共查询到18条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
分析了Si3N4陶瓷粉末在冷等静压(CIP)和模压下的材料致密化特性,讨论了常用的Shima模型的计算结果,与文献中的实验数据对比表明:Shima模型不能给出理想的分析结果,且材料性能数据的选取颇有争议.而岩石力学中的Cam-Clay模型的计算结果却与实验数据相当吻合,这为Si3N4陶瓷粉末的冷压分析提供了理论基础. 相似文献
2.
采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 . 相似文献
3.
综述了SiC颗粒弥散强化Si3N4基陶瓷材料的研究近况,根据Si3N4和SiC的不同烧结机理对Si3N4/SiCp复相陶瓷材料烧结机理以及SiCp的掺入对材料可烧结性的影响进行了理论上的探讨将SiCp粒子的尺寸对Si3N4/SiCp复相陶瓷材料显微结构和力学性能的影响与材料可烧结性之间的关系进行了分析通过比较热压Si3N4/SiCp复相陶瓷材料和Si3N4/纳米SiCp复相陶瓷材料中SiCp含量对材料显微结构和力学性能的影响,对SiCp弥散强化Si3N4基陶瓷材料的强化效果和强化机理进行了初步的分析 相似文献
4.
通过对Si3N4/钢多组针焊实验的比较分析,讨论了影响接头强度的主要因素,提出了在本实验条件下,几个重要工艺参数的理想取值范围.并研究了接头型式对接头强度的影响. 相似文献
5.
《萍乡高等专科学校学报》2019,(6):43-46
光固化陶瓷浆料的高固相含量和低粘度是制备复杂、致密、高精度陶瓷的关键因素。通过对陶瓷浆料中的预混液、分散剂、粉末粒度、烧结助剂等因素对光固化Si_3N_4陶瓷浆料流变性能影响的研究发现,用800 nmSi_3N_4时,预混液分别采用EA和HDDA时,分散剂Darvan-c含量为1 wt.%时,引发剂用2 wt.%的819时,可制备出高固相、低粘度的光固化浆料。通过添加烧结助剂,可以进一步地降低浆料的粘度。。 相似文献
6.
为研究Si_3N_4粉末对陶瓷相组成、微观结构、光学性能以及力学性能的影响,采用两步热压烧结方法分别以UBE和Starck两个公司生产的Si_3N_4粉末为原料制备了设计成分为Y_(0.4)Si_(9.8)Al_(2.2)O_(1.0)N_(15)的α-sialon陶瓷.实验结果表明:UBE生产的Si_3N_4粉末有利于制备相组成为单相α-sialon、以等轴晶为主、晶粒整体发育良好且分布较均齐的Y-α-sialon陶瓷,与以Starck生产的Si_3N_4为原料制备的陶瓷相比,该陶瓷光学透过率较高;以Starck生产的Si_3N_4粉末制备的sialon陶瓷中除主相α-sialon外,还存在少量β-sialon和Si,细小及粗大晶粒共存,与以UBE生产的Si_3N_4为原料制备的陶瓷相比,该陶瓷硬度较高,但断裂韧性稍差. 相似文献
7.
利用Thermorestor-W焊接热模拟试验机,采用适当的焊接参数和工艺,能够用铝合金中间层固相扩散连接Si_3N_4和低碳钢。在连接温度下,铝合金Si_3N_4进入孔洞中形成机械连接,而铝合金与Si_3N_4连接的主要机理是铝与Si_3N_4发生固相反应生成AlN。当温度大于530℃时,铝合金/Si_3N_4界面Al,Si扩散层厚度基本上不随温度升高而变化。Si_3N_4/铝合金/低碳钢接头的剪切强度取决于铝合金/钢界面强度,且随扩散连接温度上升而增加。 相似文献
8.
王国雄 《武汉科技大学学报(自然科学版)》1994,(2)
根据化学热力学和热应力分析,研究了高炉用Si3N4结合的SiC砖的化学及力学破损过程,并结合高炉的实际条件,分析了高炉用Si3N4结合的SiC砖的抗氧化、抗碱蚀及抗热震破坏特征,探讨了控制碱蚀、减轻热震破坏及改善SiC砖衬使用效果的技术. 相似文献
9.
徐协文 《长沙理工大学学报(自然科学版)》2000,(1)
探讨了硅粉与碳粉混合料在 0 5~ 0 6MPa的低氮气压下自蔓延高温合成 (SHS)的可行性 ,起始原料中加入适量的Si3N4作稀释剂 ,可促进Si粉向Si3N4转变。C粉量增加时产物粒度减小 ;体系的燃烧温度降低 相似文献
10.
采用磁控反应溅射工艺制备了Si3N4/TiN陶瓷纳米多层膜,运用X射线衍射、透射电镜和显微硬度仪等对纳米多层膜的微结构、应力状态和硬度进行测试.研究结果表明,Si3N4/TiN多层膜中,Si3N4层为非晶态,TiN层为晶态.Si3N4/TiN多层膜的显微硬度既受调制周期Λ的影响,同时又与调制比有关.当调制比lSi3N4/lTiN=3和调制周期Λ=12.0nm左右时,多层膜的显微硬度达到最大值,其数值比用混合法则计算的值高40%以上.根据实验结果,还提出了该体系出现超硬效应的机制 相似文献
11.
Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结过程中的致密化与相变 总被引:3,自引:0,他引:3
氮化硅陶瓷有极大的应用潜力,但由于其强共价键,很难烧结致密化。采用了一种新的MgO-CeO2复合烧结助剂,利用X射线衍射、透射电镜等手段研究了MgO-CeO2复合烧结助剂对氮化硅陶瓷致密化和相变过程的影响,结果发现对Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,在1450℃就会有大量液相出现,1500~1550℃为快速致密化阶段,而α-Si3N4→β-Si3N4相变主要发生在1550~1600℃,相变过程滞后于致密化过程。常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,强度达948MPa,因此,MgO-CeO2是一种非常有效的氮化硅的烧结助剂。 相似文献
12.
对采用超高压烧结工艺,在不同烧结温度(保温时间均为240s)下制作的Si3N4陶瓷,用X射线衍射仪对其相结构变化进行了分析研究,发现超高压烧结的Si3N4陶瓷可以在较低温度下瞬间完成从α相向β相的转变过程. 相似文献
13.
采用磁控溅射法在浮法玻璃基体上制备Si3N4-CrNx-Ag-NiCrNx-Si3N4复合玻璃涂层(简称:SAN Low-E玻璃),并与浮法玻璃和传统Low-E玻璃进行比较,研究了其光热特性。结果表明:SAN Low-E玻璃能反射大量红外线,降低可见光和紫外线的透过,具有良好的隔热性能;经过700℃热处理后,其光热特性和膜结构没有变化,优于浮法玻璃和传统的Low-E玻璃。 相似文献
14.
表面改性Si_3N_4粉末在水相体系中的分散性能 总被引:1,自引:0,他引:1
在空气中于1000℃对Si3N4粉末进行表面氧化改性,研究其在水相体系中的分散性能。研究表明:经氧化后Si3N4物相主要为Si3N4,粉末表面被一层均匀的氧化层(主要成分为SiO2)包覆;经氧化改性的Si3N4在水相体系中的Zeta电位和分散性能显著提高;随着氧化时间的延长,粉末的分散性能和Zeta电位绝对值曲线变化趋势一致,呈现先上升后下降的趋势;氧化后Si3N4表层出现新的较强的Si—O键振动峰。 相似文献
15.
Si3N4和Si3N4/Sio2驻极体薄膜的化学表面修正 总被引:2,自引:0,他引:2
采用补偿法对六甲基二硅胺烷(hexamethyedisilane,HMDS)和二氯二甲基硅烷(dichlorodimeth siliane,DCDMS)有面修正恒压电晕充电硅基氮化硅(Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅/二氧化硅(Si3N4/SiO2)薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究。实验结果表明,经过化学表面修正后,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高;在低于200℃时,HMD 相似文献
16.
17.
超高压烧结Si3N4陶瓷断口形貌与韧性的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究不同制作条件下Si3N4陶瓷断口形貌与韧性的关系,当温度在1160~1340℃烧结时断口平面凹凸不平起伏很大,具有较好的韧性.当加入烧结助剂总量达质量百分数9%时,过多的烧结助剂会形成低熔点化合物存在于片层组织之间,降低了Si3N4陶瓷的强度与韧性. 相似文献
18.
用XPS表面分析,研究了由氨解法在不同温度下热解所得的Si_3N_4粉末,并与由硅粉氮化所得的商用Si_3N_4粉末作了比较。由氨解法制备的Si_3N_4粉末其表面存在两种状态的氧:结合状态的氧和吸附态的氧,其表面组成为Si_(2.2-2.7)N_(2.9-3.7)O。由硅粉氮化所制得Si_3N_4其表面也存在两种状态的氧,其表面组成则为Si_(0.8)N_(0.8)O。 相似文献