基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

医疗废物中输液管（含PVC）与纱布（含纤维素）的混合热解动力学模型

为研究聚氯乙烯（polyvinyl chloride,PVC）类与生物质类医疗废物的混合热解特性,利用差热热重分析仪,在氮气气氛下,对输液管（tube for transfusion,TFT;含PVC）和纱布（含纤维素）样品进行了混合热解实验,并以其相互反应机制为依据,单组分热解模型为基础,建立了二者混合热解的动力学模型．结果表明：提出的输液管与纱布相互反应热解模型能很好地描述二者的热解行为,相对误差达1．03％;模型计算得到的动力学参数显示输液管脱除HCl的反应和纱布生成水和醛类物质的反应的活化能均明显降低,而其他反应的动力学参数仅出现轻微变化或无变化,验证了二者混合热解的相互催化机理和相互反应机制．     

基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展

ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点.就TFT发展历史、器件典型结构以及在AMLCD中的应用、国外ZnO TFT器件的进展状况进行综述,并展望了器件的前景.     

用于微型计算机的有源矩阵液晶显示器控制模块的设计

为了用ＴＦＴＡＭＬＣＤ作为微型计算机的监视器，根据目前ＴＦＴＡＭＬＣＤ屏的水平并基于ＣＧＡ的显示标准，设计了ＴＦＴＡＭＬＣＤ控制模块，该模块包括液晶显示控制器（ＬＣＤＣ）、编码电路、显存等几部分，它能够满足ＣＧＡ的所有标准，正确接收和支持ＣＰＵ指令，支持ＲＯＭ－ＢＩＯＳ例程；能够提供液晶显示组件所需的各种控制信号，尤其是与ＣＲＴ不同的信号。测试结果表明，利用所设计的控制模块能够用ＴＦＴＡＭＬＣＤ取代ＣＲＴ终端，实现ＣＧＡ方式的显示。     

水瓶提词器的设计

利用现在的电子技术,将存储显示设备结合水瓶,通过水面折射的原理设计的一款能提示发言人的隐蔽提词器。由于设计的是将提词器和一个水瓶相结合,所以必须考虑到功耗以及体积等等问题。恰巧TFT-LCD具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、全彩化等优点[1],因此本设计采用它作为显示设备。此次的设计是基于51单片机、SD卡以及TFT彩屏配合使用设计一种新型的设备;主要是利用模拟ISP读取SD卡里的文字和图片并显示于TFT彩屏。最后通过样品的设计制作,实验证明本设计可以达到预计效果,可以让发言人隐蔽地看到提示画面。     

Poly-Si TFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计

根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅 薄膜晶体管 (Poly-Si TFT)的工作特性, 对Poly-Si TFT有源驱动OLED的源极跟随型双管 单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AI M-Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化.     

基于AVR单片机的简易数码相框设计

数码相框是一种以数码照片的保存、回放和浏览为核心功能的产品,随着数码相机的发展,数码相框也出现在越来越多的家庭中。本文以Atmel公司生产的ATmega32A为控制核心,配合SD卡、外围电路和TFT液晶屏提出了一种数码相框的简易设计方案,实现了从SD卡读取bmp格式图片并在TFT液晶屏上显示的简易功能。它比普通的相框体积小、更灵活、更有动感,是现代家庭的必备装饰品。     

高炉处理烧结烟气脱硫脱硝理论分析

对利用高炉处理烧结烟气同时脱硫脱硝脱二噁英技术的可行性进行了理论探讨,分析高炉内部还原二氧化硫和氮氧化物,以及分解二噁英的热力学条件,探讨烧结烟气代替空气鼓风对理论燃烧温度、风量、炉缸煤气、炉顶煤气和铁水硫含量的影响.结果表明：二氧化硫、一氧化氮和二氧化氮的最低平衡体积分数分别为1.84×10-13%、3.08×10-11%和3.72×10-21%,高炉内部还原二氧化硫和氮氧化物是可行的;高炉具有分解二噁英的有利热力学条件;烟气中二氧化硫和一氧化碳对理论燃烧温度的影响可忽略,氮氧化物能略微提高理论燃烧温度,二氧化碳体积分数增加1%,理论燃烧温度降低大约40.5℃,但通过降低鼓风湿度和提高富氧率等措施,能达到高炉正常生产时的炉缸热状态水平;随着烟气中二氧化碳含量的增加,风量、炉缸和炉顶煤气量都逐渐降低,炉缸煤气一氧化碳和氢气含量增加,炉顶煤气中一氧化碳、氢气、二氧化碳和水含量都增加,氮气含量显著降低;铁水硫含量与烟气二氧化硫含量成正比,但当二氧化硫质量浓度达到2000 mg·m-3,铁水中硫质量分数仅为0.025%,铁水质量仍合格.通过综合调节高炉操作参数,也可以实现烧结烟气代替空气鼓风进行高炉炼铁生产,达到脱硫脱硝脱二恶英的目的.     

PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响

在G4.5实验线上, 采用射频磁控溅射法, 通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数, 以XRD, HR-TEM, NBED 和EDS进行表征, 研究制备结晶IGZO的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响。结果表明, 当IGZO膜层厚度达到3000 ?以上时结晶效果明显, 且不受其他因素影响; 成膜功率对IGZO结晶现象有加强作用, 功率越高越易结晶; 成膜温度和氧气/氩气(O₂/Ar)气体比例对IGZO结晶影响不大; 成膜完成后经过600℃的退火处理可有效地促进IGZO的再结晶。通过优化IGZO成膜条件, 制备出迁移率达29.6 cm²/(V·s)的背沟道刻蚀结构IGZO TFT, 比非晶IGZO TFT提高约3倍, 显著地改善了IGZO TFT的电学特性。     

TFT LCD响应时间的影响因素及技术突破

本文介绍了薄膜晶体管液晶显示器件(TFT LCD)响应时间的物理学概念及其影响因素,并对近年来响应时间发展趋势和技术突破做了讨论,2004年灰阶响应时间的引入是TFT LCD响应时间技术突破的节点。