高岭石和NaZr_2P_3O_（12）为基的矿物快离子导体

利用天然矿物高岭石为原料，采用高温固相应制备了Ｎａ１＋２ｘＡｌｘＺｒ２－ｘＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统的矿物快离子导体材料．Ｘ射线衍射表明，该材料具有Ｎａｓｉｃｏｎ型的骨架结构，２９８～６７３Ｋ离子电导率为００１～１ｍＳ／ｃｍ，激活能４０５３～５２１１ｋＪ／ｍｏｌ，当ｘ＝０５时呈现最高电导率，在６７３Ｋ时其电导率达到２５ｍＳ／ｃｍ，它的活化能为４０５３ｋＪ／ｍｏｌ     

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3·yLa_2O_3固溶体的合成、结构与性能

用化学掺杂方法合成了Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３和Ｂａ０９Ｓｒ０１ＴｉＯ３·ｙＬａ２Ｏ３（０≤ｘ≤１,０≤ｙ≤０３）系列固溶体超细粉末。ＸＲＤ证实,当ｘ＝１,ｙ＝０时,为四方晶系ＢａＴｉＯ３纯相,当０＜ｘ＜１,０＜ｙ≤０３时,得到一系列完全互溶固溶体,结果符合Ｖｅｇａｒｄ定律。ＳＥＭ观察粒子为球形,大小均匀,粒度０２～０３μｍ,制陶实验发现,钛酸钡经化学掺杂后,室温介电常数显著提高,当ｘ＝０１,ｙ＝００２时,ε可达３００００,比ＢａＴｉＯ３纯相的室温介电常数提高２０倍。     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．     

Na_(3.3)Zr_(1.65-X)Ti_XSi_(1.9)P_(1.1)O_(11.5)系统的相组成及性能

通过高温（１１７３—１４７３Ｋ）固相反应．制备了钠快离子导体ＮＡ３．３Ｚｒ１．６５－ＸＴｉＸＳｉ１．９ Ｐ１．１Ｏ１１．５系统中Ｘ＝０－１．６５的一系列合成物，研究了该系统的相变情况，探明了在ｘ＝０．５－０．９ 的组成范围内可制得ＮＡＳＩＣＯＮ单相．其中电导性最好的是Ｘ＝０．６的合成物．在６２３ｋ时它的电导 率为１８．９Ｓ·ｍ－１，在４７３—６７３Ｋ温区里其电导激活能为４１．７ＫＪ／ｍｏｌｅ．     

一类三次Kolmogorov系统的定性分析

研究了一类三次Ｋｏｌｍｏｇｏｒｏｖ系统ｘ＝ｘ（Ａ０＋Ａ１ｘ－Ａ３ｘ＾３＋Ａ２ｙ），ｙｄ＝ｄｙ（－１＋ｘ＾２－６（（＊）；ｘ＝ｘ（Ａ０＋Ａ２ｘ－Ａ３ｘ＾２－Ａ２ｙ），ｙ＝ｙ（－１＋ｘ＾２－ｙ）（＊＊）。得到：（１）Ａ０＞Ａ２，Ａ２＜Ａ３＜Ａ１时，系统（＊）在第一象限内不存在极限环；（２）当Ａ３＞Ａ２，Ａ０＋Ａ２＞１／２时，系统（＊＊）在第一象限内是全局稳定性的。     

Hf2+xMo3-xSi4(x=0.3)的合成、晶体结构及成键特性

电弧熔炼方法合成了Ｈｆ２＋ｘＭｏ３－ｘＳｉ４（ｘ＝０．３）,单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．化学式,Ｈｆ２．３（２）Ｍｏ２．７（２）Ｓｉ４,Ｍｒ＝７８１．９,晶体学及结构参数：正交晶系,Ｃｅ２Ｓｃ３Ｓｉ４类型,（６２）Ｐｎｍａ,ａ＝０．６５７９（１）,ｂ＝１．２８１８（４）,ｃ＝０．６７７８（１）ｎｍ,Ｖ＝０．５７１６（１）ｎｍ３,Ｚ＝４,Ｄｘ＝９．０８４ｇ／ｃｍ３,μ＝５０１．５５ｃｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ）,Ｆ（０００）＝１３４０,Ｔ＝２９６Ｋ,对于２５个修正参数和６３７个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０７５,ｗＲ＝０．０６８．此结构中,Ｓｉ原子两两成键联接成哑铃状,Ｍｏ原子均处于Ｓｉ原子所形成的配位畸变八面体中心,这些配位八面体最终联接形成三维Ｍｏ－Ｓｉ网络,Ｈｆ原子则散布在网络之间沿［１００］方向的隧道中．此化合物组成和结构不符合价键规律,成键具有过渡性且原子的配位环境遵守此类化合物规律．     

一类具有二阶细焦点的二次系统

对如下一类具有二阶细焦点的二次系统进行了研究， ｄｘ／ｄｔ＝－６＋ａｘ＾２， ｄｙ／ｄｔ＝ｘ＋ｌｘ＾２＋ｍｘｙ＋ｎｙ＾２，其中ｗ１＝－２ａｌ－ｍ（ｌ＋ｎ）＝０，ｗ２＝ａ（２ａ＋ｍ）（３ａ－ｍ０［ｎ（ｌ＋ｎ）＾２－ａ＾２（ａｌ＋ｎ）］≠０。证明了当－１＜ｌ／ｎ≤时，系统（１）在０外围     

钠快离子导体Na_(3-x)Zr_(2-x)V_xSi_2PO_(12)系统的固相合成与表征

通过高温固相反应合成了钠快离子导体Ｎａ３－ｘＺｒ２－ｘＶｘＳｉ２ＰＯ１２系统的一系列合成物、其合成反应均可在低于１３７３Ｋ的温度下完成，且该系统的合成温度随ｘ增大而降低．Ｘ－射线衍射数据表明，当ｘ＜０．５时，其合成物为ＮＡＳＩＣＯＮ单纯相，其空间群为Ｃ２／ｃ，当ｘ＞０．５时，合成物开始玻璃化。系统合成物的有关晶胞参数随ｘ的增大而相应缩小，电性能测定结果表明，最好电导性的起始组成为ｘ－０．１．其导电率在室温时为５．４５×１０－４Ｓ·ｃｍ－１，在７２３Ｋ时为１．０４×１０－１ｓ·ｃｍ－１，其电导激活能为 ２３．４６ｋＪ／ｍｏｌ。     

Fe-P-N 合金中的 Snock-Kê-Kster峰

研究了变形Ｆｅ－Ｐ－Ｎ合金的内耗和沉淀，发现含置换元素磷的三元系铁的ｈｈＳＫＫ／ｈＳ比值不是给定值，而是磷含量的函数．在ｃＮ≤０．００３质量百分数％，ｃＰ≤０．０６４质量百分数％时，存在关系式ｈｈＳＫＫ／ｈＳ＝Ｋ１ｃ（－２／３）Ｐ＋Ｋ２，截距Ｋ２产生的原因是由于固溶合金基体中存在磷原子对和气团．     

五次(0,3)类缺插值样条的局部渐近性质

本文讨论［１］中所定义的五次（０，3）类缺插值样条Ｓｎ（ｘ），当ｆ∈ｃθ［０，１］时，的局部渐近性质。得到： 定理 设ｆ（ｘ）∈Cθ［０，１］，Sｎ（ｘ）是ｆ（ｘ）的五次（0，3）类（ｉ）型缺插值样条，＝Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ，那么对于任意固定的ｘ∈（０，１），当 n→时有 Ｓｎ（ｘ）＝ｆ（ｘ）－［Ｂθ（ｕ）－１／４２］·ｆ（６）（ｘ）·ｈ６／６！＋ｏ（ｈ６）和 Ｓｎ（ｒ）（ｘ）＝＝ｆ（ｒ）（ｘ）－Ｂ６－ｒ（ｕ）ｆ（６）（ｘ）·ｈ６－ｒ／（６－ｒ）！＋ｏ（ｈ６－ｒ），ｒ＝１，２，３，４，5。其中Ｂ１（ｕ）是首项系数为１的ｊ次Ｂｅｒｎｏｕｌｌｉ多项式；u＝（ｘ－γｈ）ｉ　γ＝［ｎｘ］。     

关于乘积空间上的Marcinkiewicz积分

该文给出了如下定义乘积空间Ｒｎ×Ｒｍ上一类带粗糙核的Ｍａｒｃｉｎｋｉｅｗｉｃｚ积分算子μΩ，ｂ（ｆ）的Ｌ２（Ｒｎ×Ｒｍ）有界性：μΩ，ｂ（ｆ）（ｘ，ｙ）＝（∫∞０∫∞０｜Ｆｂ，ｔ，ｓ（ｘ，ｙ）｜２ｄｔｄｓｔ３ｓ３）１／２，这里，Ｆｂ，ｔ，ｓ（ｘ，ｙ）＝｜ｘ－ｕ｜≤ｔ｜ｙ－ｖ｜≤ｓΩ（ｘ－ｕ，ｙ－ｖ）ｂ（｜ｘ－ｕ｜，｜ｙ－ｖ｜）｜ｘ－ｕ｜ｎ－１｜ｙ－ｖ｜ｍ－１ｆ（ｕ，ｖ）ｄｕｄｖ，且Ω为原子Ｈａｒｄｙ空间Ｈ１ａ（Ｓｎ－１×Ｓｍ－１）中的函数，ｂ为空间ｌ∞（Ｌｑ（Ｒ＋×Ｒ＋）中的径向函数     

高阶Schrodinger方程的一类半隐式差分格式

构造高阶Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程ｉδｕ／δｔ＋（－１）＾ｍδ＾２ｍｕ／δｘ＾２ｍ＝０的一类半隐式差分格式，给出了它们的稳定性条件。     

复合型POM：3，5－DNBA的晶体结构

３－甲基－４－硝基吡啶－１－氧（ＰＯＭ）与３，５－二硝基苯甲酸（３，５－ＤＮＢＡ）的复合型晶体从乙醇与丙酮的混合溶液中培养获得，其组成为１：１，己被元素分析和ｘ射线衍射实验所证实；其熔点由ＤＳＣ热分析测得，为１２２．６℃。该晶体化合物属单斜晶系，空间群为Ｐ２１／ｎ，单胞参数为：ａ＝０．９５５３（２）ｎｍ，ｂ＝０．５７７５（４）ｎｍ，ｃ＝２．７９６２（４）ｎｍ，β＝９９．０３（１）°，ｖ＝１．５２４（１）ｎｍ３，ｚ＝４，Ｄｃ＝１．６０ｇ／ｃｍ３，λ（Ｍｏｋα）＝０．０７１０７３ｎｍ，μ＝１．２９ｃｍ－１，Ｆ（０００）＝７５２，最终Ｒ＝０．０５１，Ｒｗ＝０．１６５［ｗ＝１／σ２（Ｆ）］，其中１８０２个可观察衍射点参与结构计算，复合型分子中存在一个氢键。     

一个Riccati方程解的渐近性态

该文在ｐ（ｘ）∈ｃ’「ｘ０＋∞），ｑ（ｘ）∈ｃ「ｘ０，＋∞），ｘｃ〉０且０≤１／２ｐ’（ｘ）－１／４ｐ＾２（ｘ）＋ｑ（ｘ）≤１／４ｘ＾２的条件下，研究下列Ｒｉｃｃａｔｉ方程的解的极限ｌｉｍｘ→＋∞ｙ（ｘ），ｌｉｍｘ→＋∞，ｌｉｍｚ→＋∞ｙ’（ｘ）／ｙ（ｘ），由此得到了此类方程的任一非零解存在渐近线的充分必要条件。     

红外光谱中溶剂效应机理研究（Ⅴ）──有机锡络合物红外光谱的溶剂效应

用Ｃｙ２ＢｕＳｎＯＣ－Ｃ６Ｈ４－ｘ，Ｃｙ２ＭｅＳｎＯ２Ｃ－Ｃ６Ｈ４－ｘ，ＣｙＢｕ２ＳｎＯ２Ｃ－Ｃ６Ｈ４－ｘ（Ｘ＝Ｈ、ｐ－ＣＨ３、ｐＣＨ３Ｏ、ｐ－ＮＯ２、ｐ－Ｆ、ｐ－Ｃｌ、ｐ－Ｉ、ｐ－ＯＨ、Ｐ－ＮＨ２、ｍ－ＮＯ２、ｍ－ＣＨ３Ｏ）３个系列共１８种取代苯甲酸配位的有机锡络合物在１３种有机溶剂（环己烷、正己烷、正庚烷、四氯化碳、苯、甲苯、乙醚、氯伤、二氯甲烷、１，２－二氯乙烷、四氢呋喃、对二氧六环、乙腈）中的羰基伸缩振动波数（以下简写为ｖｃ＝０）和氯仿在７种溶剂（硝基甲烷、乙腈、乙酸乙酯、四氯化碳、环乙烷、对二氧六环、四氢呋喃）中的ｖｃ－ｃ１的溶剂效应，验证了先前提出的经验方程．     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

HfReSi的合成,晶体结构及成键特性

电弧熔炼方法合成了ＨｆＲｅＳｉ，单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＨｆＲｅＳｉ，Ｍｒ＝３９４．８９，六方晶系，ＺｒＡｌＮｉ类型，（１８９）Ｐ－６２ｍ，ａ＝０．６９３４３（７）ｎｍ，ｃ＝０．３３９５０（６）ｎｍ，Ｖ＝０．１４１３７（３）ｎｍ３，Ｚ＝３，Ｄｘ＝１４．０２４ｇ／ｃｍ３，μ＝９４．２９ｍｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４８５，Ｔ＝２９６Ｋ，对于９个修正参数和３５８个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０６４，ｗＲ＝０．０６３．此结构中，Ｒｅ－Ｓｉ形成紧密结合的准一维三方棱柱，柱之间通过Ｓｉ原子的过渡成键桥联形成柱的密堆积．原子尺寸效应是我们理解此结构和其它Ｆｅ２Ｐ多元替代结构的形成的关键．     

Al3＋替代对Mg－Mn微波铁氧体性能的影响

研究用Ａｌ３＋替代Ｆｅ３＋，对Ｍｇ－Ｍｎ尖晶石微波铁氧体性能的影响，结果表明，随Ａｌ３＋替代量增加，铁氧体的４πＭｓ下降，电阻率增加，介电损耗和磁损耗下降。当ｘ＝０．４时，４πＭｓ在６００～６５０ＫＡ／ｍ，介电损耗和磁损耗都较小，适合于Ｓ波段器件的使用要求。用化学共沉法制备粉料，并用普通氧化物工艺制备Ｍｇ－Ｍｎ铁氧体，研究了烧结温度和气氛对铁氧体性能的影响。当ｘ＝０．４时，可制得如下性能的铁氧体：４πＭｓ：６００－６５０ＫＡ／ｍ；Ｔｃ：２５０℃；ρ：４．５×１０８Ω·ｃｍ；ｔｇδｅ：１．１×１０－２（ｆ＝２６ＭＨＺ）；ｔｇδＭ：１×１０－２（ｆ＝９ＭＨＺ）；ε：１１．０；Ｄ：４．６８×１０３ｋｇ／ｍ３．     

La－Sm－Sn－O烧绿石型甲烷氧化偶联催化剂的研制

为了研制用于从天然气制取乙烯的，具有良好的催化活性、选择性和稳定性的催化剂，用溶胶－凝胶法合成了系列稀上－锡复合氧化物Ｌａ２－ｘＳｍｘＳｎ２Ｏ７（ｘ＝０．０，０．５，１．０，１．５，２．０）．用ｘＲＤ对其结构研究表明：Ｌａ２－ｘＳｉｎｘＳｎ２Ｏ７，系列稀土－锡复合氧化物均具有烧绿石型结构，属立方晶系，空间群为Ｆ３ｄｍ．同时发现其晶胞参数ａｐｙｒ随Ｓｍ掺入量增加而近乎线性减小．并在脉冲激反应器上，对其催化活性进行评价．结果表明：Ｓｍ２Ｓｎ２Ｏ７复合氧化物对甲烷氧化偶联反应具有良好的催化活性，在ＣＨ４／Ｏ２＝４，温度在８００℃～９００℃，Ｘ＝２．０时，Ｃ２选择性为３８．１％，产率为９．２％，其中Ｃ２＝的选择性为２７．９％，产率为６．４％．同时发现晶格缺陷的形成有利于催化剂催化活性的提高．     

POM: TNP混合晶体的结构

３－甲基－４－硝基吡啶－１－氧（ＰＯＭ）与２，４，６－三硝基苯酚（ＴＮＰ）的混合晶体从三氯甲烷溶液中生长获得，组成为１∶１，熔点８５℃．采用Ｘ射线衍射法测定ＰＯＭ∶ＴＮＰ混合晶体结构，属单斜晶系，空间群：ｐｎ，ａ＝０．６２４６（４）ｎｍ，ｂ＝１．６０５８（６）ｎｍ，ｃ＝１．５２２８（３）ｎｍ，β＝９５．６２（３）°，Ｖ＝１．５２０（２）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｃ＝１．６７ｇ／ｃｍ３，λ（ＭｏＫα）＝０．０７１０６９ｎｍ，μ＝１．４０ｃｍ－１，Ｆ（０００）＝７８４，Ｒ＝０．０５９．结果表明，该晶体中两个不同分子之间存在一个氢键