一种新型表面磁光克尔效应测量系统

研制了一种新型的科研教学两用的表面磁光克尔效应测量系统,给出了该测量系统的设计方案、结构、技术性能、实验原理及使用方法.该测量系统可用于磁光器件、磁性薄膜及不同材料多层磁性薄膜特性参数的测量.     

FD-SMOKE系统测量铁磁性薄膜的克尔效应

表面磁光克尔效应测量磁性材料磁性具有很多优点,如测量灵敏度高、非接触式测量。该实验是高校重要的近代物理实验之一。在用表面磁光克尔效应系统测量铁磁性薄膜材料时,文中利用该系统测出铁合金膜样品在纵向克尔模式下的磁滞回线,测出正负磁在正向饱和状态和反向饱和状态时的克尔效应角,即椭圆长轴和参考轴之间的夹角。并计算得在饱和状态下的克尔旋转角和椭偏率。应用该实验可研究磁性材料表面的磁性质。     

用表面磁光克尔效应测量材料表面磁特性的研究

用表面磁光克尔效应测量铁磁材料的磁滞回线,并求得在饱和状态下的克尔旋转角．对于很多磁性薄膜,易磁轴方向为纵向,通常纵向克尔效应较明显．用自制装置可研究磁性材料表面的磁性质,现此实验已在近代物理实验中应用．     

坡莫合金纵向克尔旋转角的测定研究

本文以表面磁光克尔效应原理为基础,研究坡莫合金的纵向克尔效应。在某一特定本底光强条件下,分别测出坡莫合金表面五组正负饱和状态下的对应光强,借助计算机辅助采集分析软件给出相应磁滞回线。进一步的分析表明当入射偏振p光时,反射光的偏振面旋转了一个角度。通过相应的理论处理,计算出了该磁性材料的克尔旋转角。     

坡莫合金纵向克尔旋转角的测定研究

本文以表面磁光克尔效应原理为基础,研究坡莫合金的纵向克尔效应。在某一特定本底光强条件下,分别测出坡莫合金表面五组正负饱和状态下的对应光强,借助计算机辅助采集分析软件给出相应磁滞回线。进一步的分析表明当入射偏振p光时,反射光的偏振面旋转了一个角度。通过相应的理论处理,计算出了该磁性材料的克尔旋转角。     

Mn3Sn薄膜的磁光特性研究

采用超高真空分子束外延方法制备了Mn_3Sn(0002)取向薄膜.利用旋转磁光法测量了在膜面内不同方向施加磁场时的磁光克尔角,获得其最大磁光克尔角为20 mdeg.通过计算拟合,Mn_3Sn薄膜具有单轴单向磁各向异性,磁各向异性能常数(K_1)=3.75×10~3 J/m~3.通过对比Mn薄膜的实验数据,认为反铁磁构型的Mn与弱铁磁性的Mn_3Sn之间的界面磁耦合导致单轴单向磁各向异性,Mn的杂散磁矩对Mn_3Sn样品的磁光克尔角有贡献.     

用纵向磁光克尔效应观察Co/Cu/Co三层膜正交方向磁矩随磁场的翻转过程

运用光弹调制器和锁向放大器作为主要的光电子仪器,搭建磁光克尔效应实验系统,将平行和垂直磁场应用于纵向磁光克尔(Kerr)效应,用来分析薄膜正交方向磁矩随磁场翻转的情况.应用此方法,研究了在不同衬底上用磁控溅射方法制备的Co(2.7 nm)/Cu(2 nm)/Co(2.7 nm)三层膜的磁性及磁矩翻转,探索其耦合机理.衬底与间隔层Cu层表面结构的差异,诱导了底层Co与表面层Co结构的差异,导致底层和表面层Co膜的矫顽力不同,从而实现了两铁磁层的磁矩翻转不一致.     

磁光调制技术在光偏振微小旋转角精密测量中的应用

提供了一种实验装置,在光偏振微小旋转角的测量中,应用磁光调制技术,对薄膜样品的克尔效应、药物原料的离光效应和化学试剂的费尔德常数进行了观测、测量。其中在费尔德常数的测量中,精度达到了亚毫度的数量级,详细介绍了该装置的工作原理,以及在实验中获得的数据。     

磁光克尔效应及其测量

介绍了在磁光盘上进行热磁写入信息的原理、磁光克尔效应以及通过该效应读出信息的原理.对近期开发的磁光盘介质材料的性能进行了评论.重点介绍了磁光克尔转角的测量方法,分析了影响材料磁光克尔转角大小的因素.     

磁性薄膜克尔回转角的测试方法研究

本文阐述了差动法测量克尔回转角的原理,给出了检测信号电压的计算公式,描述了具体测试装置,实验测定了Gd-Tb-Co膜、Gd-Co膜以及Tb-Fe-Co膜的极向克尔效应磁光回线和克尔回转角.文中对测试误差进行了讨论.     

左手材料和磁性材料交替排列结构中的角度特征分析

利用4×4传递矩阵的方法,计算了含左手材料和磁性材料的多层结构的磁光科尔效应,分析了科尔旋转角和优值系数随层厚、左手材料磁导率、介电常数的变化关系.左手材料的反常共振传递特性使得薄的磁性膜可以产生大的磁光科尔效应,有望在磁光记录、完美隐身中发挥重要作用.     

浓磁半导体材料的制备、磁性和自旋极化的输运

成功制备出过渡金属元素含量高的Zn_1-xCo_xO、Ti_1-xCo_xO₂、(In_1-xCo_x)2O3铁磁半导体(浓磁半导),发现这些氧化物浓磁半导体具有高于室温的居里温度、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良材料特性。还对浓磁半导的输运性质进行了系统的实验和理论研究,提出了自旋依赖的电子变程跃迁理论模型。这些用新方法制备的氧化物浓磁半导体,不同于常规的稀磁半导体,有望成为高效自旋注入源和半透明磁光新材料。     

Strain-induced modulation of magnetic anisotropy in Co/BaTiO_3 composite

A uniaxial magnetic anisotropy Co film was grown on a single-crystal Ba Ti O3（BTO） substrate. The strain yielded by the voltage-induced ferroelastic domain switching in the BTO substrate was recorded by atomic force microscope and modulated the magnetism of the Co film. The manipulation of the magnetism of the Co film is experimentally demonstrated by voltage dependence of magnetic hysteresis loops measured via magneto-optic Kerr effect.     

Voltage-controlled Kerr response in Ni/Pb（Zr0.52Ti0.48）O3 heterostructures

Voltage-modified magneto-optical Kerr effect（MOKE） is widely used to describe the converse magnetoelectric（ME） effect in the ferroelectric/ferromagnetic（FE/FM） heterostructures. However, the applied voltage can possibly give rise to electro-optical effect of the FE layer, which would also affect the Kerr signals in the MOKE system. Here, we used an AC voltage to modulate the magnetization in the Ni/Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT） heterostructures with different pre-polarization states of the PZT layers to investigate the complexity of the Kerr signals. The results suggested that the voltage control of Kerr signal contained several origins; however, the straininduced ME effect dominated in the ME effect in the heterostructures.     

非对称耦合量子阱中的光学克尔效应研究

详细研究了GaAs/AlxCa1-xAs非对称耦合量子阱的光学克尔效应,并利用紧束缚密度矩阵方法及迭代法导出了光学克尔效应的解析表达式.数值结果表明,入射光强、弛豫率和结构参数(如势垒宽度和右阱宽度)对光学克尔效应有明显的影响;通过优化入射光强、弛豫率和结构参数,可以获得比量子盘模型的克尔系数大四个数量级的克尔系数,其...     

掺入轻稀土元素对薄膜的磁光克尔效应的增强

从磁光克尔效应的宏观唯象理论和量子理论出发分析了轻稀土元素对磁光克尔效应的增强机理；研究了轻稀土元素ＬＲＥ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ）掺入后（ＬＲＥ，ＨＲＥ）－ＴＭ薄膜的稀上成分比和溅射时基片负偏压对薄膜磁光克尔角的影响，研究结果表明，轻稀土元素的掺入能使ＨＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的磁光克尔效应得到明显的增强。