不同分散剂对水热法制备氧化锆颗粒分散性的影响

研究利用氯氧化锆和氨水作为原料水热法制备氧化锆微粉的方法。对分散剂种类及分散剂量对氧化锆微粉分散性影响进行了讨论,应用扫描电子显微镜和粒度分布仪对获得的氧化锆粉体进行分析。结果显示：加入聚乙二醇6000时,二氧化锆在水中分散性最好;采用1.150%聚乙二醇作为分散剂时,可获得在水中分散性较好的氧化锆粉末;相同质量分数的分散剂,分散效果较好的排序是：有机高聚物〉无机电解质〉阴离子表面活性剂〉有机物异丙醇。     

St－BA－AAA的无皂乳液聚合——粒径及羧基分布

本文研究了苯乙烯－丙烯酸丁酯——甲基丙烯酸无皂乳液共聚合中，甲基丙烯酸用量、水油比和水相ｐＨ值对乳液粒径及其羧基分布的影响。实验结果表明：改变甲基丙烯酸的用量，能有效地改变粒子表面羧基含量；水相ｐＨ值是影响粒径大小的重要因素；采用无皂乳液聚合可获得粒径具有单分散性的Ｓｔ－ＢＡ－ＭＡＡ乳液。     

高速离心机分离金刚石微粉的工艺研究

介绍了金刚石微粉的分级原理以及分级方法,对微粉的分级过程进行了讨论,采用硅酸钠和阿拉伯树胶作为分散剂,通过配制不同配比的溶液,利用高速离心机,对0.5μ的金刚石微粉进行分级。通过对不同实验条件下,微粉分级结果的对比分析,确定并细化了分级的操作步骤,制定了以减少分级次数为目标的分级工艺,提高了分级的效率,并且得出了采用硅酸钠和阿拉伯树胶混合溶液作为分散剂分级效果最好的结论。     

高密度磁记录用Co—Sn替代钡铁氧体微粉的结构与磁性

对玻璃陶瓷法制备的ＢａＦｅ１２．２ｘ（Ｃｏ－Ｓｎ）ｘＯ１９的Ｃｏ－Ｓｎ替代钡铁氧体微粉的磁性作了介绍，研究了微粉粒子的晶化过程：微粉的磁性对粒子形态、结构及Ｃｏ－Ｓｎ替代量ｘ的依赖关系；微粉矫顽力与温度的依赖性；测量并讨论了粒子表面自旋对饱和磁化强度的影响。     

半导体制造用碳化硅粉体偶联剂表面改性

 采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体进行表面改性,通过单因素实验及正交试验确定出改性过程最优化工艺参数：反应温度90℃,反应时间4h,KH-550硅烷偶联剂用量1.5g,并通过扫描电镜、X射线衍射仪、红外光谱仪、激光粒度分析仪对制备的改性粉体进行表征,分析改性对SiC料浆分散稳定性的影响。结果表明,SiC微粉经偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变了其在水中的胶体性质;中位径d_0.5略有减小,粒度分度分布范围变窄,扫描电子显微镜(SEM)显示微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生了很大变化,在酸性条件下Zeta电位有显著的提高,pH值为3.78时,Zeta电位获得最高正电位为41mV,悬浮液的分散稳定性得到明显改善。     

碳纳米管在水中分散性能

以超声波为辅助工具,分别研究在水中加入不同类型的阳离子、阴离子型等表面活性剂对碳纳米管分散性的影响,通过记录分散的碳纳米管溶液的保存时间和离心时间现察其分散性,并采用SEM和TEM对分散效果进行分析和表征。研究结果表明,十六烷基三甲基溴化铵和乳化剂OP作为分散剂的分散效果最好。     

碳纳米管在水中分散性能

以超声波为辅助工具,分别研究在水中加入不同类型的阳离子、阴离子型等表面活性剂对碳纳米管分散性的影响,通过记录分散的碳纳米管溶液的保存时间和离心时间现察其分散性,并采用SEM和TEM对分散效果进行分析和表征.研究结果表明,十六烷基三甲基溴化铵和乳化剂OP作为分散剂的分散效果最好.     

改进的无约束化的BFGS算法

提出了一种改进的ＢＦＧＳ算法，该算法的基本思想是采用多步迭代改变一次ＢＦＧＳ算法的修正公式；在假设ｆ（ｘ）是二阶连续可微且一致凸的条件下，证明了该算法超线性收敛性；最后给出该算法的数值实验结果。     

几种工程陶瓷的延性域磨削

在几种磨削条件下,采用不同粒度金刚石石砂轮对工程陶瓷材料进行了延性域磨削,着重研究了磨粒尺寸和各磨削参数对陶瓷材料磨削过程中脆性／延性转换的和各磨削转换的影响,并用微粉金刚石砂轮（Ｗ２．５）进行ＺｒＯ２、Ｓｉａｌｏｎ和Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的超精密磨削,获得表面粗糙度Ｒａ３,４,８ｎｍ的超光滑镜面最后采用ＳＴＭ对上述精密镜面的形貌和细节进行了观测,为解释延性域磨削的表面形成机理提出了依据。     

分散剂对碳酸钙微粉粒度测定的影响

采用沉降法测定了碳酸钙微粉的粒度．研究了分散剂种类、分散剂用量、碳酸钙微粉在水中的质量分数和测定温度对碳酸钙微粉粒度测定的影响，得出最佳测定条件为：添加的分散剂为焦磷酸钠；分散剂用量为0．1％；碳酸钙微粉在水中的质量分数为0．7％-1．05％：测定室温为5℃～35℃．     

钢基底上预镀中间层沉积金刚石膜

利用表面预镀中间层在４５号钢上化学气相沉积（ＣＶＤ）得到了金刚石膜。钢基底表面金刚石涂层具有许多潜在应用价值，但直接在钢上沉积生长金刚石面临长的形核期，铁原子的触媒作用和热膨胀不匹配等严重问题。文中采用钢基底表面预镀中间层的方法，阻止碳向基底中扩散，增强膜基结合和抑制ＳＰ２杂化碳的沉积。分别研究了直接在钢基底上、表面预镀铜膜和表面预镀硅膜钢基底上热丝法沉积金刚石膜的工艺特点。通过ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ谱和划痕法检验表明，钢基底表面预镀硅膜作为中间层，是一种在钢上沉积金刚石膜的有效方法。     

金刚石表面的金属化

用真空蒸镀法在金刚石镀覆Ｔｉ层，并经扩散处理使金刚石表面形成ＴｉＣ膜，实现了金刚石表面的金属化，Ｘ射线衍射分析证实了ＴｉＣ的存在，利用ＸＰＳ定量分析验证了在金刚石表面碳原子与钛镀层之间的反应模型，经表面金属化的金刚石烧结体的力学性能测试表明，金刚石与粉末合金界面上的结合得到增强。     

BaTiO3微粉的溶胶凝胶制备与表征

采用溶胶凝胶工艺制备ＢａＴｉＯ３超微粉，利用ＸＲＤ技术研究了不同工艺条件下ＢａＴｉＯ３微粉的结晶结构。根据Ｓｃｈｅｒｒｅｒ原理计算了ＢａＴｉＯ３微晶的晶粒尺寸效应。     

Al-Fe系金属盐絮凝剂在β-SiC微粉分级中的性能研究

简要综述了无机絮凝剂的性能.根据无限微热源法合成的β-SiC微粉产品的表面性能,以及AI-Fe系金属盐絮凝剂性能,在β-SiC微粉分级分选过程中,通过加入不同种类、浓度配比的外加剂,测定其絮凝时间和溶液浊度,对比得到适合于无限微热源法合成β-SiC微粉分级分选的外加剂.结果显示,AI-Fe系金属盐絮凝剂可应用于无限微热源法合成的β-SiC微粉的分级分选过程中,在最佳配比和浓度下能够良好地加速分级沉降速度,减小操作难度,提高分级分选效率.     

液态Bi—Te和Bi—Se系合金的电阻率与金属—非金属转变

测量了含Ｔｅ４０％－７０％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｔｅ合金在７００－８５０℃和含Ｓｅ４０％－６５％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｓｅ合金在７００－９００℃的电阻率，得到在所述成分范围内，液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属导电性；而对于液态Ｂｉ－Ｓｅ合金，当成分接近Ｂdisplay status     

β-SiC微粉过滤分级实验研究

针对磨料微粉精细分级存在的困难,自行设计了过滤分级装置。研究了料浆浓度、原料粒度、滤层粒度和厚度以及横截面积对β-SiC微粉过滤分级结果的影响。实验结果表明:该分级装置可以实现亚微米粒径的精细分级,可稳定获得W3.5、W2.5、W1.5的β-SiC微粉产品,分级精度好、分离效率高,实现了对β-SiC微粉窄级别的分级。     

织构金刚石薄膜生长特性与研究

目前利用气相法得的金刚石薄膜多为晶膜，性能远不如天然金刚石，严重地影响了它在光学、电子学等方面的应用。因此，如何控制合成条件，实现金刚石薄膜的均匀定向生长是目前金刚石薄膜研究中急需解决的课题。本工作利用电子促进ＨＦＣＶＤ技术成功的得到了织构生长的金刚石薄膜，研究了合成的优化工艺条件。实验中钨丝温度为２０００℃，ＣＨ４／Ｈ２浓度０．４—２％，基片温度控制在７５０－９００℃，基片与钨丝之间加偏压１３０Ｖ。对合成的薄膜用扫描电子显微镜（型号ＳＥＭ１０００Ｂ—２）观察薄膜的形貌。结果表明，当碳源浓度为的０．８％，基片温度为８７０℃时，晶粒晶形好，样品上金刚石颗粒已经连成了薄膜，每个晶粒顶部呈现和衬底平行的（１００）面。ＣＨ４浓度高时，晶性变差，呈粗糙的球状多晶状。基片温度过低时晶形较差。温度过高因相变和气化不能成膜。基片温度在８５０℃－９００℃范围内可连续成膜。加衬底偏压可以提高基底表面能和降低原子团界面自由能，因而可以促进成核。综上，我们利用偏压促进成核ＨＦＣＶＤ技术，在优化工艺条件下得到了织构生长金刚石薄膜，为揭示其外延生长机理提供了实验数据     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。     

超微粉的电水锤法解团聚研究

采用高压电水锤方法进行微粉的分散与解团聚研究，分析了不同形状的Ｐｂ－ＴｉＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ａ－ＳｉＣ等超微粉解团聚前后的粒径分布情况，并用离心沉降法和激光光散射两种不同测试方法进行了粒径测试与分析比较。ＳＥＭ观察证明，水锤处理后微粉的团聚程度大大降低，粒径明显减小，证明此方法是有效的分散与解团聚的新方法。     

合成金刚石薄膜生长工艺的研究

采用一种快速生长金刚石薄膜的直流等离子体弧焰合成法，进行生长金刚石薄膜的实验。讨论了生长金刚石薄膜时各种工艺条件对成膜形态的影响。ＳＥＭ照片与拉曼光谱分析表明，在工艺条件合适时，可快速生长金刚石薄膜。