用UPS测量GaAs表面的能带弯曲和电子亲和势

根据Kraut等用XPS精确测定的GaAs中Ga3d芯能级到价带顶的能量差,在UPS实验中,由测定的Ga3d结合能数据,得出了清洁GaAs(111)的费米能级在表面处的位置,也即求得了表面的能带弯曲.再由UPS的二次电子阈值测定了功函数,从而求得GaAs的电子亲和势.对于用氩离子刻蚀并退火所获得的清洁GaAs(111)(2×2)富Ga表面,费米能级钉扎即已发生,其钉扎位置是在价带顶以上0.75eV附近,与Spicer等在GaAs(110)面上所观察到的受主型钉扎能级相符合.     

铝硅磷掺杂碳纳米锥场发射性质的理论研究

采用第一原理密度泛函理论方法,分别研究了铝、硅和磷原子掺杂碳纳米锥的几何结构和电子结构,进而研究其场发射特性．计算结果表明：与纯碳纳米锥相比,铝和硅原子掺杂对其场发射性能的提升意义不大,磷原子易于掺杂在碳纳米锥顶部,引起其费米能级附近最高占据分子轨道明显提升,功函数和离化能降低．计算结果表明,磷掺杂碳纳米锥体系是较好的场发射材料．     

极性介质热刺激电流与偶极子分立激活能分布

该文从单一激活能电偶极子去极化对热刺激电流贡献的物理过程出发，用数值计算方法计算了多激活能级电偶极子去极化对电流的贡献。结果表明当电偶极子间激活能之差小于２ｋＴ时，电偶极子可以看作以能级连续分布的形式存在；如果大于２ｋＴ，则可按分立存在形式处理。对热刺激电流方程中的超越函数进行分析后，导出了直接从电偶极子热刺激电流上获得其激活能的方法，其与数值计算结果符合得相当好。     

低维电子气的化学势随温度的变化

假设各种金属都包含着电子的理想气体,我们可以相当园满的解释各种金属的许多性质。对于三维电子气在温度不太高情况下的化学势随温度的变化,不少材料已做了计算,其结果是其中μ_F为T=0K时化学势,也能费米能级。由上式不难看出随温度增加化学势降低。 然而对于低维(一、二维)电子气的化学势随温度变化关系将完全不同。下面进行具体计算,其方法是通过计算总粒子数N来求μ。     

在低覆盖度下Au／GaAs和Au／GaSb界面的开尔文探针电容电位差研究

介绍了在超高真空系统中利用开尔文探针电容电位差(CPD)方法,在低覆盖度下Au/GaAs和An/GaSb的界面研究工作.在劈裂后的GaSb和GaAs表面,经初始的亚单层Au淀积后,两者的CPD值均有很大的跳变.这是同这一事实相符合的:按照光发射谱测量,在Au淀积的最初阶段(约0.2ML的Au淀积层),费米能级就“钉住”在表面态.此外,Au/n-GaAs的界面实验表明:CPD值有显著的光效应,特别在小于1ML的Au淀积层的情形下.     

ZnO表面光伏行为的Kelvin探针表征

利用Kelvin探针通过测量电子功函数来表征半导体表面光伏行为及其能级结构特性.首先由Kelvin探针测量原理建立了表征表面光伏行为的理论方法,然后用CVD法在Pt基底上制备了ZnO半导体薄膜,再利用紫外光作为激发光源实现光伏效应,最后应用Kelvin探针表征其光伏行为的演化过程.     

Al3H分子的电子结构与构型转变

利用单电子非相对论Hartree-Fock-Slater离散变分局域密度泛函方法(DV-Xα)对Al3H分子的电子结构进行了计算,分别得到了相应构型的Mülliken电子布居、分子轨道组成、费米能级、HOMO和LUMO轨道的组成及轨道能量,并讨论了几种构型的相对稳定性,由计算得到的总能量认为其构型在转变时还存在第三种路径,即由一级Jahn-Teller畸变引起的C3v→Cs→C2v途径的变化,并得出了这种改变路径在发生构型转变时的能量变化.     

索末菲展开对二维电子气体费米能级求解的有效性分析

索末菲展开是固体物理学中讨论自由电子气体性质的重要方法,二维电子气体是金属自由电子气体的一个特例,目前受到了科研工作者的广泛关注．利用严格求解和索末菲展开近似求解两种不同方法对二维电子气体的费米能级进行了计算,同时对两种方法进行比对．分析发现,如果气体温度较低,索末菲展开近似引起的误差较小,阐述了索末菲展开方法的有效性和使用条件．该研究将对学生深入理解固体物理学中相关知识内容有所帮助．     

石墨烯与关联单壁碳纳米管物理特性比较研究

采用基于广义梯度近似(GGA)的密度泛函方法(DFT)对石墨烯和卷曲后的关联碳纳米管(8,0)进行了理论研究.结果表明石墨烯每行斜键键长呈AAB周期变化,关联碳纳米管斜键长度成AABB规则变化,竖键长度均不变.石墨烯的密立根电荷数值大小分布无明显规律,内部原子多为正值,外部多为负值.关联碳纳米管的密立根电荷分布相对较有规律.碳纳米管的内部碳原子也有吸引电子的能力,从而与其它原子形成离子性键.两者在费米能级态密度大部分均由p轨道贡献.但是关联碳纳米管的费米能级也有一部分来自于s轨道电子的贡献,而石墨烯则几乎没有来自s轨道的贡献.     

对三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与模拟

该文研究了漏电流对三维沟槽电极硅探测器性能的影响.由扩散电流、产生电流和表面漏电流三部分电流构成的探测器漏电流在不同情况下受各种电流影响不同.漏电流是影响探测器性能的一个重要因素,在探测器的制造过程中,或者受到辐照以后,会在探测器中形成一系列缺陷,特别是在探测器受到辐照以后,由于深能级缺陷引起的漏电流会显著增加.由仿真可以看出,随着在负极(沟槽壁)上加的电压逐渐增大,漏电流会显著增大,直到漏电流达到饱和.在仿真中主要考虑的是产生电流的影响,其大小主要由耗尽区域的体积决定.     

含三个含时点接触的量子输运

拓扑绝缘体的材料可大大提高计算机芯片的运行速度和工作效率,甚至可能会成为以自旋电子学为基础的下一代全新计算机技术的基石.拓扑绝缘体的边缘态展现出奇特的性质,电子在表面自由流动,不损耗任何能量.使用玻色化,重整化群,格林函数的方法从理论上研究了三个含时点接触存在对拓扑边缘态输运性质的影响.得到电流随偏压和温度变化的解析表达式,以及依赖于电子间相互作用幂指数变化规律.该理论提供了一种调控纳米结构中输运性质的手段.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

涉及多元酸碱和不对称氧化还原电对的滴定分析

为了规律性地认识涉及多元酸碱和不对称氧化还原电对的滴定分析,从Henderson-Hasselbalch方程和Nernst方程出发,运用物料守恒、质子守恒和电子守恒等基本原理,考察最为一般的情形,探究它们的滴定方程及终点误差,并表述为更为系统而完备的数学形式,结果具有一定的参考价值.滴定分数f是体系的pH(酸碱滴定)或平衡电位E(氧化还原滴定)的函数;终点误差E_1既与滴定终点和化学计量点间体系的pH(酸碱滴定)之差或平衡电位E(氧化还原滴定)之差有关,又与化学计量点时被测物质主要型体间的分布系数δ之比有关.     

加强对档案电子文件“三性”的保护

<正>目前档案文件分为传统的纸质文件和现代电子文件两类。所谓电子文件是指以计算机盘片、磁盘和光盘等化学磁性材料为载体的文字材料。它主要包括电子文件、电子信函、电子报表、电子图纸等等。电子文件是高科技的产物,它的各种性能是由技术决定的,     

等离子体教学实验装置的研制

介绍一种等离子教学实验装置的构造、原理及其诊断方法,其主体为T型真空室,由两个圆柱形主辅真空室构成,它可获得直流辉光等离子体;射频电容耦合放电、无电极放电等多种等离子体,利用静电探针可以对直流等离子体的基本参数如电子温度、电子密度进行测量诊断,可对不同等离子体的相互作用进行演示、研究．     

联合概率约束问题的一个光滑函数法

许多有重要价值的实际问题均属于联合概率约束优化问题（JCCP）,该类问题通常是非凸的并且非光滑,有效求解方法多集中于凸近似方法,往往局限于具有单个概率约束的问题．本文基于两个凸函数之差（即D．C．函数）为约束的近似优化问题,提出了约束函数的光滑近似函数以及相应的光滑近似问题．通过收敛性分析,证明了当参数充分小时,光滑化的近似问题的最优值和最优解集分别收敛到（JCCP）的最优值和最优解集．     

LiFePO_4的合成方法及性能改进

LiFePO_4的主要问题是电子导电率低和离子扩散性能差,目前主要采用两种方法改进其导电性能,一种是对其表面进行导电物质(碳)的包覆,另一种是金属离子掺杂。有报道指出碳的加入影响振实密度的提高,少量的碳即会导致材料的体积能量密度和功率密度的降低,因此迫切需要对碳包覆的方法进行优化。金属离子掺杂能造成LiFePO_4中Li和Fe的缺陷,形成Fe~(3+)和Fe~(2+)的混合价态,使LiFePO_4的电子导电率提高了8个数量级,而且金属离子掺杂不会影响材料的晶体结构和物理特征。基于此,综述磷酸铁锂材料的合成方法,并就材料性能的改进进行介绍。     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

具有接种项且考虑医院病床数的SVIS模型的性态分析

建立具有接种项且考虑医院病床数的SVIS模型,并对其动力学性态进行了分析。发现:基本再生数R_0是疫苗接种率φ的函数,并且当传染率较大或者病床数目较小时,系统会出现后向分支,即当R_0小于1时,系统会出现两个正平衡点或者无正平衡点;当系统存在两个正平衡点时,其中染病者数量较小的是鞍点,染病者数量较大的为非鞍点。当R_0小于1时,通过增加病床数和减少疾病的传染率,可以消除疾病。     

碳纳米管/聚氨酯复合材料制备方法的研究

首先对碳纳米管进行酸化处理,在聚氨酯合成过程中分别利用共混法和原位聚合法制备碳纳米管/聚氨酯复合材料,利用碳纳米管的性能对聚氨酯材料进行改性。利用傅立叶变换红外光谱分析仪研究了酸化对碳纳米管性能的影响,微机控制电子万能试验机、动态力学分析仪和数字超高电阻、微电流测量仪对碳纳米管聚氨酯复合材料力学、热力学和导电性能进行了研究,对比研究了两种制备方法对改善聚氨酯材料性能的不同影响。结果表明:通过两种方法制备的复合材料均可以提高聚氨酯材料的力学、热力学和导电性能,原位聚合法制备的复合材料在性能上的提高要比共混法更为明显有效。