ZnO—玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电压性能的影响，实验表明加入Ｇ３玻璃制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性，还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能。     

ZnO玻璃系压敏电阻配方研究

研究了ＺｎＯ玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响。发现玻璃料的添加量ｗ玻璃料一般在８．０％～１０．０％时效果最佳，Ｓｂ２Ｏ３的引入可生成Ｚｎ７Ｓｂｏ２Ｏ１２尖晶石相，抑制晶粒的生长，并使压敏场强Ｅ和非线性系数α值增加。Ｃｏ和Ｍｎ的添加使界面态密度增加，引起势垒升高，使非线性特性显著提高。     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉末

本文研究用湿化学法——ＮＨ＿３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料．用ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度、球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析、ＢＥＴ分析、粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态．压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻．     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉未

本文研究用湿化学法－ＮＨ３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料。用Ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度，球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析，ＢＥＴ分析，粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态。压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻。     

BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响

在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响．发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性．     

铜对 Zn-Al 基软钎料性能的影响

为了降低汽车铝质热交换器钎焊温度,防止高温软化,研究了一种钎焊温度比Ａｌ－Ｓｉ钎料低的Ｚｎ－Ａｌ－Ｃｕ钎料．着重讨论了微量Ｃｕ含量对Ｚｎ－Ａｌ钎料熔点、强度、钎焊性能等的影响．研究结果表明,在Ｚｎ－Ａｌ系钎料中加入微量的Ｃｕ,对钎料熔点无影响,其熔点均在三元合金共晶温度３７３．５℃左右;微量Ｃｕ在Ｚｎ－Ａｌ系合金中形成以Ｚｎ为基的含有铝和铜的η相（富锌相）固溶体及含锌和铜的β相（富铝相）固溶体,提高了Ｚｎ－Ａｌ系钎料的强度、硬度,但使其延伸率降低．该合金完全能替代Ａｌ－Ｓｉ系钎料用于汽车热交换器的钎焊,焊接温度可降低２００℃左右,可以防止因炉温偏高造成铝质热交换器钎焊时的高温软化现象．     

Bi2O3—ZnO—Nb2O5系陶瓷介电常数及温度系数的优化

研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化。讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的ＴｉＯ２对所得ＢＺＮ系陶瓷的相组成以及介电性能的影响。结果表明,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响,锐钛型ＴｉＯ２的掺杂可优化温度系数,得到介电性能优异的ＢＺＮ陶瓷。     

ZnO 玻璃系压敏电阻配方研究

研究了 Zn O玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响 .发现玻璃料的添加量 w玻璃料 一般在 8.0 %～ 1 0 .0 %时效果最佳 .Sb2 O3的引入可生成 Zn7Sb2 O1 2 尖晶石相 ,抑制晶粒的生长 ,并使压敏场强E和非线性系数 α值增加 .Co和 Mn的添加使界面态密度增加 ,引起势垒升高 ,使非线性特性显著提高     

BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响

在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响。发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性。     

Zn-Cl~--NH_3-CO_3~(2-)-H_2O 系的热力学分析

根据同时平衡原理和质量平衡原理,推导出Ｚｎ－Ｃｌ－－ＮＨ３－ＣＯ３２－－Ｈ２Ｏ系金属氧化物及碳酸盐在水溶液中热力学平衡的数学模型,计算并绘出该体系的浓度对数－ｐＨ图,研究了各配位体及ｐＨ值对该平衡体系的影响．当溶液有ＮＨ３和Ｃｌ－存在时,ＺｎＯ的溶解度增大;ＮＨ３的浓度对ＺｎＯ的溶解度的影响最大,因而不宜用氨水作为Ｚｎ２＋的沉淀剂．当溶液中有ＣＯ３２－存在时,Ｚｎ的溶解损失小;即使溶液中含有一些ＮＨ３,但溶液中Ｚｎ的总浓度还是比较小．当溶液中有ＣＯ３２－存在时不仅使Ｚｎ完全沉淀时的ｐＨ值降低了,而且ｐＨ值的范围也加宽了,因而可选用Ｎａ２ＣＯ３,（ＮＨ４）２ＣＯ３等作为Ｚｎ２＋的沉淀剂．根据溶液中［Ｃｌ－］Ｔ,［ＮＨ３］Ｔ,［ＣＯ３２－］Ｔ的不同,通过这些浓度对数－ｐＨ图可以在理论上初步选择Ｚｎ２＋沉淀的最佳ｐＨ值范围．     

臭氧发生器用（Sr,Ca）TiO3陶瓷电极材料的研制

研究了掺杂成分ＢａＴｉＯ３,ＣａＳｉＴｉＯ５,ＴｉＯ２,ＺｎＯ,Ｂｉ２Ｏ３对臭氧发生器用（Ｓｒ,Ｃａ）ＴｉＯ３陶瓷电极材料的介电常数、正切损耗、击穿电压、电阻率等电性能的影响．结果表明,Ｂｉ２Ｏ３的影响最大．最适合的掺杂配方是：Ｂｉ２Ｏ３１．４０％,ＴｉＯ２０．３０％,ＣａＳｉＴｉＯ５０．３１％,ＢａＴｉＯ３０．５０％和ＺｎＯ０．５２％．     

p型ZnO:Mn-N薄膜的制备及特性研究

用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO: Mn薄膜,继而进行N离子注入和退火处理,成功实现了ZnO薄膜的Mn-N两步法共掺杂和p型转变.利用X射线衍射(XRD)、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对其性能进行了分析.结果表明:所测样品均具有单一的c轴择优取向,薄膜在退火后没有检测到其它杂质相的生成;薄膜在650 ℃经10～30 min退火时均可实现p型转变,空穴浓度可达1016～1017cm-3,表明650℃可能为ZnO: Mn-N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度;XPS能谱证明了Mn2+、N3-离子的掺入;在热退火作用下,部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位,形成N-Zn或N-Mn键,是样品转变为p型的依据; p型ZnO: Mn-N薄膜室温下的禁带宽度为3.16 eV,相对未掺杂ZnO的禁带宽度3.29 eV明显减小.     

热处理温度及冷却速度对ZnO:Al薄膜性能的影响

采用溶胶一凝胶法在普通玻璃衬底上制备出了Al3+离子掺杂的ZnO(ZnO:Al)透明导电薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针法及紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等分析方法对制备的薄膜进行了表征,研究了热处理温度及冷却速度对ZnO:Al薄膜结晶状况、电阻率、可见光透过率的影响.研究发现:制备的薄膜为具有沿(002)晶面择优取向的ZnO六角纤锌矿结构,适当的热处理温度和冷却速度有利于改善ZnO:Al薄膜的导电性,并且当采用快速冷却时薄膜的导电性明显增强,而透光率略微减小.500℃热处理1 h后,-15℃环境中快速冷却相对于随炉冷却和空气中冷却制备的薄膜电阻率有大幅度的降低,达到0.22Ω·cm,透光率大于80%.     

钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积不同钽掺杂浓度的氧化锌透明导电薄膜.并对其结构和电学特性进行分析.对衍射峰的分析说明Ta元素以替位Zn元素的形式溶入ZnO晶格中形成了固溶体.当钽掺杂比例从0 wt%增加到10 wt%,晶格常数从0.5242 nm增加到0.5314 nm,表明薄膜中存在平行于c轴方向的张应力.薄膜沿c轴的晶粒尺寸在9.4~13.5 nm之间.薄膜的电阻随着掺杂比例增加首先显著下降,当掺杂比例为5 wt%时,薄膜最小电阻率为7.81×10-2Ω.cm,进一步增加掺杂比例到10 wt%,电阻率增大为1.25×10-1Ω.cm.     

Al-N 共掺杂p 型ZnO 薄膜制备及电学性能的研究

利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。     

Relaxation mechanism analysis of synthetic fused quartz glass investigated by electrical impedance spectra

The synthetic fused quartz glasses with bare metal impurities have been analyzed by temperature- dependent electrical impedance spectroscopy. The complex electric impedance and the overlapping of the normalized dielectric modulus imply the single mechanism of dielectric and conduction relaxation in the fused quartz glass. Besides, the dependence of conductivity on temperature may attribute to the predominant electric relaxation to the delocalized or long range electronic hopping between the nonbridged dangling oxygen.     

ZnO and MnO2 Doped PbTiO3 Ceramics Prepared by Sol-gel Method

ZnO and MnO2-doped PbTiO3 nanometer powders have been prepared by using titanium butoxide (Ti(OC4H9)4) and lead acetate (Pb(Ac)2.3H2O) as starting materials, acetic acid (HAc) and methanol (CH3OH) as catalyst and solvent, respectively, and Zn(Ac)2 and Mn(NO3)2 as dopants. High density and crack-free PbTiO3 ceramics were obtained. Electrical measurement indicates that the ceramics has lower dielectric constant, dielectric loss, and especially low surrounding moisture effect.     

P型ZnO：N薄膜的拉曼及光电特性研究

采用电子柬蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜．借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO：N薄膜的拉曼及光电特性．结果表明：所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO：N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式（位于272．5,505．1和643．6cm-）,分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO：N薄膜向P型转变,其空穴浓度为7．73x10^17cm-3,迁移率为3．46cm2V-1s-1,电阻率为2．34Ωcm．然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO：N薄膜的P型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO：N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷（N2）o是P型不稳定的根本原因．     

Preparation and properties of AZO thin films on different substrates

Al doped ZnO (AZO) films were deposited on glass, polyethylene naphthalate (P EN) and polyethylene terephthalate (PET) at room temperature by radio frequency magnetron sputtering. The structural, surface morphology, electrical and optical properties of the AZO films were characterized by X-ray diffractometry (XRD), atomic force microscopy (AFM), Hall effect measurement and ultraviolet-visible spectrometer, respectively. The films exhibit highly c-axis preferred orientation, a nd AZO film on glass exhibits compressive stress while that on plastic subs trates presents tensile stress. The electr ical property of the AZO film on glass is the best among the films on three kinds of substrates. The value of the figure of merit for the AZO film on PEN is much better than that of the AZO film on PET and is close to that of AZO on glass in the wavelength range of 500? 900 nm.     

电火花线切割极间介电特性与放电能量分配关系

摘要：
建立了电火花线切割极间介质电阻模型,分析了加工能量与极间介质电导率、工件厚度之间的关系,并对极间介质电阻模型进行了实验验证.研究结果表明,随着电导率的升高或者工件厚度的增加,放电期间极间“漏电流”增大,损耗在极间介质的能量增加,加工效率降低,电导率变化导致的极间电阻改变对于加工效率的影响显著. 关键词：
电火花线切割; 工作介质; 介电特性; 电导率; 放电能量中图分类号： TG 662
文献标志码： A