用冠醚络合硅表面的碱金属杂质

本文介绍了用冠醚除杂减少硅表面的碱金属杂质沾污的简单方法。并且应用“高频CV特性测试仪”和“半导体杂质浓度分布测试仪”分别测量外延硅单晶在冠醚除杂前后表面可动杂质离子的浓度变化及杂质浓度的纵向分布。最后估算了冠醚分子络合碱金属离子的结合能。     

四探针测半导体材料杂质分布

设计一个新的近代物理实验题目,利用阳极氧化法对半导体材料逐次去层,采用四探针法测量其每层的电阻率及相应杂质浓度,可得出半导体材料的杂质分布N(x）,实验设备简单,测量方便,结果准确,并提供了自制四探针测量仪的方法。     

采用肖特基二极管测量外延层杂质分布

气相化学反应的硅外延生长,被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大,如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外,新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在3μ左右,所以更必须注意埋层的反扩散、自身掺杂等影响引起的外延层深度方向的杂质浓度分布。 目前,我厂采用的半经验的三探针法是利用点接触二极管击穿来测量外延层电阻率的。这一间接地决定杂质浓度的方法虽然是非破坏性的。但是,不准确,无法测量外延层较薄的片子,而且它测出的只…     

双汞探针C—V法测试硅材料杂质浓度分布

鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法的测试原理和测试可行性分析。对各种硅材料样片大量测试结果表明:这种方法即方便又准确,测试结果的重复性相当好。     

半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究

ZnO为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,是一种极具潜力的新型功能材料。给出了ZnO薄膜的主要物理性能,并对制备方法作了比较详尽的介绍,包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。     

肖特基结C~(-2)-V法测定n~ 埋层扩散后的n/p硅外延片表面杂质浓度

本文分析了样品中串、并联电阻及串联电容对测量结果的影响,导出了各种情况下肖特基结电容测量附加误差的表达式,进一步讨论了C~(-2)-V曲线的斜率(即表面杂质浓度)测量的附加误差。在Q表上用四种小讯号频率测量了TTL电路和某些线性电路外延片的C~(-2)-V曲线。对于外延层厚度约10μm、电阻率约0.5Ω·cm的样品,把频率降低到0.1MHz左右,表面杂质浓度测量的附加误差接近于零。     

利用自聚焦透镜工作特性单点精确测量聚焦常数

介绍了一种测量自聚焦透镜的折射率分布常数的方法——自准直反射法,用几何传像原理对光路计算,并用来分析光路原理,同时利用理论公式推导出经验公式,且对经验公式进行了精度分析。其测量不确定度为±1×10-3;其次,简要地介绍了试验方法。试验结果证明了自准直反射法是测量自聚焦透镜的折射率分布常数的简单实用方法,它具有装置简单、数据处理也不复杂的特点。是一种非破坏性的测试方法。     

精确测量棱镜材料折射率的改进方法

介绍一种测量棱镜材料折射率的简单方法———垂直入射法,该法原理和测量过程简单,有较高的测量精确度,利用这种方法来测量棱镜材料的折射率,所测结果与已知折射率非常近似,具体误差不超过0.015%.     

分子束外延中杂质扩散系数的确定

我们发展了一种分子束外延（ＭＢＥ）过程中杂质扩散系数新的确定方法：根据ＭＢＥ后的杂质浓度的分布，运用粒子数守恒定律和有限差分直接确定杂质的扩散系数。该方法简化了传统方法的工序，数值计算结果与已有的结果一致。     

电反射谱线型增宽因于与半导体掺杂浓度关系

电解液电反射(EER)光谱技术,工艺简单,易于实现,并且具有很高的灵敏和分辨率,因此长期以来在研究半导体材料特性方面得到了广泛的应用,例如,半导体的能带结构、光学性质、合金组分等。利用电反射光谱检测化合物半导体材料掺杂浓度的空间分布均匀性也获得了令人满意的结果。但是,这种方法在测量绝对掺杂浓度上遇到了困难,因而至今尚未得到应用。     

短光脉冲的谐波测量法

本文讨论了超短光脉冲测量的二次谐波法(SHG)、半导体表面反射频法和高次谐波法。用 SHG 法对调 Q 加模 Nd:YAG 激光器的光脉冲进行了测量。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

在用近场法测量多模光纤剖面折射率分布中使用扰模器的研究

本文介绍了一种简单、快速测量多模光纤剖面的相对折射率分布的方法。这种方法是在近场法的基础上使用了一个扰模器,从而克服了近场法中漏泄模对测量结果造成的影响,因而不需要利用修正公式,而且均匀激励也不再是必要条件。本文把由大量实验得到的折射率分布曲线与利用端面反射法测得的折射率分布曲线进行了比较,得到了令人满意的结果。     

半导体硅材料的清洗方法

半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究,分析了各种清洗方法的优缺点。最后,重点对半导体硅片传统的RCA清洗方法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限进行了详细介绍。生产企业可根据实际生产情况和产品要求选择合适的清洗方法。     

浅析M103/M106几何参数测试系统原理及方法

几何参数是半导体材料的重要参数之一,几何参数测量是半导体晶片生产中不可或缺的一部分。从一个半成品晶片到一个打磨好的、投入使用的晶片,几何参数为加工工程师提供了使生产过程始终处于控制之中并且保证线切割及研磨符合客户所需规格的必要信息。因此,在半导体工业中,必须快速稳定精确地对半导体材料的几何参数进行测量。目前,无接触测量是经常采用的一种方法,该方法原理简单,数据处理简便,为科研及生产单位广泛应用。     

测量外延层中杂质分布及肖特基二极管自建势的二次微分法

一、简述 外延层中的杂质分布是现代半导体器件设计中的一个重要参数。在微波,高速、高反压等器件中,杂质分布的情况如何,将直接影响器件的有效工作。 六十年代,外延工艺的问世使器件性能有了一个很大的提高。外延工艺的进展对半导体材料的检验工作提出了越来越高的要求,大大地促进了外延分布的测试技术的进展。主要问题就是要解决测试的准确与快速。十多年来,为此而出现了大量的工具方法,至今仍不断出现新的工作。这些工具方法,大致可以归纳为以下几种:     

用Marker技术和沟道方向的RBS研究等离子体阳极化膜

等离子阳极化是一种低温半导体材料氧化技术。本文用Marker技术证实了这种膜的氧化机制,并用RBS测量研究了过渡层厚度和膜的成分。并介绍了实验方法与结果。     

用微波方法测量半导体非平衡载流子寿命

介绍用有哑铃状孔－缝端盖的微波谐振腔测量片状半导体材料非平衡载流子寿命的一种方法．腔体用圆柱ＴＥ０１１模高Ｑ腔,易于更换端盖,可以达到较高的测量精度．实验表明,对同一半导体材料测量得到的有效寿命不因端盖孔－缝的改变而变化,所以可以通过选用孔－缝尺寸不同的端盖,来测量不同电导率的材料,以提高信号幅度,从而提高精度．测量是无接触的,因此无需对样品进行加工．用小的孔－缝端盖还可以用来对半导体材料有效寿命的二维分布进行研究．     

采用肖特基二极管测量外延层杂质分布

气相化学反应的硅外延生长,被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大,如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外,新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在3μ左右,所以更必须注意理层的反扩散、自身掺杂等影响引起