绒面背场硅太阳电池

本文报道一种转换效率高、工艺简便、成本低的太阳电池——绒面背场硅太阳电池。在AM1.5条件下,利用废次复拉单晶硅制作的直径为60mm 的园片电池,转换效率可达14.4%(全面积转换效率).这种结构的太阳电池国内尚未见报道。     

地面用丝网印刷绒面硅太阳电池的研究

本文讨论了具有Ni—Si接触的丝网印刷绒面硅太阳电池的工作原理、制造方法及光电特性。利用电阻率为1Ωcm左右的P型[100]复拉单晶硅制成的φ75mm圆形电池,在AM1.5条件下,开路电压560～580mv,效率9～11％。通过烧结改善了Ni-Si接触,解决了Ni-Si接触电极的牢固度问题。丝网印刷绒面电池的试制成功,为进一步降低地面应用硅太阳电池成本,扩大批量生产能力,提供了新方法。     

类单晶硅太阳电池制绒工艺及光致衰减现象研究

类单晶硅作为一种较新的太阳电池用硅材料,进一步了解类单晶硅太阳电池的工艺及性能显得非常必要,文中通过酸碱两步制绒法对类单晶硅的制绒工艺进行了探讨,然后对常规工艺制备的类单晶硅太阳电池进行了光致衰减实验,经过与单晶硅及多晶硅太阳电池的对比发现,类单晶硅太阳电池表现出了相对优越的稳定性。实验表明类单晶硅太阳电池具有一定的优势,其发展前景广阔。     

多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积（RTCVD）的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14．08％的太阳电池,其填充因子为0．808。     

区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

研究了区溶再结晶（ZMR）设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积（RTCVD）在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10．21％,填充因子为0．6913的电池产品。     

Si_3N_4与TiO_2/SiO_2减反射膜用在单晶硅太阳电池的对比研究

文章对比分析了Si3N4单层减反射膜与TiO2/SiO2双层减反射膜对单晶硅太阳电池性能的影响,发现Si3N4单层减反射膜单晶硅太阳电池短路电流Isc较高。并对这两种减反射膜的批量产品进行抽样检测,结果表明采用TiO2/SiO2双层减反射膜电池总体品质(主要从效率看)相当于或略优于Si3N4单层减反射膜太阳电池,说明TiO2/SiO2双层减反射膜仍比较适于单晶硅太阳电池。     

多孔硅多晶硅太阳电池研究

多晶硅太阳电池是目前世界光伏产业发展的重点,由于多晶硅不同的晶粒取向的差异,使传统的单晶硅绒面制备技术不能用于多晶硅太阳电池,多孔硅技术是适于多晶硅的廉价表面减反射膜技术,文章研究了多孔硅技术在多晶硅太阳电池中的应用,用化学腐蚀法制备了多孔硅,成功制备了效率达10＝72％多孔硅多晶硅太阳电池。     

杂质吸除技术与高效硅太阳电池

应用杂质吸除技术,以1Ω—cm P型Φ60mm复拉单晶硅制作N+—p—p+铝背场太阳电池,在AM1.5条件下,全面积光电转换效率在10％以上(有效面积光电转换效率为12％)的太阳电池占90％,最高可达14％(有效面积光电转换效率为16.2％)。在P+—N—N+型太阳电池上获得相同的结果。     

遮挡对硅太阳电池组件性能的影响研究

遮挡是造成太阳电池组件输出功率降低的原因之一,研究这一因素可以让人们正确认识遮挡造成的后果,避免不必要的损失。通过对单片电池进行不同比例的遮挡,分别测试了单晶硅、多晶硅两种太阳电池组件性能变化和对蓄电池充电的影响,并对两种太阳电池造成影响的差异进行对比。     

太阳能电池及材料研究和发展现状

文章介绍了不同材料的太阳能电池,如单晶硅、多晶硅、多晶硅薄膜、非晶硅薄膜、CuInSe2、CdTe、染料敏化等太阳电池主要制备工艺、典型结构与特性.简要说明不同电池商品化生产情况及光伏产业发展趋势.     

晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究

为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率，研究了用等离子增强化学气相沉积（PECVD）的SiNx：H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响，并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池。实验发现：同SiNx：H比较，SiNx:H/SiO2双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用，提高了太阳电池的光电转换效率。基于界面物理，提出了一种新的能带模型，解释了用不同实验方法制作的晶体硅太阳池性能的差异。     

单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

一种新型低成本的单晶硅表面织构化方法的研究

为了增加单晶硅太阳电池的光谱吸收,提高太阳能电池的光电转换效率,用一种新型的腐蚀剂磷酸钠对单晶硅表面进行织构化研究,分析腐蚀液的浓度、反应时间、反应温度对制备单晶硅太阳能电池绒面的影响,并研究添加剂异丙醇(IPA)对磷酸钠(Na3PO4·12H2O)制绒效果的影响.当磷酸钠的浓度为13%wt,反应温度为85℃,反应时间为25min时能制备出金字塔大小均匀、覆盖致密的绒面,并在400-800nm光谱范围内获得最低反射率12.41%.适量的添加IPA有助于制绒效果的改善,可以使反射率更低.此制绒方法重复性好、价格低廉,是一种很有前景的制绒方法,可以进行大面积生产.     

pn结太阳电池饱和电流密度的理论研究

为提高太阳电池的开路电压Vac和效率η,必须减小饱和电流Jo,据此,对影响Jo的各种因素进行了研究,推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳电池的表面复合速度和少子加速场对Jo影响的表达式,并且对两者的影响进行了数值模拟,直观地得出了以下结论：在保证消除重掺杂效应带来不良影响的条件下,增大发射区少子漂移场强,可减小,Jo,提高电池Vco;减少电池的表面复合速度,能提高电池的性能。     

柔性CZTSSe薄膜太阳电池的制备及扩散阻挡层对其性能影响的研究

在不锈钢衬底上,采用溶胶-凝胶后硒化退火工艺制备CZTSSe薄膜并构建成太阳电池器件.采用扫描电镜、X射线能量色谱仪和太阳电池测试系统对薄膜和柔性电池器件进行表征.研究结果表明:通过对比,430钢上制备的CZTSSe吸收层最符合制备高性能器件的要求;研究了不同扩散阻挡层对器件性能的影响,其中Ti阻挡层不仅可以促进CZTSSe晶粒长大,还可以显著提高电池的短路电流和填充因子,对电池的转换效率有大幅的提升,并最终获得了转化效率为1.19%的柔性CZTSSe薄膜太阳电池.     

用背反射提高染料敏化太阳电池光吸收的研究

介绍了一种提高染料敏化太阳电池光吸收的背反射结构,以解决染料在长波范围吸光能力差的缺点。用P25纳米TiO2粉和水热法两种不同工艺制备了电池。透过光谱测试表明,两种工艺制备的电池对长波范围的光都没有充分利用,水热法制备的电池更透明。太阳模拟器测试结果表明,用银反光膜作为电池的背反射结构,增加了染料对长波范围内的光吸收,显著提高了电池的光电转换效率。P25粉工艺制备的电池效率提高了11.4%,水热法工艺制备的电池效率提高了22%。     

染料敏化太阳电池的光生电流对短路电流的影响

等效电路分析和实验结果证实,染料敏化太阳电池的光生电流显著地影响着电池电压-电流曲线中的短路电流.首先根据等效电路分析,得出了染料敏化太阳电池的光生电池值,以及理论上光生电流对短路电流的影响.进一步的电池制备和效率测试,证明了上述的理论计算论断.最后,根据光生电流与短路电流的关系,本文提出了通过提高光生电流来提高短路电流,最终提高染料敏化太阳电池效率的思路,并按照上述思路得到了电池效率提升20%的试验结果.     

太阳能电池技术进展与趋势

本文主要介绍太阳能电池的最新技术进展和太阳能电池的应用,阐述了单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳电池、化合物薄膜太阳能电池及染料敏化太阳能电池的技术进展和发展前景.     

微型槽,钝化发射区硅太阳电池研制

用光刻法,在面积为1cm~2,电阻率为0.3Ω·cm的P型单晶硅上制作具有56条微型槽的太阳电池,并对其发射区进行钝化。由于这种电池结构处于平面结与垂直结之间,因此它既可作为常规电池,也可用于低倍聚光电池。     

等离子体太阳电池的研究进展

 高效太阳电池是近年太阳电池产业发展的目标,等离子体太阳电池技术则是近年来研究的比较活跃的高效太阳电池技术之一。该文对等离子体太阳电池,从原理,材料到技术的最新研究进展做了比较全面的论述。等离子体太阳电池主要是利用贵金属纳米颗粒的表面等离子体效应增强太阳电池的光吸收。该技术既可以用在传统的硅电池上也可以用在薄膜电池上,尤其适用于作为薄膜电池的陷光结构,并且易于和传统的电池制造工艺相结合,有实现商业化的潜力。