将出现传热恶化的蒸汽干度从光管的0.3推迟到0.75～0.8,使燃烧室高热负荷区不发生传热恶化而保证锅炉工作的安全。     

二异丁烯低压水合羰化制3.5.5—三甲基已酸(第一报)

本文试制了Rhcl(φ_3P)_3为催化剂前身,三苯氧膦为稳定剂,HI为引发剂的三种成分的络合催化剂,用于二异丁烯低压水合羰化制3.5.5.—三甲基已酸的反应。在185℃、40kg/cm~2(CO)压力下,二异丁烯36.6毫升(0.249克分子),Rhcl(φ_3P)_30.462克(5×10~(-4)克分子),三苯基膦0.65克(2.5×10~9-3)克分子),HI9毫升(0.05克分子),H_2O_2(30%)10毫升,水6毫升,于钛钢高压釜中反应十小时,二异丁烯获得72.7%的转化,总酸收率为59.1%,对酸的选择性达81.2%,正构/异构=1.64。考察了Rhcl(φ_3P)_3·Rncl_3·3H_2O、Pdcl_2·2H_20三种催化剂对反应性能的影响。     

一维纳米SnO2/TiO2复合薄膜电极的制备及光电性能

采用静电纺丝的方法,通过调节前驱体液中SnCl₂·2H₂O的质量分数,制备了直径为90~180nm的SnO₂纳米线,经TiCl₄溶液水解处理制备得到了SnO₂/TiO₂薄膜电极。使用SEM和EDS对薄膜电极进行表征,通过线性扫描伏安法和光电催化测试,分析研究了SnO₂/TiO₂ 纳米复合薄膜电极的光电化学性质。结果表明,当SnCl₂·2H₂O质量分数为3%时,SnO₂/TiO₂ 复合薄膜电极的光电流密度达到最大;随后将其与TiO₂、SnO₂薄膜电极相比,SnO₂/TiO₂ 复合薄膜电极产生的光电流明显增大;复合薄膜电极对罗丹明B（RhB）的光电催化降解率在90min后可达到95%,而TiO₂仅为56%、SnO₂为58%。     

多面球填料的流体力学和传质性能

在直径为600毫米的不锈钢制填料塔中,对φ50毫米的聚丙烯多面球填料进行了流体力学和传质性能的测定。流体力学试验是用空气水系统进行的,实验范围为:空塔气速0.5～4米/秒;喷淋密度0～90米~3/米~2·小时。传质试验是用水吸收空气中的氨,实验范围为:空塔气速0.5～1.5米/秒;喷淋密度5.6～70米~3/米~2·小时;进口气体中氨含量为0.5%(体积)左右。为了鉴定这种填料的性能,在同一设备中于相同的操作条件下测定了φ50毫米的井字筋鲍尔环的数据以资比较。实验结果表明:所测试的这种多面球填料的流体阻力比鲍尔环平均约大一倍左右,但是它的传质性能较鲍尔环优良,其气相体积传质系数约比鲍尔环大13%～50%。如能设法在保持现有传质性能的基础上使阻力降低,则多面球填料是一种性能良好的填料。     

新型苝酰亚胺传感器的构建及其对水合肼的电化学检测

为建立一种高灵敏度、高选择性的水合肼检测方法,采用电沉积方法在FTO基底上制备3,4,9,10-苝四酰二亚胺(PTCDI)薄膜,用XRD,FT-IR,UV-vis, SEM等仪器对其进行表征,并采用电化学工作站测量该薄膜对水合肼的传感性能。结果表明,水合肼浓度1～150μmol/L范围内灵敏度为0.153μA·μmol^-1·L·cm^-2,在150～1 000μmol/L浓度范围内灵敏度为0.212μA·μmol^-1·L·cm^-2,检出限为161.9 nmol/L,该薄膜对水合肼具有良好的电化学传感性能。     

射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响

ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学性能与各溅射参数之间的关系。当溅射功率大于40 W时,制备的ITO∶W薄膜为方铁锰矿结构的多晶薄膜,此时薄膜表面光滑平整而且具有良好的结晶性。在基板温度320℃、溅射功率80 W、溅射时间15 min、工作气压0.6 Pa条件下得到了光学和电学性能优良的ITO∶W薄膜,其方块电阻为10.5Ω/、电阻率为4.41×10^-4Ω·cm,对应的载流子浓度为2.23×10²⁰ cm^-3、迁移率为27.3 cm²·V^-1·s^-1、可见光(400～700 nm)范围内平均透射率为90.97%。此外,本研究还发现通过调节基板温度影响氧元素的状态可以改变ITO∶W薄膜的电学性能。     

WO_3-NiO电致变色薄膜的制备与性能

以硫酸镍(NiSO_4)和钨酸钠(Na_2WO_4·2H_2O)为原料,采用低温化学浴沉积法在ITO导电玻璃上制备NiO和WO_3电致变色薄膜,并通过物理方法制备WO_3-NiO电致变色器件。本文探索了溶液的浓度和pH对薄膜沉积的影响。采用低温化学浴沉积法直接制备的薄膜为Ni(OH)_2。实验结果表明当溶液浓度为0.02～0.5 M,pH在9.6～11.6之间,均可以得到致密、均匀的Ni(OH)_2薄膜。其中,当硫酸镍浓度在0.05 M、pH调至11.3时能得到致密均匀且透过率高的氢氧化镍薄膜。该薄膜退火后可转化为NiO。当Na_2WO_4·2H_2O溶液浓度在0.02 M至0.06 M,pH为1.2时,能得到致密均匀的WO_3薄膜。此外,钨酸钠浓度在0.06 M且pH调至1.2时,得到致密均匀透过率高的WO_3薄膜。将NiO-WO_3薄膜组装成器件后光学调制为28%左右,能得到所需的电致变色器件。     

海南草地的生物量研究

作者用收割样方法,测定了海南草地的现存量.矮草草地地上现存量(干重)0.18～0.42公斤/米~2,地下现存量约0.24公斤/米~2;中草草地地上现存量0.46～0.90公斤/米~2,地下现存量约0.49公斤/米~2;高草草地地上现存量0.81～1.40公斤/米~2,地下现存量约0.49公斤/米~2.草地现存量和土壤、气候及生物因子有密切关系.P C A及回归分析表明,在生物因子影响相近的情况下,现存量主要由土壤肥力决定,尤以速效钾、氮的作用最显著.     

H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al_2O_3、SiO_2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H_2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向; Scherrer公式计算发现增加H_2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸; H_2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计(UV-Vis)等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 sccm、H_2占溅射气氛1. 00%时,薄膜具有最低电阻率7. 746×10~(-4)Ω·cm;适量的H_2流量可以提高玻璃在近紫外区的透过率;镀膜后样品在可见光区的平均透过率为90%左右.     

不同生长条件对Sn掺杂ZnO薄膜电学性能的影响

采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO透明导电薄膜,用Hall效应测试仪表征了薄膜的电学性能,研究了不同生长条件对薄膜电学性能的影响。研究结果表明,随着Ar/O2比的增加,电阻率先减小后增大,在Ar/O2为6时,取得最低的电阻率为2.02×10-2Ω·cm;随着溅射功率的增大,薄膜电阻率急剧减小,在140 W时获得最低电阻率为2.89×10-2Ω·cm;在溅射时间11min时得到了最低的薄膜电阻率,为1.45×10-2Ω·cm。随着压强的增大,电阻率先急剧减小,后缓慢增大,当溅射压强为0.8Pa时,薄膜电阻率具有最小值,为2.17×10-2Ω·cm。当衬底温度在400~500℃范围内变化时,在475℃时取得最佳电学性能,电阻率为2.26×10-2Ω·cm。在整个实验条件下,当Ar/O2为8、溅射功率为180W、衬底温度为450℃、溅射压强为0.5Pa、溅射时间为11min时,薄膜具有最佳的导电性能,电阻率为1.45×10-2Ω·cm。     

以无机盐为出发原料的喷雾热解法制备ITO薄膜的研究

分别以In(NO3)3·4.5H2O与InCl3·4H2O为出发原料、SnCl4·5H2O为掺杂剂、乙酰丙酮(AcAcH)为螯合剂、甲醇为溶剂使用喷雾热解法在普通钠钙玻璃板上制备了ITO薄膜。以In(NO3)3·4.5H2O为出发原料沉积ITO薄膜速率慢,沉积出的薄膜无择优取向,其晶粒在100~150nm之间,品质因数为4.03×10-3Ω-1;而以InCl3·4H2O为出发原料沉积ITO薄膜速率快,沉积出的薄膜具有(400)择优取向,其晶粒尺寸在200~400nm之间,品质因数为5.85×10-3Ω-1。     

Sb~(3+)掺杂对Bi_2Ti_2O_7薄膜性能的影响

采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb~(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb~(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb~(3+)的掺杂在没有改变Bi_2Ti_2O_7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;Sb~(3+)的掺杂提高了薄膜的电容值,尤其是当Sb~(3+)摩尔含量为0.3时,电容峰值达到3.8×10~(-9)F;同时,Sb~(3+)的掺杂显著改善了薄膜的漏电流性能,使薄膜的漏电流密度可以低至1.1×10~(-10)A/cm~2.     

不同保鲜措施对褚橙保鲜效果的影响

以云南褚橙为实验材料,从失重率、变质指数、维生素C变化率、可溶性糖变化率4个方面的指标来探究薄膜保鲜、低温保鲜、抑菌液处理保鲜和综合处理保鲜对橙子保鲜效果的影响.结果表明橙子放置一周后出现变质现象,各组分维生素C含量均有下降趋势,水分下降趋势更为明显.不同处理中,综合处理保鲜组效果最好,其次为低温保鲜组和薄膜保鲜组,但无论使用何种保鲜方式橙子品质都有所下降.     

TiO2/VO2双层薄膜的制备及光电性能研究

文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VO2单层薄膜与TiO2/VO2双层薄膜,并在Ar气中进行退火.用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计、LCR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、可见光透过率、电阻温度特性进行测试.结果表明,TiO2/VO2双层薄膜的相变温度降低到56℃,电阻温度系数为-1.087/℃,可见光透过率提高了20％～30％,且薄膜生长致密均匀.     

基于复合封装薄膜的水汽透过率测试系统研究

基于活泼金属(钙、镁)电学法设计研发了用于老化测试环境下的水汽透过率测试仪器,测试精度达到10-6 g·m~(-2)·d~(-1).利用本测试仪器测试了不同叠层次数的Al_2O_3/ZrO_2复合薄膜的水汽透过率,结果表明,多次叠层后的Al_2O_3/ZrO_2复合薄膜的水汽阻隔性能得到了较好提升.     

镀液成分对Fe-Co-W薄膜结构和磁性能的影响

采用电沉积法在铜电极上进行了Fe-Co-W磁性薄膜的制备,并研究了镀液中钨盐(Na2WO4·2H2O)含量对Fe-Co-W薄膜形貌、结构和磁性能的影响。镀液组分浓度为Fe SO4·7H2O 0.08 mol/L,Co SO4·7H2O 0.05 mol/L,Na2WO4·2H2O 0.01-0.015 mol/L,H3BO30.2 mol/L,Na3C6H5O7·2H2O 0.2mol/L。结果表明,Na2WO4·2H2O含量对薄膜的表面形貌影响较大。随着溶液中Na2WO4·2H2O含量的增加,薄膜中W含量增加,纳米晶晶粒尺寸减小,薄膜矫顽力减小,在Na2WO4·2H2O为19.8 wt.%时薄膜为非晶态,Co含量反常增加,导致矫顽力反常增加。在Na2WO4·2H2O含量为27.3 wt.%时,其薄膜矫顽力为2.74 Oe,软磁性能最佳。     

ZXB763型真空吸塑包装机试制成功

吸塑包装是将热塑性聚乙烯或聚氯乙烯薄膜加热软化抽气成型后,为底板粘合而成的包装方法。真空吸塑包装机必须能连续完成加热、抽气、粘合等工艺,其关键是抽气部分。根据有关资料介绍,一般采用真空泵抽真空,但成本高,体积大,声音响,修理不便。若采用相同风压的抽气马达,则体积小,速度快,重量轻,成本低。经试验,我们采用了风压为900毫米水柱,风量为1.25米~3/分的抽气马达,即可满足吸塑包装机的工艺要求。     

流动注射化学发光法测定盐酸米托蒽醌

在酸性条件下,甲醛与高锰酸钾能够产生较弱的化学发光,而盐酸米托蒽醌能够大大地增强该化学发光强度.在一定浓度范围内,增加的发光强度与盐酸米托蒽醌的浓度呈良好的线性关系.由此建立了一种测定盐酸米托蒽醌的流动注射化学发光新方法,方法的检出限为6·4μg/L(IUPAC),线性范围为0·01~1·0mg/L,对0·5mg/L盐酸米托蒽醌平行测定11次,其相对标准偏差为2·8%.     

SnO_2透明导电膜的电学与光学特性研究

本文对用气态蒸发法制备的S_nO_2薄膜进行了基本物理特性的研究。试样薄膜的厚度为5000,利用霍耳效应测定其载流子浓度为4.99×10~(20)cm~(-3),霍耳迁移率为4.26cm~2V~(-1)S~(-1),导电类型为n型,用二探针法测定其电阻率为2.9×10~(-3)Ω·cm.光学测定其透过率T(λ=0.589μm)可达85%以上。由基本特性判定出支配S_nO_2薄膜电导特性的主要因素是载流子浓度,同时说明它可以用作电视技术中的透明电极材料,也可与其它半导体材料形成异质结制作太阳能电池。     

电源功率对SiO_x薄膜包装材料阻隔性影响的研究

研究了电源功率对磁控溅射制备的SiOx薄膜阻隔性的影响,获得了电源功率与薄膜阻隔性的变化曲线.实验结果表明,电源功率与SiOx薄膜的阻隔性成非线性关系,在电源功率为1 600 W时SiOx薄膜阻隔性最好,透氧率为0.01 cm3/(m2·kPa·24h),透湿率为0.003 g/(m2·kPa·24h).通过对3组不同电源功率下SiOx薄膜的红外光谱进行检测分析,得到薄膜的阻隔性与SiOx分子结构有关,x(1≤x≤2)越大阻隔性越好,x=2时,SiOx分子结构形成的薄膜阻隔性最好.