半导体自旋电子学中的自旋流——自旋电子学前沿探索之一

本文简要地回顾了半导体自旋电子学中自旋流在自旋轨道耦合系统中的导出,指出其存在争议的问题．随后分析了近年来对自旋流定义的讨论,包括自旋密度,自旋流算符,流守恒方程等的各种修正,最后列举了一些暂时避开自旋流定义去讨论物理过程的技巧。     

有机自旋电子学研究进展

本文从铁磁有机器件与非磁有机器件两方面介绍了近年来有机自旋电子学研究进展,理论上探讨了有机功能材料内的自旋极化注入与输运、自旋的微观动力学过程以及调控载流子的自旋取向对器件整体性能的影响。针对最近发现的有机强磁效应,从实验与理论两方面作了系统的阐述。     

自旋轨道耦合与自旋霍尔效应?

从巨磁阻效应正式拉开自旋电子学的序幕开始,如何控制和操纵电子的自旋自由度在学术界和工业界掀起了巨大的研究浪潮,如何产生并测量自旋流也是自旋电子学面临的重大挑战.自旋轨道耦合为自旋电子学提供了利用全电学来控制自旋的物理基础,由自旋轨道耦合引起的自旋霍尔效应则为自旋电子学提供了产生较大纯自旋流的方法.本文从1879年Edwin Hall发现的那个迷人的效应谈起,同时从自旋轨道耦合的起源来认识自旋霍尔效应,进一步探讨了如何利用其逆效应来探测自旋霍尔效应及自旋流,并简单总结了与自旋霍尔效应相关的部分新效应及新应用.     

YIG/Ta/CoTb/Pt多层膜中基于自旋轨道矩的全电学垂直磁矩翻转

自旋轨道矩为设计新型自旋电子存储和逻辑器件提供了物理基础,而实现零磁场自旋轨道矩操控磁矩翻转是此类自旋电子器件应用的物理基础.本工作在钇铁石榴石(Yttrium Iron Garnet, YIG)磁性绝缘薄膜层上生长了Ta/CoTb/Pt亚铁磁性多层膜,利用YIG磁性绝缘层对具有垂直磁各向异性的CoTb薄膜施加磁偶极相互作用场,再辅以Ta和Pt层中叠加的自旋轨道矩,实现零外场下对CoTb磁矩的操控和翻转.实验上通过反常霍尔效应及反常霍尔电阻测量脉冲电流诱导的磁化翻转行为,并在磁光克尔显微镜下观察到了脉冲电流驱动的磁畴壁运动特征,发现对于YIG/Ta/CoTb/Pt器件,由于受到底层YIG的影响,亚铁磁CoTb的磁畴以条纹状特征进行运动和完成磁化翻转,这与Si/Ta/CoTb/Pt薄膜磁化翻转特性存在显著区别.本文对于自旋电子低功耗器件尤其是全电学驱动的自旋轨道矩器件的研究,具有参考意义和潜在应用价值.     

海森堡亚铁磁自旋链的基态性质：——自洽自旋波分析

利用自洽的自旋波方法解析地研究了由两种不同的自旋所构成的海森堡亚铁磁（ｆｅｒｒｉ－ｍａｇｎｅｔｉｃ）自旋链的基态性质,并得到了该系统的两支激发谱。在平均场近似下,给出了两种自旋ｚ轴分量基态的平均值。在低温时,系统的比热随温度的变化规律为Ｔ１／２。这些结果同量子荣特卡罗（ＱＭＣ）和Ｓｃｈｗｉｎｇｅｒ玻色子平均场理论所得结果相一致。     

2008自旋电子学和纳米磁性上海研讨会

2008自旋电子学和纳米磁性上海研讨会（2008 Shanghai Workshop on Spintronics and Nanomagnetism）于2008年6月17—19日在复旦大学光华楼东辅楼举行。本次会议的主题——自旋电子学和纳米磁性是当前凝聚态物理领域最重要的研究前沿之一。该领域和获2007年诺贝尔奖的工作巨磁电阻效应一脉相承，在最近10年发展迅猛，不但大大增加了人类对纳米体系磁性和电子其他特性的了解，还出现了一系列有重要潜在应用价值的新现象、新器件。     

自旋三重态对半磁半导体Cd1—xFexTe和Cd1—xFexSe的基态精细结…

本文在强场图象下推导了３ｄ＾４／３ｄ＾６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式，采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ＾２＋在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ），理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好，并且发现自旋三重态对基态折ＦＳＳ起着重要的影响。     

两个电子的自旋态和自旋算符

本文给出两个电子的自旋态和各种自旋算符在无耦合表象和耦合表象中的矩阵表示式,也给出在两电子自旋相互作用可以忽略的条件下的另一种数学表示方式,即把两个电子的自旋态表示为两个二行一列矩阵(一个电子的自旋态矢量)并列的写在了一起.     

应用Electronics Workbench软件仿真电子线路实验

给出了在Windows98和NT4环境下,Electronics Workbench(电子工作台)软件的基本功能和使用方法,以及应用该软件仿真电子线路实验的步骤和方法.使用该方法的教学效果表明,教学质量和效率有大幅度提高.     

电子系统的电磁兼容性设计

探讨了电磁干扰对电子设备产生的影响与危害,总体了改善电子系统的电磁兼容性的设计思路与措施.根据长期的应用实践,提出电子系统从原理图到印刷电路板设计及整机组装中应考虑的主要问题.     

自旋三重态超导

超导体中的库珀对通常是由一对自旋相反总自旋为零(自旋单态)的电子组成.然而,在某些特殊情况下,超导体中的库珀对可以是自旋三重态,这类超导体被称之为自旋三重态超导体.自旋三重态超导是非常罕见的量子现象,在已经发现的上万种超导体中,仅有几个超导体可能具有三重态配对.近几年,随着拓扑物态研究的深入,三重态超导体因为可能是拓扑超导的载体而越来越多地引起关注.本文简要地总结了几类可能的自旋三重态超导体的物理性质.     

用两比特海森堡XY模型实现量子稠密编码

文章主要研究在有限温度下,外加磁场和DM相互作用对两比特海森堡XY模型中实现量子稠密编码的影响。通过稠密编码的信道容量表达式分析了每个参数对稠密编码的影响并且发现平均耦合常数J-,DM相互作用和各向异性参数J＋对稠密编码起积极作用。均匀磁场B和非均匀磁场b对稠密编码起消极作用。     

三个自旋为1／2的粒子的自旋波函数

本文介绍了如何构造三个自旋为1/2的粒子的自旋波函数的方法，对于构造多粒子体系的自旋波函数具有重要的作用。     

电力电子技术及其展望

电力电子技术是一门迅速发展的交叉于电力、电子和控制之间边缘科学技术。本文综述电力电子器件和电力电子应用，并展望电力电子技术的发展趋势。以晶闸管及其应用为代表，形成第一代电力电子技术，以自关断电力电子器件及其应用为代表的第二代电力电子技术正在不断发展，逐步取代晶闸管类的电力电子变换装置；以智能化功率集成电路为代表的第三代电力电子技术的问世和进一步发展，预示着可能引起一次新的电子革命。