电子束外延生长Er2O3单晶薄膜

使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10     

单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制

采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.     

外延生长的SrTiO_3/DyScO_3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在.高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错:剪切位错和螺旋位错.结果显示,总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多.我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加.这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式.     

激光分子束外延制备薄膜技术

激光分子束外延制备薄膜是在传统分子束外延和普通激光淀积技术基础上发展起来的,以原子层、原胞层尺度研制薄膜的技术和方法．简要介绍了激光分子束外延的装置和工作原理、特点与优势及其研究内容,并对其应用前景进行了展望.     

磁控溅射法制备Er2O3薄膜及其力学性能研究

金属表面纳米化可以明显改善材料表面力学性能,并能对原子的热扩散起到促进作用,本文尝试采用材料表面纳米化技术改善316L不锈钢金属基底与Er₂O₃薄膜相结合的力学性能.对316L不锈钢采用超音速微粒轰击法处理使得基体表面纳米化,之后采用磁控溅射法在表面纳米化和粗晶粒的316L不锈钢基体上沉积Er₂O₃薄膜并进行500℃和700℃的退火.发现薄膜在500℃退火时相结构基本保持稳定,在700℃退火时Er₂O₃薄膜发生明显的单斜相向立方相的转变.利用采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（SEM）和纳米划痕测试对薄膜和基底的结合性能评价.结果表明,700℃退火后的薄膜的要比500℃退火后的薄膜表面裂纹更少,更平整,且证得基底纳米化会使膜基结合性能得到提高.     

离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜

本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为１３３＂，并具有原子水平平整程度的ＺｎＳｅ（１００）单晶薄膜。     

掺杂导致的Al_2O_3：Er~（3＋）的荧光发射的增强效应

通过先沉淀后退火法合成了Al2O3：Er3＋荧光粉,研究了980nm激光激发下Al2O3：Er3＋荧光粉的光致发光性质。为了增强Al2O3：Er3＋荧光粉的荧光强度,Ba2＋,Ca2＋,Sr2＋,Mg2＋四种离子被掺杂进入了这种荧光粉中。结果了发现,掺杂后的Al2O3：Er3＋荧光粉的荧光强度大幅度增加。     

Er2O3薄膜的电学性质研究

Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源，制备了Er2O3的薄膜，随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C—V及I—V特性的测试，认为该材料的电学特性优秀，应该进行进一步的研究。     

烧结助剂Cr_2O_3、Mn_2O_3的添加对ZTM陶瓷常温性能的影响

通过对试样的断裂强度、断裂韧性、相对密度、气孔率、玻璃相含量以及显微结构的研究 ,探讨了 Cr2 O3、Mn2 O3的添加对 ZTM陶瓷常温性能的影响。实验结果表明 :Cr2 O3、Mn2 O3的添加对 ZTM陶瓷材料产生了完全不同的影响。Cr2 O3的颜色在不同方法制备的试样中 ,呈现不同的颜色变化。Mn2 O3的添加可以增加试样的玻璃相含量 ,降低材料的力学性能     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

共沉淀法制备复合Al_2O_3-Cr_2O_3超微粒子粉末

探讨了文题的方法,研究了溶液的pH值、反应物浓度及配比、反应温度对合成的Al_2O_3-Cr_2O_3粒子的粒径、粒径分布以及组成的影响规律。结果表明,合成粒子的最佳pH值范围为4.4～5.0;粒子的组成仅取决于反应物初始浓度的配比,改变反应物初始浓度及配比可以十分有效地控制粒子的性能;反应温度对粒子的粒径及分布影响很小。制得的复合Al_2O_3-Cr_2O_3超微粒子呈球形、组成均一。     

Electrodeposition of functionally graded Ni-W/Er_2O_3 rare earth nanoparticle composite film

Multi-layered functionally graded(FG) structure Ni-W/Er_2O_3 nanocomposite films were prepared by continuously changing the deposition parameters, in which the Er_2O_3 and W contents varied with thickness. The microstructure and chemical composition of the electrodeposited Ni-W/Er_2O_3 films were determined by scanning electron microscopy(SEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDS). The anti-corrosion and wear properties of the electrodeposition films were investigated by electrochemical measurement and ball-on-disk friction test. The microhardness distribution of the cross section of nanocomposites was measured by nanoindentation. The results showed that with decreasing agitation rate or increasing average current density, the contents of Er_2O_3 nanoparticles and tungsten were distributed in a gradient along the thickness, and the contents on the surface were larger. By comparison, FG Ni-W/Er_2O_3 films had better anti-corrosion and wear properties than the uniform Ni-W/Er_2O_3 films. Atomic force microscopy(AFM) and profilometry measurements indicated that Er_2O_3 nanoparticles had an effect on the surface roughness.     

ZnO/Fe2O3光催化降解苯酚

用浸制法制备,ZnO/Fe2O3为光催化剂,日光灯为灯源,以苯酚降解为探针反应,考察了不同ZnO负载量对ZnO/Fe2O3为光催化剂的活性的影响,并考察不同光源,催化剂用量,苯酚的初始浓度,溶液的PH值和降解温度对苯酚光催化降解过程的影响.结果表明,ZnO负载量的最佳量为3%,最佳的工艺条件是苯酚浓度是20mg/L,催化剂用量为0.05g,PH值为13时在常温下用日光灯光照射,能较好地降解苯酚.     

交流示波极谱滴定测定水泥中的Fe_2O_3和Al_2O_3

研究了在ｐＨ＝４．３的ＨＡｃ—ＮａＡｃ缓冲溶液中，用ＥＤＴＡ滴定水泥熟料中的Ｆｅ３＋，并以Ｚｎ２＋的切口消失来指示终点，对Ｆｅ３＋进行测定，以及在测定了Ｆｅ３＋的溶液中用Ｚｎ２＋标液返滴定到出现Ｚｎ２＋切口指示终点来测定Ａｌ３＋的交流示波极谱连续测定Ｆｅ３＋和Ａｌ３＋的新方法。关键词     

纳米Al2O3薄膜的结构与性能

本工作用直流叠加方波脉冲电流，对铝合金进行阳极氧化，制得了纳米Ａｌ２Ｏ３薄膜；用透射电镜、介电场强和显微硬度测定以及荧光光谱等手段研究了它的显微结构和有关物理性质。结果表明纳米Ａｌ２Ｏ３薄膜具有较高的介电强度、硬度和相对强度为６８．２％的兰绿色荧光发光谱等优异性能。     

磁性石榴石薄膜的液相外延生长机理

为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生长速率与生长温度的关系.     

ITO薄膜的光学和电学性质及其应用

介绍了氧化铟锡（ITO）薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子，每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为－10^20cm^-3，电阻率为－10^-4Ωcm，是高度简并半导体，其能带为抛物线型结构。由于Burstein-Moss效应，光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收，Brude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好，说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用。