带线法的测试范围和误差分析

介绍了在微波频率下用带线法测量复介电常数和复磁导率的测试原理。对测试范围和测试误差进行了讨论。适当地选择样品长度,复介电常数εｒ和复磁导率μｒ的测量误差可在±５％以内。测试范围与测试参数值的配合有关,该方法适合微波吸收材料和一般非低损耗材料的测量。     

圆柱腔TE011模端盖哑铃状孔—缝特性及其应用

介绍用微波谐振腔测量片状介质材料的电导率、介电常数和半导体非平衡载流子寿命的方法．对圆柱腔ＴＥ０１１模端盖上的哑铃状孔－缝的特性进行了研究，指出单个哑铃状孔－缝与ＴＥ０１１模耦合很弱，两个对称的哑铃状孔－缝与ＴＥ０１１模具有较强的耦合，后者可用于小损耗片状介质材料介电常数、半导体材料非平衡载流子寿命等参数的测量．因为测量是无接触的，所以无需对样品进行特殊加工．ＴＥ０１１模品质因数Ｑ值高，因而测量具有较高的精度．     

带线法的测试范围和误差分析

介绍了在微波频率下用带线法测复介电常数和复磁导率的测试原理．对测试范围和测试误差进行了讨论．适当地选择样品长度,复介电常数εｒ和复磁导率μｒ的测量误差可在±５％以内．测试范围与测试参数值的配合有关．该方法适合微波吸收材料和一般非低损耗材料的测量     

波导法测量有衬底介质复介电常数和复磁导率

提出了应用微波网络分析仪测量有衬底介质的复介电常数和复磁导率的原理、方法，并给出了计算实例。该方法适用于吸波材料研究中多层介质样品的电磁参数的测量，具有样品易于制作、测量简单准确等优点，并可在较高的频率下使用。     

实用范德堡测量系统

利用霍尔效应获得迁移率参数,不仅是常规的硅材料基本测量手段,而且在III-V族MBE的材料与工艺表征方面有着广泛的应用.为提高效率,许多自动测量的方法应运而生.利用磁阻测量来确定半导体材料的补偿度也是实验室常用的方法. 为了方便地测得半导体材料的迁移率、载流子浓度、电阻率和磁阻等,利用一台APPLE-II微机、一台带IEEE488接口的数字万用表,辅之以控制用继电器阵列,构成了一套程控的范德堡测量系统.由于采用范德堡方法,样品的形状可以是任意的.在电阻率测量方面,可进行超薄层测量,弥补了四探针的不足. 本系统直接测得的参数为方块电阻R°_(?)、霍尔系数R_H及载流子类型.由下列关系     

P型掺金锗的制备及其电学性质研究

本文叙述了如何用切克劳斯基法来制备P型掺金锗单晶。根据卅多次拉晶实验,我们总结得到制备时的要求:①金的加料要适当偏高,②锗料要过熔。给出了掺入金浓度沿锭长的分布,金浓度由首端至尾端逐渐升高。制备过程中观察到了一些异常现象。如①颗粒状悬浮物的析出。②单晶尾部有金的富集。③单晶表面有“沟渠”。对这些现象我们进行了讨论。在77°K—400°K范围内测量了P型掺金锗的电阻率及霍尔系数。所得曲线与敦莱普的实验作了比较。定性地解释了这些曲线,并根据霍尔系数确定了各样品的金原子浓度。由陷阱比γ=2的曲线算出了金的电离能为0.15电子伏特。用光磁法及补偿法测量了样品的寿命。实验是在77°K—400°K范围内进行。按多荷电中心复合理论对实验结果作了讨论,认为我们所测寿命确实是由金原子复合作用所决定,并受到表面复合的影响。由掺金浓度为2×10~(-14)cm~(-3)的样品之寿命值,估计出一次负电中心对电子的俘获截面是～8×10~(-17)cm~2。     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

铁电材料非线性力电耦合特性的模拟计算

铁电材料具有独特的内部结构 ,在外加力、电场的作用下 ,由于电畴的反转而表现出非线性滞回特性。基于单晶的本构行为 ,发展了针对铁电陶瓷性能的计算方法 ,计及了四方结构铁电多晶材料中晶粒与基体间相互的能量作用 ,考虑了 90°及 180°反转的不同能量限值 ,计算结果表明该模型能较好地描述铁电材料的非线性行为。     

掺稀土元素钇的n-型a-Si:H 薄膜

本文报导了将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅中的实验结果。在含有氢气的氩气中由射频溅射获得了掺钇的α—Si:H 薄膜,热探针测试表明样品为 n 型,室温(300K)直流电导率最大值为6×10~(-1)Ω~(-1)·cm~(-1)。变温电导测量指出,在室温附近样品是激活型延展态电子导电,所得样品的电导激活能最小值为0.12ev。将掺钇的α—Si:H 膜沉积在 p 型单晶硅片上,制备出α—Si/c—Si 结构的p—n 结,测量其电流—电压特性结果表明,它具有象晶态半导体 p—n 结同样的整流作用。     

固溶体KTa1—xNbxO3陶瓷的热释电性质

本文首次报道KTN铁电陶瓷的热释电系数λ与温度的依赖关系。测量了极化强度P。结果表明,x=0.5和0.6的样品在25℃时,P=4.6μc/cm~2和5.0μc/cm~2;λ=2.0×10~(-8)c/cm~2K和1.7×10~(-8)c/cm~2K。并讨论了Nb含量对极化强度的影响。     

罐形磁芯法测量软磁薄膜复数磁导率的研究

介绍了罐形磁芯法测量软磁薄膜材料磁导率的磁路结构原理,根据磁路磁通分布,给出了计算的等效磁路;推导了复数磁导率的计算表达式;利用罐形磁芯法在阻抗分析仪上测量了几种软磁薄膜样品的复数磁导率,并与冲击法的实验结果做了比较,获得了较为一致的结果。     

厘米波段气体放电管噪声发生器

本文以E—10°、E—7.5°、E—10°斜插和H—90°四种耦合方式7.14～10厘米波段的8瓦及6瓦2.5～3.5毫米Hg低压氩气荧光灯放电管噪声发生器进行研究,从所获得各种性能分析比较,认为在测量具有20分贝以下噪声系数的厘米波段设备方面,E—10°插入式是个最适合的次标准噪声源。     

海水鲈鱼鳞片及鳍骨中羟基磷灰石的X射线极图法和ODF法择优取向分析

采用X射线衍射采集海水鲈鱼鳞片中羟基磷灰石(002)、(130)、(211)面网和鳍骨中羟基磷灰石(031)、(120)、(132)面网极图数据并计算了取向分布函数(ODF)以分析其择优取向特征,其中鳞片极图数据显示出羟基磷灰石结晶学c轴主要有3个择优取向,分别是与鳞片法线方向平行、相交39°和相交63°,而鳍骨极图推测出其羟基磷灰石c轴择优取向大致有五个方向,分别与鳍骨截面法线相交3°、9°、17°、24°和36°. ODF的计算结果表明,鳞片中羟基磷灰石有比较明显的择优取向是结晶学c轴近似平行于鳞片表面,同样,鳍骨ODF中羟基磷灰石择优取向为结晶学c轴近垂直于截面.极图和ODF结果上的差别是由于极图本身是晶体取向的二维投影图,单张极图显示的择优信息不够完整,因此ODF用来解析生物矿物的择优取向特征更为准确.鳞片和鳍骨中羟基磷灰石结构中的择优取向现象是因为生物矿化过程中有机质的调控作用而使结晶学c轴趋向平行胶原纤维长轴方向,并且这种择优特征也是硬体组织具有优良力学性能的要求.     

采用谐振腔微扰法的NiZn铁氧体介电常数测量

谐振腔微扰法广泛用于材料微波介电性能的测量,它与常规的测量方法相比,具有样品尺寸小、计算公式简单的优点,在近似计算频率、谐振腔品质因数、材料的介电常数等方面具有较高的应用价值.采用谐振腔微扰法,测量不同配方NiZn铁氧体在微波频段的复介电常数,计算得到介电常数的虚部ε″和实部ε',进而分析Ni和Zn的含量对NiZn铁氧体材料介电常数的影响.     

我国北方夏季风期间降水的若干气候特征——谱分析和自然正交函数的应用

本文的工作是用谱分析和自然正交函数展开等方法,对我国北方地区(主要指黄河中下游、海河流域和辽河流域的部分地区,约为102°E—120°E、34°N—43°N的范围)301个台站的22年(1958—1979年)的降水资料,主要是7、8月降水量进行了分析,得到该地区夏季风期间降水时空分布的一些气候特征,全部计算工作在TQ-16计算机上完成。     

剪切盒加载下岩石剪切(Ⅱ型)断裂韧度KⅡc的测定

采用剪切盒实验获得了岩石的Ⅱ型断裂并测定了岩石的Ⅱ型断裂韧度KⅡc,通过有限单元法中的位移法推导出剪切盒加载下双切口试样的Ⅱ型应力强度因子KⅡ的一般计算公式,并探讨了KⅡc的尺寸效应和Ⅱ型断裂机理.实验及数值计算结果表明在剪切盒加载下,裂纹尖端最大拉应力始终低于岩石的拉伸强度,最大剪应力大于其对应压应力下的剪切强度,且Ⅱ型最大应力强度因子KⅡmax为Ⅰ型最大应力强度因子KImax的2～4倍,从而导致产生Ⅱ型断裂;测得的KⅡ c值随无量纲切口长度(2a/W)的增加而降低,当2a/W≥0.7,且B≥W,α为65°～75°时,Kc趋近于一个常数,该常数为Ⅰ型断裂韧度KIc的2～3倍,可认为是较合理的岩石Ⅱ型断裂韧度值;剪切盒实验是一种测定岩石KⅡc的行之有效的方法.     

γ（fcc）→ε（hcp）马氏体相变切变角的原子力显微镜测定方法

建立了一种测量γ(fcc)→ε(hcp)马氏体相变切变角的方法.运用Thompson四面体和几何模型推导出马氏体变体的迹线方向,通过计算求得相变浮凸角与真实切变角的对应关系.应用原子力显微镜(AFM)测量了Fe-30％Mn-6％Si合金应力诱发马氏体相变的浮凸角.文中两个实例计算结果分别为17.85°和21.10°,与理论值19.47°相比误差小于2°,表明该方法具有精度较高、操作简单的特点.     

超导体Li_2Pd_3B的高压合成

利用高温高压的方法成功合成出块状Li2Pd3B超导体。由于高压能抑制Li的挥发,所获得样品具有比较好的单相性。使用超导量子干涉仪(SQUID)和标准的四引线法分别对样品的磁性和电性进行了测量,我们发现高压下得到的样品和常压下的样品具有相同的转变温度Tc(8K)和上临界场Hc2(0)(4.26T)。根据Bean模型计算出在5K时,在其自身磁场下块状样品的临界电流密度达到2.9×103A/cm2。实验结果表明高温高压合成是制备和研究Li2Pd3B新型金属间化合物超导体的一种非常有效的手段。     

γ(fcc)→∈(hcp)马氏体相变切变角的AFM测定方法

建立了一种测量 γ(fcc)→ ε(hcp)马氏体相变切变角的方法 .运用 Thompson四面体和几何模型推导出马氏体变体的迹线方向 ,通过计算求得相变浮凸角与真实切变角的对应关系 .应用原子力显微镜 (AFM)测量了 Fe-30 Mn- 6 Si合金应力诱发马氏体相变的浮凸角 .文中两个实例计算结果分别为 17.85°和 2 1.10°,与理论值 19.47°相比误差小于 2°,表明该方法具有精度较高、操作简单的特点 .     

金（Au）的背散射截面测量

在0.4～2.0MeV的能区中 ,对质子轰击金靶、散射角为160°时的卢瑟福背散射离子能谱进行分析 ,并且测量出其微分散射截面 ,与计算出的理论值进行比较。发现在1.0～2.0MeV的能区中 ,实验与理论的σ—E曲线符合得很好。