负阻效应的原理与应用

在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。NIC(Negative Impedance Converter)是一种广泛运用于设计的负阻抗器件,提出了两种构成NIC的方式,给出了利用NIC来实现阻抗变换的设计原理和方法。运用由运算放大器构成的NIC对现有的LC阻尼振荡实验进行了改进,并给出了具体的电路,使实验结果更接近理论分析结果,还可使观察到的实验现象更加多样化。对负阻效应在几种实际电子线路中的应用进行了研究和总结。     

PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究     

阻抗变换器的负阻特性分析

本文就广义阻抗变换器的负阻特性进行了分析。在采用运算放大器单极点模型的条件下,得到了负阻特性并作出其频率曲线,给出了负阻变换器的最佳元件设计方案,并进行了灵敏度分析,提出了选择负阻变换器参数应注意的问题。     

间接耦合光电探测结构光致负阻效应的物理模型

系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象。在对这些实验现象综合分析的基础之上，提出了一种由一横向ＰＮＰＮ四重结构与一纵向ＮＰＮ管相互作用所产生的负阻效应的新模型，利用负阻峰域载流子特殊的输运机制，设计和研制出了上升，降时间均为２ｎｓ左右，内部电流增益大于３０倍的硅光电探测单元器件。     

静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.     

薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．     

光致负阻效应及其机理探讨

本文介绍了由间接耦合光电探测器产生的光致负阻现象、并以实验为依据，基于一些合理的简化和假设，提出了一种物理模型。由此建立的几个基本的物理方程及进一步的理论推导的结果表明：该物理模型可以较好地对耦合区电流的负阻特性进行定性地解释。     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

负阻特性的研究

本文详细介绍了负电阻的特性、分类及负电阻在振荡器中的应用,并从定性与定量两方面分析了负阻振荡器的原理。     

使用负阻元件的自激多谐振荡器

就负阻元件的伏安特性来说,若以横轴表示电压,纵轴表示电流,可以分为S型负阻和N型负阻两种。它们都有一段微变电阻是负值,(dU/dI<0)。见图1—(a)和(b)。     

高频连续时间OTA—C FDNR滤波器

本文提出了一种模拟无源梯形ＬＣ电路的高阶ＯＴＡ－Ｃ ＦＤＮＲ滤波器，该滤波器具有低的灵敏度和电调谐特性。文中给出了ＯＴＡ－Ｃ频变负阻器元件特性实验结果和七阶椭圆通ＯＴＡ－Ｃ ＦＤＮＲ滤波器计算机仿真结果。     

半导体激光器和光晶体管组合双稳的研究

利用光晶体管的饱和特性和雪崩负阻特性实现了半导体激光器和光晶体管的组合双稳,并对影响其工作状态及特性的条件进行了讨论。     

频变负阻模拟有源滤波器的设计

本文采用结构简单的单运放元件阻抗模拟器设计频变负阻模拟有源滤波器,引出“带耗2阶容抗”概念.用带耗2阶容抗实现有源滤波器时,损耗对滤波器特性影响严重.本文提出采用阻抗标定法引进一个设计参数,适当选择参数可降低损耗影响.通过实例说明频变负阻模拟有源滤波器的设计过程和实验结果.此方法也适用于其它滤波器的设计.     

后差变换开关电容RLC仿真电路

本文采用后差变换,提出实现模拟电阻,电感和电容特性的开关电容仿真电路的新原理。设计並实验了开关电容负阻变换器和电感仿真电路。实验了采用这种仿真电感的科皮兹正弦波振荡器。电路是全相输入和全相输出,实际采样频率是时钟频率的2倍。     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。     

流动液体的电阻特性

液体的电导率是在工业生产中需要控制和测量的重要参数之一.从实验和理论分析两方面得出了液体中两固定点之间的电阻会随液体流速的增加而降低这一结论,即文中所说的负阻特性.     

基于共振隧穿结构的压力传感器稳定性研究

基于共振隧穿结构的压力传感器的优点是灵敏度高且可调,但是稳定性不好,分析了影响振荡稳定性的原因,提出调整I-V特性曲线负阻区宽度及斜率的方法以提高器件的稳定性.利用共振隧穿结构在负阻区域的滞后(Hysteresis)和平台效应(Plateau-like),通过改变结构参数,如量子阱宽度、掺杂浓度等,加宽负阻区域,减小斜率,达到提高器件稳定性的目的.     

含分段线性负阻的RLC串联电路动力学行为

对一个含分段线性负阻特性的ＲＬＣ串联电路进行了研究，数值模拟结果表明，该系统在不同的参数范围内分别出现倍周期分岔序列，３Ｐ序列，混沌带反序列ｎＩ及混沌现象，为电路实验研究提供了依据。     

铁磁共振下磁各向异性材料的负折射特性研究

利用Landau-Lifshitz-Gilbert模型理论计算了铁磁共振条件下天然材料锰钙钛矿薄膜的张量磁导率,发现铁磁共振能够获得负的磁导率,而锰钙钛矿材料特有的庞磁电阻效应可以得到负的介电常数,这使得负折射率成为可能.结合麦克斯韦方程组,分析了铁磁共振时材料的微波传播特性.研究结果表明,在外磁场下天然锰钙钛矿材料不仅可以获得负折射率,更重要的是负折射的工作频率受到了外磁场强弱的调制,材料具备了可调谐特性.     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.