Pb_（1－x）Ca_xTiO_3铁电薄膜的制备

合成了稳定性良好的用于溶胶－凝胶法制备Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＴｉＯ＿３（ｘ＝０．１～０．３）薄膜的涂液。研究了不同掺Ｃａ量对薄膜晶相结构和相变温度的影响。用旋涂法在（１００）ＭｇＯ单晶衬底材料上生长出均匀、无缺陷的钙铁矿结构（１００）择优取向的Ｐｂ（Ｃａ）ＴｉＯ＿３薄膜，取向率大于９５％。测定了在（１１１）Ｓｉ单晶衬底材料上得到的Ｐｂ（Ｃａ）ＴｉＯ＿３陶瓷薄膜的电学性质。     

衬底材料对Bi4Ti3O12薄膜取向度的影响

以正丁醇钛和硝酸铋为原料,用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术分别在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ、Ｓｉ、Ｙ－ＺｒＯＴｉＯ３（１００）和石英玻璃基片上生长出ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜,研究了衬底材料表面结构对Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜取得度的影响,晶格失配能和Ｂｉ４ＴｉＯ１２晶体的晶面能决定了薄膜的取向程度。     

射频溅射淀积PZT铁电薄膜及其结构分析

在镀Ｐｔ的Ｓｉ基底上用射频溅射方式制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，成膜温度为２５０℃。Ｘ射线衍射分析表明几乎没有焦绿石相产生。另一方面，氧化钛－氧化锆固溶体则作为反应产物出现，由此提出了ＰＺＴ固溶体的一种可能的形成机理。     

Co—Si合金膜的结构和磁光克尔效应

用射频磁控溅射在衬底温度（Ｔｓ）为 ４００℃和室温（ＲＴ）两种情形制备了Ｃｏ１－ｘＳｉｘ（０．０≤Ｘ≤０．３４）合金膜．Ｘ射线衍射结果表明在这些合金膜中出现了不同程度的ｈｃｐ（００２）取向．在室温下沉积的薄膜中，仅在ｘ＝０．０时有明显的ｈｃｐ（００２）取向．在４００℃下沉积的薄膜中，随着硅含量ｘ的增加，ｈｃｐ（００２）取向先是增强，继而在Ｘ＝０．３４时消失．相应与此的４００℃下沉积的薄膜的θｋ（Ｈ）、（Ｍ（Ｈ））回线在ｘ＝０．２３时出现了磁滞现象（Ｈｃ≈６４ｋＡ／ｍ），并且有大约２０％的比剩余克尔旋转（比剩余磁化强度）．同时，当Ｘ≤０．２３，硅的加入使得钻硅合金的克尔旋转在蓝光及近紫外区相比于纯钻来说有所加强，其值约为－０．３°～－０．４°．     

采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能

研究了采用金属有机化合物热分解（ＭＯＤ）法制备锆钛酸铅Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电薄膜的工艺及ＰＺＴ薄膜的介电性能,利用ＸＲＤ分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜,铂电极有利于钙钛矿相的形成,薄膜的介电温谱研究结果表明,薄膜的居里温度约为４３０℃（１ＫＨｚ）。     

钠快离子导体Na_(2.5)Zr_(2-x)Ti_xSi_(1.5)P_(1.5)O_(12.0)系统的研究

钠快离子导体Ｎａ_２．５Ｚｒ_２－ｘＴｉ_ｘＳｉ_１．５Ｐ_１．５Ｏ_１２．０系统ｘ＝０－２．０的化合物，由Ｎａ_３ＰＯ_４－ＺｒＯ_２－ＺｒＰ_２Ｏ_７－ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２为反应的起始原料，在９００℃－１２００℃的高温下反应数小时至二十小时制得。系统化合物的相变关系已探明，并测定了有关的单纯相在不同温度下的导电率以及电导激活能。相当于起始组成为Ｎａ_２．５Ｚｒ_１．０Ｔｉ_１．０Ｓｉ_１．５Ｐ_１．５Ｏ_１２．０的单纯相（标为２．５１相）在３００℃时的导电率σ３００＝１．８５×１０－２（Ω·ｃｍ）－１，其电导激活能为２３．６４ｋＪ／ｍｏｌｅ，相当于起始组成为Ｎａ_２．５Ｔｉ_２．０Ｓｉ_１．５Ｐ_１．５Ｏ_１２．０的单纯相（标为２．５２相）在３００℃时的导电率σ３００＝０．４６×１０－２（Ω·ｃｍ）－１，其电导激活能为２８．８９ｋＪ／ｍｏｌｅ．     

Ga＿（1－x）In＿xAs＿（1－y）Sb＿y四元合金系光学性质的研究

对以ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ＿（１－ｘ）Ｉｎ＿ｘＡｓ＿（１－ｙ）Ｓｂ＿ｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ＝０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ—３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

PZT薄膜的相转变与晶格参数的研究

研究 Sol- gel制备 PZT薄膜材料相结构与晶格参数 ,研究 PZT薄膜相变、衬底与温度关系和不同 Zr/ Ti比Pb(Zrx Ti1-x) O3 (x=0 .2～ 0 .8)。结果表明 :PZT薄膜从烧绿石相向钙钛矿相转变的温度在 Pt衬底上为 6 0 0°C,在不锈钢上为 6 50°C。PZT铁电体薄膜的晶格参数和晶格畸变随 Zr/ Ti比的不同而变化 ;在铁电四方相区 ,随 Zr含量增加 ,a=b轴逐渐增大 ,c轴稍有缩短 ,四方晶系发生畸变 ;当 x>0 .5时 ,没有检测到单位晶胞的畸变 ;在准同型相界附近 ,晶胞参数发生突变。     

Ga1—xInxAs1—ySby四元合金系光学性质的研究

以对ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ１－ｙＳｂｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ－０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ－３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

磁记录用的BaFe_（12－2x）CoxTixO_（19）微粉的晶化特性研究

采用玻璃晶化法制备适合磁记录用的Ｃｏ－Ｔｉ替代型钡铁氧体ＢａＦｅ_（１２－２ｘ）Ｃｏ_ｘＴｉ_ＸＯ_（１９）（ｘ＝０，０．５，０．６，０．７，０．８，０．８５，０．９）微粉。动态（变温）Ｘ射线衍射和ＤＴＡ曲线分析表明，在非晶薄片基体的晶化过程中，随热处理温度的升高，首先晶化出ＢａＢ_２Ｏ_４和Ｂａ_２Ｂ_２Ｏ_７相，随后出现钡铁氧体相；温度到达８５０℃后，非磁性相消失，仅剩有磁性的钡铁氧体相．晶化过程为先成核而后长大。有关晶化条件对钡铁氧体微粉粒子尺寸及分布的影响、对形貌的影响也作了详细的探讨。     

Li－Zn－Zr－Ti－Cu系铁氧体Mo．．ssbauer效应研究

在室温条件下测量了多晶铁氧体（Ｌｉ０．５Ｆｅ０．５）０．７Ｚｎ０．３（Ｚｒ１－ｙＴｉｙＣｕ）ｘＦｅ２－２ｘＢｉ０．００３Ｏ４（其中ｘ＝０．１，０．２，ｙ＝０．５，１．０）的Ｍｏ．．ｓｂａｕｅｒ谱．结果表明，样品谱包含一套顺磁双线亚谱，强度较弱（小于５％）．顺磁谱的出现是渗入了较多非磁性离子Ｚｎ，Ｔｉ和Ｚｒ引起的     

Li—Zn—Ti—Cu系铁氧体Mossbauer效应研究

在室温条件下测量了多晶铁氧体（Ｌｉ０．５Ｆｅ０．５）０．７Ｚｎ０．３（Ｚｒ１－ｙＴｉｙＣｕ）ｘＦｅ２－２ｘＢｉ０．００３Ｏ４（其中ｘ＝０．１，０．２，ｙ＝０．５，１．０）的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱。结果表明，样品谱包含一套顺磁双线亚谱，强度较弱，顺磁谱的出现是渗入较多非磁性离子Ｚｎ，Ｔｉ和Ｚｒ引起的。     

TiO2—x纳米粒子薄膜型氧敏元件的性能

以钛酸丁酯和无水乙醇分别为前驱体和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯ２薄膜,经在１０００℃氢气氛下还原制得ＴｉＯ２－ｘ薄膜,通过ＳＥＭ照片发现薄膜颗粒在几十纳米左右,颗粒分布均匀,由ＸＲＤ分析,薄膜的ｘ值在０～０．５之间,实验结果表明,ＴｉＯ２－ｘ薄膜在８００℃下具有良好的氧敏感性和响应特性,薄膜在Ｎ２条件下具有很好的电阻－温度特性。     

La1—xCaxMnO3多晶材料的巨磁阻特性

用传统的电子陶瓷工艺制备了Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１５，０．３，０．４，０．５，０．６７，０．７）的系列多晶样品，测量了样品的直流电阻率随温度（４￣３００Ｋ）、磁场的变化（０￣８Ｔ）。结果表明：ｘ＝０．３的样品具有最好的磁阻效应，ｘ＝０．１５，０．６７的样品在测量范围内没有巨磁阻效应，但ｘ＝０．７的样品出现较弱的巨磁阻效应，其金属－半导体转变温度为１０５Ｋ。     

ZrO_2－TiO_2多孔陶瓷膜的制备研究

以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４和Ｚｒ（ＮＯ３）４·５Ｈ２Ｏ为前驱物，用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜，研究了不同Ｚｒ／Ｔｉ比和浓度对ＺｒＯ２－ＴｉＯ２干ｇｅｌ的影响．研究了不同Ｚｒ／Ｔｉ比和烧结过程对ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜结构的影响．制备出了孔径小（约１８ｎｍ）、孔径分布很窄、孔隙率较高（约３６％）、面积较大的ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜     

ZrO2—TiO2多孔陶瓷膜的制备研究

以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４和Ｚｒ（ＮＯ３）．５Ｈ２Ｏ为前驱物，用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜，研究了不同Ｚｒ／Ｔｉ比和浓度对ＺｒＯ２－ＴｉＯ２干ｇｅｌ的影响，研究了不同Ｚｒ／Ｔｉ比和烧结过程对ＺｒＯ２－ＴｉＯ３多孔陶瓷膜结构的影响，制备了孔径小（约１８ｎｍ）孔径分布很窄，孔隙率较高（约３６％）面积较大的ＺｒＯ２－ＴｉＯ２多孔陶瓷膜。     

面心立方萤石结构Ce1—xTbxO2—δ固溶体的氧缺欠研究

以热重量法研究了Ｃｅ１－ｘＴｂｘＯ２－δ（ｘ＝０．３，０．４，０．５）的缺氧分数δ。发现δ值随组成、环境氧分压和温度的不同在０．０６－０．４范围内变化。样品ＣＴ３０和ＣＴ５０于６５０℃以上温度在空气中失氧形成氧空位的反应焓经估算分别为３６．０和４０．６ＫＪ／ｍｏｌ。     

Er（Ni1—xCox）磁性蓄冷材料的研究

研究了实用型Ｅｒ（Ｎｉ１－ｘＣｏｘ）（ｘ＝０，０．１，０．２）材料的制备方法和它们的物理性能。用Ｃｏ部分替代Ｎｉ后，该材料的居里温度降至１０Ｋ范围内，在温度低于１０Ｋ的温区内，Ｅｒ（Ｎｉ１－ｘＣｏｘ）（ｘ＝０，０．１，０．２）材料的比热容远大于传统的蓄冷材料金属Ｐｂ和其他新型Ｅｒ系磁性蓄冷材料的比热容，磁墒变计算结果表明，Ｅｒ（Ｎｉ１－ｘＣｏｘ）（ｘ＝０，０．１，０．２）材料的Ｅｒ＾＋３离子有效Ｊ     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的光吸收

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘ－Ｃｒｘ的光吸收特性。研究结果表明，这类薄膜的组分变化，对近红外长波的吸收特性影响较大，０．１０ａｔ．％＜ｘ＜２．０ａｔ．％的组分变化区，是薄膜光吸收特性变化的灵敏区。在研究的组分范围内，薄膜的光学带隙随Ｃｒ组分的增大而变窄，由１．５０ｅＶ（ｘ＝０）减小到０．８４ｅＶ（ｘ＝１０．０ａｔ．％）。薄膜对不同波长的入射波，其吸收系数ａ有     

低温烧结PZT压电陶瓷的研究

对ＰＺＴ压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现，在ＰＺＴ陶瓷中添加少量低 熔玻璃（ｘＢ２Ｏ３－чＢｉ２Ｏ３－ｚＣｄＯ）可使烧结温度从１２５０℃降低至９６０℃。其性能参数： Ｋｐ≥０．５２～０．５６，Ｑｍ≥１０００，ε３３Ｔ／ε０＝８００～１２００， ｔｇδ≤５×１０－３．借助于扫描电镜 （ＳＥＭ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｘ光光电子能谱分析（ＸＰＳ）和体积烧缩速率的 测量，对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论，所研制的低温烧结瓷料 巳用于制备独石压电陶瓷变压器，其空载交流升压比可高达 ９ ０００以上。