高反式聚异戊二烯（TPI）单链或寡链晶体形貌

配制TPI／甲苯极稀溶液（质量分数为10^-4%-10^-2%)，用喷雾法，漏斗富集法，生物展开法制备TPI单链或寡链粒子试样，分别采用不同结晶温度及结晶时间。用透射电镜观察样品微观形貌，发现TPI单链或寡链呈现多样的微观结晶形态，主要有：尺寸为几十纳米的微晶粒子，几十至几百纳米的寡链单晶及在非晶衬底上的结晶小粒子等。 现TPI寡链单晶较微晶小粒子更耐电子辐照。     

等规聚苯乙烯单链单晶的结构和耐辐照性能

利用电子衍射（ED）和高分辨电子显微（HREM）技术，研究等规聚苯乙烯（i－PS）单链单晶的结构．纳米级的单链单晶具有很强的耐电子辐照性能．按照i－PS的晶胞能对ED图中的衍射环和HREM像中的晶格条纹进行晶面指标化，但发现低指数衍射缺失．由于单链单晶的尺寸很小，电子辐照所产生的次级电子可以逸出晶体，使辐照损伤大大减小．另外，单链单晶存在着较少的低指数晶面，未能产生足够的衍射强度，使低指数晶面的衍射缺失．单链单晶对电子辐照稳定，在室温下，可得到高分辨晶格条纹象，这为研究高分子晶体的结构开辟了新的实验方法．     

等规聚苯乙烯单链单晶的结构耐辐照性能

利用电子衍射和高分辨电子显微技术，研究等规聚苯乙烯单链单昌的结构。纳米级的单链单晶具有很强的耐电子辐照性能。按照ｉ－ＰＳ的晶胞能对ＥＤ图中的衍射环和ＨＲＥＭ像中的晶格条纹进行晶面指标化，但发现低指数衍射缺失。     

N-乙基壳聚糖的单晶

用光固化法制备N—乙基壳聚糖／聚丙烯酸复合膜．在复合膜中观察到单晶和悬挂着单晶片的微纤．单晶的长和宽约为300-400nm，比常见的品粒尺寸小得多．与通常单晶的极稀溶液制备条件不同，该单晶是在复合膜中形成的．水的诱导结晶作用和体系的高浓度形成了一种几乎是无限缓慢的结晶条件，单晶正是由于这样条件才能得以形成。     

沸石单晶膜的渗透行为

本文提出了一个新的理论模型用以关联沸石单晶膜的渗透行为，根据这个模型，一定温度下，当渗透侧的压力接近于零时，气体的渗透速率与进料压力成正比，如果一组气体的分子明显小于沸石的孔径，而且与沸石骨架的物化作用彼此也相近，那么任意两者之间的渗透速炫之比等于它们分子量的平方根反比。     

关于Carine在晶体学方面的应用

介绍了晶体学软件carine在晶体可视化分析的相关应用,并对传统的单晶电子衍射花样指标化提出了新的方法.实践表明对晶体学软件的有效应用可大大提高晶体分析能力,简化了传统计算步骤.     

热解CVD法同质外延金刚石单晶的研究

以有机低分子化合物丙酮与氢气为反应气体,用热解CVD 法在形状不规则的金刚石小颗粒上,外延出规整的立方八面体单晶金刚石颗粒,表面呈三角形或截角三角形形状,经反射高能电子衍射结构分析,确认是单晶。文中还讨论了金刚石结构中{111}面最容易显露的实验结果.     

金刚石车削单晶锗平面表面粗糙度扇形分布…

建立了金刚石削单晶锗切削力的分布模型，研究了车削单晶锗平面时表面粗糙度呈现扇形区分布特征的成因机制，并进行实验验证，采用飞切方法加工单晶锗时，可以制得表面粗糙度Ｒａ值为０．００７～０．００９μｍ的匀质光滑表面。     

单链聚乙烯在石墨烯二维表面结晶的分子模拟

目前对于石墨或石墨烯等片层结构对共聚聚乙烯结晶行为的影响研究相对较少,尚未系统揭示其结晶机制。采用分子动力学模拟方法,研究单链聚乙烯在二维石墨烯表面受限状态下的结晶过程。结果发现,与聚乙烯单链结晶不同,聚乙烯沿石墨烯(001)表面发生表面吸附-链折叠取向有序形成层状晶体,结晶过程由表面吸附和链折叠共同控制,随等温结晶温度变化分为3个区域。另外,支链不利于结晶,但当支链长度大于10时,即开始发生吸附或折叠进入晶区,与主链形成共晶,从而减缓了结晶度随支链长度而下降的趋势,并且支链主要进入石墨层界面附近的晶区。     

布里兹曼法生长单晶径向温场分布分析

通过对温度场分布的定量分析得到了温度随r,z和h的变化关系－T（r,z,h)的微分方程，结果表明：等温面的分布取决于温度梯度矢量的径向分量，而有利于单晶生长的情况仅限于大于0，且固液交界面（S－L）是上凸的。当＜0，固液交界面呈下凹状，形成多晶，这对单晶生长不利。     

泡生法生长蓝宝石晶体的气泡缺陷研究

研究了泡生法生长蓝宝石单晶过程中,单晶内的气泡的产生、分布形态以及形成原因等。结果表明,原料的纯度、固液界面的稳定性是决定气泡分布的关键因素,其中固液界面的稳定性又取决于合理的生长工艺条件,尤其是晶体的生长速率和合适的温场设计。     

C60甲苯溶液自然结晶的研究

用ＳＥＭ研究了纯Ｃ６０和Ｃ６０／Ｃ７０混合物的甲苯溶液在硅片上自然结晶的形态．结果表明纯Ｃ６０结晶遵循晶面淘汰律，Ｃ７０影响Ｃ６０结晶的形态，Ｃ６０／Ｃ７０混合物的结晶与纯Ｃ６０结晶有较大的差异．用溶液逐次结晶，制备１ｍｍ量级的Ｃ６０晶体，并进行了Ｘ射线劳厄相分析，证明该晶体是单晶     

超高分子量聚乙烯的稀溶液结晶与形态

由ρ为10^-3～10^-5g/mL的稀溶液等温结晶,生长了超高分子量聚乙烯(UHPE)片晶．长达数十万A的UHPE分子链在稀溶液中彼此分离,在Regime Ⅲ结晶温区等温结晶过程中,1根分子链能多次成核,生长出多个小片晶,即形成单链多晶．由熔点估算得到片晶的厚度约22nm．形态研究证实了单链多晶的形成．并证实：随着结晶过冷度的增大,UHPE片晶的b轴与a轴方向的尺寸比由3～5降低为1,即由大尺寸的长六边形片晶转变为准六边形的小晶片．     

深过冷金属熔体中单晶形成的临界条件

将形核率和晶体生长速度对过冷金属结晶晶粒数的影响用过冷度统一起来，建立了过冷金属结晶晶粒数随金属热力学过冷度变化的理论关系。结果表明：过冷金属的结晶晶粒数随金属热力学过冷度的增大而减小，过冷度增大到一临界值后，过冷金属的结晶晶粒数减小到１；所得到的在过冷金属熔体中形成单晶的理论判据与有关实验结果完全吻合。     

关于a--FeOOH的生成条件及机理研究

本文主要研究了温度、通气量等条件对生成d-FeOOH的影响.用电子显微镜观察了结晶形态,用X-衍射和电子衍射确定了相组成及晶体结构.并用电位法对其生成机理进行了探讨.     

单晶Se纳米线的制备及表征

用化学气相沉积的方法制备了单晶Se纳米线,并用TEM、HRTEM、SAED、XRD和EDX等分析手段对其形貌和结构进行了表征.结果表明:单晶Se纳米线为三方相结构,并且其结晶性能良好,其生长方向是沿着三方相Se的[001]方向生长.     

两相区中生长单晶的分凝问题

讨论了二元系一般相图形态下,两相区生长单晶时的组分分布,富集层的影响,不产生组分过冷的条件,推导了求解组分分布,结晶温度变化的公式。讨论了三元固溶体系单晶组分的确定方法,推导了一些条件下晶相组分分布的公式。指出了三元系在单晶生长问题中应用时可以用膺二元系来简化的条件。     

高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性

采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板（AAO）内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。用X射线衍射仪（XRD）、隧道电子显微镜（TEM）及选区电子衍射（SAED）对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm。X射线光电子能谱（XPS）进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制。用荧光光谱仪（PL）分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光。     

单晶格品Pr3Co和Nd3Co的磁化率测量

我们对金属间化合物Ｐｒ３Ｃｏ和Ｎｄ３Ｃｏ单晶样品的磁化率在磁场Ｈ＝１／４π＊＾７Ａ／Ｍ，温度范围为７７Ｋ－３００Ｋ的条件下进行了测量，并计算得出它们的有效玻耳磁子。     

LiNbO3单晶光纤的芯—包层波导结构

利用激光加热基座法生长了铌酸锂单晶光纤。通过镁离子内扩散以改变晶纤表层的成分，首次在国内实现了沿不同轴向生长的铌酸锂单晶光纤的芯－包层波导结构，通过对扩散参数的控制，实现了晶纤维层具有均匀和势折射率分布。并对包层后的晶纤特性进行了分析和讨论。