纳米ZnO在可见和紫外波段的激子发光

纳米结构ZnO及ZnO稀土离子掺杂发光在蓝/蓝绿可见波段和紫外波段存在受激发射,可能成为制备短波长激光、发光半导体重要的候选材料.基于量子限域-发光中心模型,分析了纳米ZnO的激子发光和缺陷发光机制,指出纳米结构ZnO在蓝/蓝绿可见波段和紫外波段发光是通过晶粒内部带隙间的激子复合发光.     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

量子点的电子结构及量子效应

纳米材料与宏观体材料的物理化学性质不同,其物理化学性质取决于量子尺寸效应和量子限域效应等,讨论了量子点的主要量子效应以及处理量子点电子结构的方法,同时提出了目前存在的困难.     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

烧结温度对ZnS量子点的结构及其光催化性能的影响

以醋酸锌(Zn(Ac)_2·2H_2O)、硫化钠(Na_2S·9H_2O)和油酸等为主要原料,去离子水为溶剂,采用水热法成功制备了ZnS量子点,采用X-射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电子显微镜(HTEM)对所制备样品的物相和形貌进行了表征.同时研究了不同合成温度下ZnS量子点的光催化性能.结果表明,成功制备了纤锌矿结构的ZnS量子点材料,ZnS量子点有较高的光催化活性,在紫外光照射下对有机染物料罗丹明B有明显的降解性能.     

2-叔丁基-9,10-二（三苯基乙烯基-4-苯基）蒽的电子结构和光谱性质的理论计算

蒽类化合物作为有机电致发光材料具有刚性结构、宽能隙和高荧光量子效率等优点,近年来引起了人们的广泛关注.本文通过量子化学计算系统的研究了一种新型的蒽类蓝光发光材料--2-叔丁基-9,10-二(三苯基乙烯基-4-苯基)蒽(TPVAn)的光学和电子结构性质.计算结果表明,TPVAn分子具有三维的非平面分子结构,这种结构可以降低分子间的相互作用以及激基缔合物的形成.电子的激发导致TPVAn分子中心蒽中各键键长发生变化.吸收光谱和发射光谱的理论计算值和实验值符合较好,分别为328.34 nm和453.15 mn,并且该分子荧光寿命较长,为15.9094 ns.在电致发光器件应用上,TPVAn分子是一种具有开发前景和实用价值的蓝光发光材料.     

水相中合成CdSe量子点的研究

分别用Na2SeSO3和NaHSe为前驱体在水相中合成了CdSe半导体量子点（Quantum Dots, QDs）材料，通过紫外吸收光谱（UV-VIS）、荧光发射光谱（PL）、透射电子显微镜（TEM）等手段对制备的样品进行了表征. 实验结果表明：选用同一前驱体，紫外吸收峰、荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移，即粒径在不断长大；随反应时间延长荧光发射谱的半峰宽逐渐变宽，选用不同的前驱体，反应相同的时间，可以得到不同粒径的量子点材料，量子点水溶液Zeta电位基本不受前驱体和pH值的影响，始终为负值.     

磁性单量子点磁化动力学行为的研究

量子点指的是由一定数量的实际原子组成的聚集体,点阵体系的尺度约在1 nm至100 nm左右.由于量子点具有非常广泛的应用前景,近年来量子点技术引起人们越来越多的兴趣.本文采用标准Monte Carlo模拟方法研究Heisenberg模型下单个磁性量子点的磁化动力学行为,分析单个磁性量子点的磁化曲线、磁滞回线以及磁化强度、磁化率、矫顽力等磁参量与量子点半径、温度等的关系.     

驱动场作用下衰变率对量子点——腔耦合系统的非线性激射光谱的影响

基于量子点———腔耦合系统模型,运用腔量子电动力学中的全量子理论和数值模拟计算方法,研究在外加驱动场作用下,系统中一些衰变率对腔模场中的粒子数分布和非线性激射光谱的影响.首先分别讨论了在目标量子点与漏腔以及驱动场之间共振和非共振情况下,系统中纯消相、非相干泵浦以及驱动场对粒子数分布的规律,再对非线性激射光谱作出了对比分析.从而进一步为实现稳定、高效、可集成的单量子点激光器的制备提供了有力的理论指导.     

电子波函数相位对耦合量子点系统电子遂穿谱的影响

利用格林函数方法得到了电子遂穿耦合量子点几率谱的表达式,研究了量子点相位对耦合量子点系统电子遂穿几率谱的影响.结果表明,当改变电子通过介观环上臂波函数相位时,电子隧穿量子点的几率幅随着它的增大而增高,同时电子隧穿第一个量子点几率幅的相位随着几率幅的增高而增高.当减小两个量子点间的耦合强度时,共振峰发生了明显变化.     

多孔硅的微结构与光致发光谱

采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ），原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光光谱（ＰＬ），对多孔硅的微结构和光致可见发射进行了研究，结果表明，多孔硅的发光机理与其微结构之间有着密切的联系，多孔硅是大量的晶体结构的柱状或球状硅组成的，并且呈现一种有序结构，人们较普遍认为，多孔硅的有效发光是起源于电化学腐蚀过程形成的纳米结构－硅量子线或量子点，本实验的结果与这一模型的相吻合。     

压力对铕离子发光特性的影响

采用高温高压方法合成了Srs2SiO4：Eu3 SrSiO3:Eu3 发光材料．研究了压力对以硅酸盐、磷酸盐为基质的Eu3 离子发光特性的影响．实验表明，随压力变化，铕离子的峰位、峰形、发光强度及量子发光效率都发生变化．这是由于压力引起的库仑相互作用、自旋──轨道耦合相互作用以及晶场的变化引起的．     

量子点超晶格中的电子输运

用递归格林函数方法研究了一种周期排列而成的量子点超晶格结构中的电子输运性质.计算结果表明,电导图谱及其共振峰的劈裂依赖于量子点的几何尺寸、量子点的数目及量子点中势的大小.     

氨基功能化碳量子点的制备及其光催化性能研究

采用水热法,分别以柠檬酸和抗坏血酸为碳源,合成了碳量子点,使用氨水对获得的碳点进行了氨基功能化.并以超声的方式将碳量子点与二氧化钛复合,制备出复合光催化剂.研究了氨基功能化碳量子点对二氧化钛在可见光下对亚甲基蓝水溶液的降解能力的影响.结果表明:氨基功能化能明显提高碳量子点的荧光强度.光降解30 min后,以N-CQDs/Ti O2为催化剂的反应体系脱色率为88%.     

有机光致发光材料的研究进展

简述了有机光致发光材料的发光机理,发光与结构的关系,综述了有机小分子、高分子发光材料的国内外研究现状.并对光致发光领域的应用前景作了展望.     

共振激发量子点在非共振量子点-腔耦合结构性质的研究

提出了在非共振量子点-腔耦合结构中有一共振激发量子点的模型.采用量子主方程方法计算平均光子数、平均声子数、光子数分布和二阶相关度随时间演化,来研究该系统的量子统计和相干性质.分别讨论了光子数分布和二阶相关度随原子自发辐射率、腔场衰减率及平均声子数改变的时间演化行为.研究表明无论好腔条件下还是坏腔条件下,腔场内的光子都成亚泊松分布.好腔条件下反群聚性不明显,但在坏腔情况下表现出明显的反群聚性.该体系的声子数均没有明显的变化.     

醇酸清漆表面包覆改性长余辉发光材料铝酸锶的耐水性能

采用燃烧法合成了SrAl2O4：Eu2＋,Dy3＋黄绿色长余辉发光材料,并对其进行醇酸清漆包覆.对包覆材料进行了水解后电导率、发光亮度及余辉衰减曲线的测定,利用红外光谱及热重分析对包覆层进行分析.结果表明合适量的清漆包覆对发光材料的发光性能影响很小,却能有效地改善其耐水性能.合适包覆量的质量百分比约为4.2-6.3%.     

浅谈稀土发光材料的应用及其研究进展

本文介绍了拥有巨大发展潜力的新型功能材料,稀土发光材料,并介绍了它的种类、发光机理、发光性能以及稀土发光材料在食品检测、纺织品、照明材料和显示材料中的应用,最后对其发展进行了展望。     

ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展

ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题,详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、利用量子限制效应等技术,使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质量和发光效率得到改善。     

锆、钛掺杂改性铝酸锶长余辉发光材料性能的研究

应用燃烧法合成了锆、钛掺杂SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋黄绿色长余辉发光材料,并对材料发光性能进行测试分析.结果表明,锆、钛掺杂能明显改善铝酸锶样品的发光性能.锆、钛的最佳掺杂摩尔比分别为6%和3.75%.