两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。     

生物驻极体极化驰豫特性的热刺激电流分析

采用热刺激电流的方法，以猪的肩胛骨为例，对生物体的驻极效应进行了研究，并由此对生物极体的极化驰豫特性作了分析，实验表明，复杂的有机生命体中存在着显著的电荷储存效应，产生这一效应的基本原因在于生物体胶原纤维和基质细胞中的结合水及生物体内少量可动载流子。     

二氧化硅簿膜驻极体的电荷动态特性

系统地研究了二氧化硅薄膜驻极体的负表面电荷和正表面与体电荷受激脱阱后在体内的输运规律。并考察了这种驻极体的放电特性，化学表面处理对该驻极体的电荷稳定性及电荷层在体内的迁移规律的影响。充电后的适当老化程序，可使电荷重心从样品的自由面附近向体内迁移，由此导致的二氧化硅的体内负电荷具有极好的稳定性。这一结果对正在研制中的二氧化硅微型传感器的质量改善是十分重要的。     

表面活性剂对Ni—P—PTEE复合镀液的影响

本应用ｚｅｔａ电位仪研究了各种阳离子表面活性剂,非离子表面活性剂对Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＥＥ复合镀中ＰＴＥＥ粒子ｚｅｔａ电位的影响,且应用扫描电子显微镜分析了镀层的形貌。结果表明,粒子的ｚｅｔａ电位越正,粒子在槽液中越不易聚结,且越有利于粒子的共沉积。     

多孔窗的传热传质分析与制冷性能研究

该文从连续介质力学的观点出发，提出了描述多孔介质非饱和热质传递的一般方程式，并针对二维多孔窗模型，采用ＳＩＭＰＬＥ方法进行了数值求解，得到了不同运行工况下的床内各量的场分布及其蒸发制冷量分布，同时对环境参数与多孔窗内部热质传递及其换热性能之间的内在联系进行了分析。     

生物驻极体极化弛豫特性的热刺激电流分析

采用热刺激电流的方法,以猪的肩胛骨为例,对生物体的驻极效应进行了研究,并由此对生物驻极体的极化弛豫特性作了分析．实验表明,复杂的有机生命体中存在着显著的电荷储存效应,产生这一效应的基本原因在于生物体胶原纤维和基质细胞中的结合水及生物体内少量可动载流子,从单一频率弛豫进行计算所得的ＴＳＤＣ谱图与测量结果基本一致,说明其弛豫过程主要对应于单一频率的水分子的极化弛豫．     

极性介质热刺激电流与偶极子分立激活能分布

该文从单一激活能电偶极子去极化对热刺激电流贡献的物理过程出发，用数值计算方法计算了多激活能级电偶极子去极化对电流的贡献。结果表明当电偶极子间激活能之差小于２ｋＴ时，电偶极子可以看作以能级连续分布的形式存在；如果大于２ｋＴ，则可按分立存在形式处理。对热刺激电流方程中的超越函数进行分析后，导出了直接从电偶极子热刺激电流上获得其激活能的方法，其与数值计算结果符合得相当好。     

天电与人类活动

１、天电的成因：天电是距地球表面几公里至几十公里高空，两部分带异种电荷云层或云层与大地之间的快速放电产生的电磁波，它迅速释放巨大能量，并常常伴有爆炸声（雷声）。天电流具有电流的一切效应，所不同是它在短时间内以脉冲的形式通过强大电流。天电通道的温度达几...     

聚四氟乙烯驻极体的电荷贮存与输运

通过在常温和高温下对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的恒压电晕充电,讨论了热处理对PTFE驻极体电荷贮存性能的影响和该材料在高温下突出的电荷贮存能力.利用热脉冲技术^[1]和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)^[2]组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型.     

交联聚乙烯中空间电荷分布及其机理研究

用PWP法与TSD法对交联聚乙烯中的空间电荷形成和演变过程进行了测量,两次TSD的测量结果有很大的不同,而在PWP法的测量结果中差别却并不明显,说明这两种方法的联合应用能更深入完全地反映空间电荷的实际情况。交联聚乙烯中空间电荷的形成包括注入电荷、杂质离子和小分子偶极子的转向,其中以小分子偶极子的转向为主,陷阱对电子的捕获能大幅度改变TSD电流信号的幅度,这些陷阱与交联聚乙烯中的小分子有关。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

Sol-Gel法制备纳米TiO2薄膜及性能研究

采用TiO2溶胶,利用溶胶-凝胶技术在玻璃表面制备了TiO2薄膜．用原子力显微镜（AFM）分析了样品的形貌,结构和粒度的分布;用自动椭圆偏振测厚仪测量了薄膜的厚度．研究了TiO2颗粒的催化机理、薄膜上粒子的性能以及薄膜的光催化性能,130nm左右的TiO2薄膜对甲基橙溶液的降解率达到28．2％．     

金刚石膜的内应力研究

采用微波PCVD方法在单晶硅片上制备出了金刚石膜．利用拉曼光谱和X射线射三行射（XRD）研究了不同甲烷浓度对在硅基底上沉积金刚石膜的内应力的影响，同时用XRD研究，抛光对于自支撑金刚石膜的宏观应变和微观应变的影响．     

改性膨润土吸附重金属离子

利用有机高分子改变彭润土端面带有的正电荷为负电荷，从而使膨润土的端面和表面都带有负电荷，增大了膨润土所带的负电荷总量和表面积．同时，研究了提高吸附重金属离子(Hg^2 、Cr^6 、CO^2 )的性能．实验结果表明：改性的膨润土端比未改性的膨润土对金属离子的吸附提高近20个百分点，利用X射线图证明膨润土端面改性是成功的，并解释了改性膨润土吸附重金属离子提高的原因，利用改性的办法可能进一步扩大膨润土处理工业废水的应用.