2-氨基-1-环戊烯-1-二硫代羧酸缩芳醛希夫碱的红外光谱研究

以2-氨基-1-环戊烯-1-二硫代羧酸(ACDA)为结构单元,与芳醛缩合反应合成了14个新型的2-氨基-1-环戊烯-1-二硫代羧酸缩芳醛希夫碱——2-(取代基苯亚甲基胺基)-1-环戊烯二硫代羧酸,对其红外光谱吸收峰随结构、基团的变化而变化进行了研究.结果表明,基团特征吸收峰的位移变化与共轭体系大小、基团的电子效应及基团在分子中的权重有关.     

铽-2-甲硫基烟酸掺杂配合物的合成及荧光性质研究

以2-甲硫基烟酸(HA)与Tb(III)合成了二元配合物和15种分别掺杂La(III)、Y(III)、Zn(II)的三元配合物.通过红外、紫外、元素分析、荧光光谱对配合物进行了表征,着重研究了掺杂离子质量分数对配合物中Tb(III)发光性能的影响.紫外光谱显示HA与Tb(III)配位后其吸收峰强度发生较大改变.红外光谱表明2-甲硫基烟酸中的羧基与铽离子以螯合双齿配位,且单一配合物和掺杂配合物具有相似的配位结构.荧光光谱表明La(III)、Y(III)、Zn(II)掺杂可以提高铽配合物的荧光强度,其中Y(III)掺杂荧光强度增强最明显.     

Ni掺杂对La1.85 Sr0.15 CuO4-δ和Bi1.8 Pb0.2 Sr1.6 La0.4 CuOy体系的物理性质的不同影响

利用XRD,红外光谱以及电阻率等实验手段,对La1 85Sr0.15Cu1-xNixO4-δ(0≤x≤0.3)和Bi1.8Pb0.2Sr1.6La0.4Cu1-xNixOy(O≤x≤0.4)系列样品进行了研究.结果表明:在整个掺杂范围内两个体系样品均保持四方晶相.对于La1.85Sr0.15Cu1-xNixO5-δ体系,所有样品的红外光谱图在504 cm-1左右都有一个吸收峰,在高掺杂时,体系的红外光谱在681 cm-1左右有一个吸收峰.而对于Bi1.8Pb0.2Sr1.6La0.4Cu1-xNixOy体系来讲,所有样品的红外光谱图在600 cm-1左右都有一个吸收峰,当体系载流子浓度低时,在480 cm-1左右出现吸收峰.Ni掺杂对两个体系超导电性都有较强的抑制作用.本文对两个体系样品不同掺杂区的声子振动和输运性质进行了分析和讨论.     

桐油酰胺的合成及温敏性谱学研究

以桐油和二乙醇胺为主要原料,反应制备桐油酰胺.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和拉曼光谱对桐油的结构进行表征,并进行了谱带归属;用傅里叶变温红外光谱(temperature-dependent FTIR)对合成产物的温敏性、谱带变化和双键变化进行了研究.结果表明:1630 cm~(-1)和991 cm~(-1)为桐油的红外和拉曼特征吸收峰;25～225℃范围内,桐油酰胺变温红外光谱在1737 cm~(-1)(—C=O—)处吸收峰的吸光度随着温度升高而逐渐增大;温度高于125℃,991 cm~(-1)处的—CH=CH_2键断裂,产物发生分解;找出了桐油酰胺应用的温度条件.     

哒嗪与3-庚基噻吩共聚物的合成及其表征

在二价镍配合物催化剂存在下,用3,6-二氯哒嗪与3-庚烷基-2,5-二溴噻吩格氏试剂共聚合成了哒嗪与烷基噻吩共聚物,并利用红外光谱(FT-IR),核磁共振谱(1H-NMR)等对其结构和性能进行了表征。该合成方法所得共聚物的收率为75%,而且溶解于DM F、DM SO、CHC l3等普通溶剂中。共聚物的紫外-可见吸收光谱(UV-v is)中在405 nm处观察到最大吸收峰。用荧光光谱(PL)和热重分析(TGA)对所得聚合物的荧光特性和热稳定性作了初步探讨。     

对-三联苯化合物的合成与光谱性能的研究

通过以PdCl_2-EDTA为催化剂的Suzuki偶联反应,成功合成具有不同取代基及对称性的对-三联苯化合物,利用核磁共振氢谱(~1 H NMR)和红外光谱(IR)对目标化合物的结构进行表征,利用熔点仪、差示扫描量热仪(DSC)、热重分析仪(TGA)、紫外光谱(UV)和荧光光谱(PL)对目标化合物的光谱性能进行研究.结果表明,对-三联苯化合物具有良好的热稳定性.在对-三联苯上引入—OMe、—COOMe和—CHO基团后,会使对-三联苯的最大吸收峰波长和最大发射峰波长向长波方向移动,对-三联苯化合物结构的对称性对紫外吸收峰有影响,对荧光发射峰无影响.     

联苯基取代聚噻吩衍生物的合成及其发光性能研究

为了研究侧链芳香基团对聚噻吩衍生物发光性能的影响 ,采用偶联反应合成了反应单体 3-联苯基噻吩 ,然后在三氯化铁的氧化作用下聚合 ,得到了聚 (3-联苯基 )噻吩 (PBPTH) .通过红外光谱、紫外可见光谱以及核磁共振氢谱对材料的结构进行了表征 .在紫外光谱上 ,PBPTH的最大吸收峰位于 4 0 6nm处 ,比聚(3-辛基 )噻吩 (P3OT)的吸收峰蓝移了 34nm .在荧光光谱上 ,PBPTH的光致发光峰位于 5 36 8nm处 ,比P3OT的发光峰蓝移了 32nm .研究结果表明 :由于侧链联苯基的空间位阻作用 ,导致了聚合物共轭程度的降低 ,从而造成了吸收光谱和发光谱的蓝移 ;PBPTH的发光强度与P3OT相比有了明显的下降 ,说明联苯基生色团不足以补偿共轭程度降低对发光性能的影响     

二茂铁烷氧基硅烷的合成与性质

以ａ羟基烷基二茂铁和氯硅烷作用，合成了１２种新的二茂铁烷氧基硅烷，并研究了这些化合物的热稳定性和在有机溶剂中的乙酸解等性质，由元素分析，红外光谱和核磁共振氢谱确证了化合物的结构。     

超临界二氧化碳中原位分散聚合制备PSAN/OMMT纳米复合材料

采用原子转移自由基聚合（ATRP）合成了结构可控、分子量分布窄的含氟嵌段共聚物聚（苯乙烯-无规-丙烯腈）-嵌段-聚甲基丙烯酸全氟辛基乙酯（PSAN-b-PFOMA）。并以此共聚物为稳定剂,在超临界二氧化碳（ScCO2）介质中采用原位分散聚合制备了聚苯乙烯-丙烯腈/蒙脱土（PSAN/OMMT）纳米复合材料,并采用小角X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、透射电镜（TEM）和热失重分析（TGA）对产物的结构和热性能进行了表征。结果表明：与PSAN相比,PSAN/OMMT纳米复合材料的耐热性和热稳定性有所提高;通过调节蒙脱土的含量,可以制备形态结构不同的PSAN/OMMT纳米复合材料;该复合材料的耐热性和热稳定性在蒙脱土质量分数为0.05时达到最佳。     

二茂铁-肽Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OMe的合成和电化学性质

以二茂铁二甲酸、甘氨酸、酪氨酸和精氨酸为原料,通过多步反应,合成新的二茂铁-肽衍生物Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OMe(7)(Fca代表二茂铁氨基酸)和Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OH(8),对寡聚肽的合成进行研究;对合成产物进行红外光谱和氢核磁共振谱表征,并运用循环伏安(CV)方法对产物的电化学性能进行研究。研究结果表明:产物(7)和(8)的产率分别为83.5%和80.2%;Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OMe的循环伏安扫描结果是氧化峰和还原峰电位分别为0.385V和0.346V,峰电位之差ΔEp为41 mV,峰电流密度之比Jpa/Jpc为1.055;对于Boc-HN-Fca-Gly-Gly-Tyr-Arg-OH,其氧化峰和还原峰电位分别为0.532V和0.453V,峰电位之差ΔEp为79mV,峰电流密度之比Jpa/Jpc为0.928。