两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

聚酰亚胺（PI）LB膜中长链单轴取向排列的AFM研究

采用ＡＦＭ来研究聚酰亚胺（ＰＩ）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｏｌｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜中长链取向排列的技术条件。首先获得了清晰的，稳定性很好的ＰＩ ＬＢ单／双层膜的ＡＦＭ图像，并对ＰＩＬＢ膜中分子水平的微结构进行了分析，随后比较了形成ＰＩＬＢ膜的两种亚胺化工艺，即溶液亚胺化方法和热亚胺化方法对大面积内分子取向排列的影响，为进一步改善工艺条件以尽早将其投入实用奠定了初步基础。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

含偶氮发色团聚酰亚胺二阶非线性极化系数β的理论研究

用量子化学从头算的方法、计算了含偶氨发色团聚酰亚胺分子的二阶非线性极化系数β并通过发色团在基态和激发态的电荷分布和偶极距的数值对电荷转移的大小进行了讨论.     

富Al区Fe—Al合金复杂相的价电子结构及熔点计算

应用固体与分子经验电子理论，对富Ａｌ区Ｆｅ－Ａｌ合金复杂相Ｆｅ２Ａｌ５的价电子结构进行了分析，并对其熔点进行了计算。     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

LB膜的原子力显微镜观测：从微米至分子量级

应用原子力显微镜（ＡＦＭ）直接观测沉积在固体表面的硬脂酸ＬＢ膜微观结构，范围从微米－纳米－分子量级．ＡＦＭ图象直接表征了膜的表面形貌、微观结构以及膜中存在的缺陷．实验中首次获得了较清晰、重复性好的硬脂酸分子结构ＡＦＭ图象．将ＡＦＭ探针作工具，通过增大针尖与样品间的作用力和控制扫描方式，有能力在ＬＢ膜表面微区进行直接的细微划刻，产生出特定的图形．实验中利用该方法直接测定了单分子膜的厚度．     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

PS/溶剂体系气液平衡研究

采用气液色谱法测定了ＰＳ／溶剂在不同温度下无限稀溶剂活度系数和Ｆｌｏｒｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ相互作用参数。应用ＵＮＩＦＡＣ和ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型对ＰＳ／溶剂体系中无限稀溶剂活度系数进行了估算,结果表明,ＵＮＩＦＡＣ－ＦＶ模型能较好地预测ＰＳ／烃溶剂体系中无限稀溶剂活度系数,而ＵＮＩＦＡＣ模型则较差。     

二氧化硅簿膜驻极体的电荷动态特性

系统地研究了二氧化硅薄膜驻极体的负表面电荷和正表面与体电荷受激脱阱后在体内的输运规律。并考察了这种驻极体的放电特性，化学表面处理对该驻极体的电荷稳定性及电荷层在体内的迁移规律的影响。充电后的适当老化程序，可使电荷重心从样品的自由面附近向体内迁移，由此导致的二氧化硅的体内负电荷具有极好的稳定性。这一结果对正在研制中的二氧化硅微型传感器的质量改善是十分重要的。     

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.     

PTFE多孔膜驻极体电荷储存稳定性的机理研究

借助于等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流测量等方法较系统地研究了充电气的聚四氟乙烯多孔材料的空间电荷稳定性了比较。通过热刺激放电电流谱分析和组合热脉冲技术探索了ＰＴＥＥ驻极体多孔膜内电荷重心的迁移规律,研究了多孔ＰＴＥＥ薄膜驻极体内脱阱电荷的输运规律。     

圆筒型植物细胞质膜的分布电荷所引起的电场和对细胞内压力的影响

根据细胞双电层模型和电学原理,推出了圆筒型植物细胞膜上电荷产生的细胞内压力的计算公式.利用该公式分析了植物细胞膜上电荷产生的电场力对细胞内压力的影响.得出了细胞的实际内压力和植物体的实际刚度比只考虑机械压力的理论结果要大,细胞的实际破裂情况比只考虑机械压力时的理论分析结果要容易些三点结论.     

磁镜场空间电荷透镜初步研究

提出了采用磁镜场约束电子云形成空间电荷透镜的新结构，分析了磁镜场中形成约束电子云的基本原理，通过近似数值计算，给出了电子云产生的空间电荷场的特征分布。     

对Engheta双负介质谐振腔的研究

针对“Engheta”所提出的一维双负谐振腔物模型进行进一步的理论探讨,分析了满足谐振方程的两组物理解,并就普通介质层和双负介质层界面发生反射时谐振腔的共振条件和稳定性进行分析,讨论普通介质层和双负介质层的阻抗不匹配时的一维亚波长谐振腔的稳定性问题.     

双层KNN基陶瓷的制备和性能研究

利用传统的固相反应法制备了单层和双层KNN基无铅压电陶瓷．用X射线衍射和扫描电子显微镜研究了样品的相结构和晶粒分布．研究结果表明,双层陶瓷的两种组元在界面处匹配完好．与单层陶瓷相比,由于双层陶瓷中两种成分高温下在界面处相互扩散乖渗透,因此双层陶瓷表现出较高的致密度,较大的压电常数和剩余极化强度．该制备方法对于进一步提高KNN基陶瓷的压电性能具有重要意义．     

非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究

根据室温和77K下电学性质测试数据,计算了非掺杂VPEGaAs材料中空间电荷中心密度与散射截面积的乘积N_SOA,然后从N_SOA分别与N_D及μ_300K间的关系,推测空间电荷散射中心是某种Si_GS-(O₁,V₁)型的络合物.结合本工作,为了在AsCl₃欠纯的情况下获得适当纯度的外延层,在气相外延系统中装入去硫装置,有效地抑制了硫、硒等杂质,附带发现该装置对碳的去除也有一定效果.     

双重逆极限空间上移位映射的动力性质

研究了非空紧致度量空间上连续映射f：X→X，g：X→X的双重逆极限空间上移位映射σf＊σg：lim←（x，f＊g）→lim←（X，f＊g）的一些性质：移位映射σf＊σg的周期点集等于f＊g的周期点集上的双重逆极限空间；X中有非回归点当且仅当双重逆极限空间中有非回归点；双重逆极限空间的终于周期点一定是周期点．     

基于二次模糊相关性的单通道置换图像盲分离

关键词：中图分类号：文章编号：针对模糊处理后的置换图像,提出一种基于二次模糊相关性的单通道盲分离方法. 该方法通过对置换图像进行二次模糊,估计二次模糊前后对应子块的相关系数来构造一个映射空间,利用映射空间内参数的不同分类完成置换混合矩阵的估计,从而实现置换源图像子块的分离. 实验表明,该方法对经历不同模糊处理的置换图像均能达到较高的检测正确率,同时,算法对高斯噪声和有损JPEG压缩都具有较好的鲁棒性.