磁性薄膜热力学性质的变分累计展开研究

采用变分累计展开 (简称VCE)方法研究了量子Heisenberg薄膜 ,计算了内能和比热的累积展开 从三级累积展开的结果 ,发现在临界约化温度处内能不连续 ,一级除外 ;而比热到三级都是不连续的 .     

磁性薄膜自发磁化强度的变分累计展开分析

利用变分累计展开方法，分析了Heisenberg磁性薄膜的自发磁化强度到三级累积展开，结果表明：自发磁化强度依赖于薄膜的层数，在某一临界厚度以下，自发磁化强度随薄膜原子层数的减小而迅速减小，其结果与实验数据接近。     

磁性薄膜自发磁化强度的变分累计展开分析

利用变分累计展开方法,分析了Heisenberg磁性薄膜的自发磁化强度到三级累积展开.结果表明自发磁化强度依赖于薄膜的层数.在某一临界厚度以下,自发磁化强度随薄膜原子层数的减小而迅速减小,其结果与实验数据接近.     

量子Heisenberg薄膜的热力学性质的解析研究

采用变分累计展开(简称VCE)方法研究了量子Heisenberg薄膜，计算了内能和比热到三级累积展开，发现在临界约化温度处内能除了一级全是不连续的，而比热到三级都是不连续的．     

量子Heisenberg磁性薄膜热动力学性质的研究

以量子Heisenberg模型为基础研究了磁性薄膜的热动力学性质. 采用变分累积展开方法,以图解方式给出了简立方格点上自旋为1/2的量子Heisenberg磁性薄膜不同晶面的热动力学性质. 计算临界约化温度、内能和比热到三级累积展开,分析不同晶面的临界约化温度随原子层数的变化,并对结果进行比较;同时比较和讨论了薄膜原子层数对不同晶面的内能和比热变化的影响.     

量子Heisenberg薄膜磁性的解析研究

采用变分累计展开方法，计算量子Heisenbery薄膜的自发磁化强度到了三级累积展开结果表明：自发磁化强度依赖与薄膜的层数，在某一临界厚度以下，自发磁化强度随薄膜原子层数的减少而迅速减少.     

量子Heisenberg模型的变分累积展开研究

发展了变分累积分展开方法,并用于处理量子Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型,显示从自由能的解析性质出发,原则上能确定系统的临界温度到任意精确的级次;给出了产方格点上自旋１／２体系达到三次累积展开的临界温度,并与存在结果作了比较。     

用变分累积展开方法计算磁性薄膜的临界指数γ(L)与β(L)

Ｌｉｎ Ｄｏｕｌｉａｎｇ等人把变分累积开展（ＶＣＥ）方法用于薄膜，计算了各种结构的磁性薄膜的临界温度。本文是文献〔１〕的继续，计算了Ｌ层磁性薄膜的临界指数γ（Ｌ）与β（Ｌ），计算结果一文献〔３￣５〕的实验结果符合。对于Ｌ＝１（相当于２维）这一特征，我们的计算结果与精确解符合得相当好。     

变分累积展开对不同格点结构的磁性薄膜的热动力学性质的研究

采用变分累积展开方法，研究了面心立方(fcc)、体心立方(bcc)格点上Heisenberg磁性薄膜的热动力学性质．计算其临界温度、内能和热容到了三级累积展开．作为一个特例，对自旋1／2铁磁性薄膜，给出了这些物理量随温度和薄膜原子层数的变化关系．并与简立方(sc)情形下的相应结果作了比较．     

用变分累积展开法计算二维Ising模型八阶临界温度

本文用变分累积展开对Ｉｓｉｎｇ模型的临界温度的计算提出一种直观的图示解法，使计算大为简化。应用此法求得各阶临界温度与其他文献推算结果相一致。本文利用此法计算二维Ｉｓｉｎｇ模型八阶临界温度Ｔｃ（８）＝２．４７６７１，此法也可以推广到三维的情形．     

双层磁性膜自旋波能量耗散的研究

建立了外场作用下双层膜的自旋波共振模型,求出双层磁性膜的有效阻尼参数,得到能量耗散特征量——自旋波谱线宽度2△H随波矢k1、双层膜厚度、阻尼参量和回转磁化率等的变化关系．对YsmFe5O12／(LaEr)3(FeGa)5O12 双层膜进行计算,其理论计算与实验结果一致．结果表明:在阻尼系数有较大差异的两层膜中,自旋波线宽度2△H 随激发层中自旋波矢增大而明显增大．     

化学镀Co-Ni-P合金薄膜的结构与磁性研究

采用化学镀制备了Co-Ni-P磁性合金薄膜,分别用能谱仪、XRD和AGM对薄膜的成分、结构和磁性进行了表征,考察了化学镀液中硫酸铵浓度对薄膜成分、结构和磁性的影响.结果表明,随硫酸铵浓度的增加,薄膜中的Co含量增加,Ni、P含量逐渐下降;结构逐渐由密排六方结构(hcp)-αCo的固溶体转化为面心立方结构(fcc)-βCo的固溶体;矫顽力随之显著增加,矩形比变化不大.     

垂直磁记录介质Co—CoO薄膜的磁特性和微结构

采用垂直蒸镀的方法,在接近室温的基底上,以较低的沉积速率(R(?)5(?)/S),连续调节通入真空室内的氧气压强PO_2,成功地蒸镀出性能优良的Co-CoO垂直磁化膜。其磁特性完全适用于作垂直磁记录介质。与高沉积速率的蒸镀相比,仅是适于产生垂直磁化膜的氧气压强PO_2的范围小些,薄膜磁特性和微结构对PO_2的变化较敏感,需要更精细地控制PO_2的数值。通过X射线衍射分析和透射电镜观察薄膜表面的复形表明:具有最佳磁特性的垂直磁化膜是hcp Co和fcc CoO的混合物,并形成以Co为中心,外面包围着CoO的柱状结构。当PO_2≥1.5×10~(-4)乇时,膜中出现了极少量钴的高价氧化物(如Co_2O_3,Co_3O_4),则形成以CoO为中心的CoO-Co-CoO相间的内外三层的柱状结构。此时薄膜的Ms变得较小,矫顽力H_(c⊥)和H_(c∥)也减小,磁特性开始变坏。     

立方晶体磁记录薄膜稳定磁化的取向研究

导出了易磁化轴沿着x轴时薄膜能量密度的取向通式;分析了薄膜进行稳定磁化的取向数;讨论了能量密度随取向角变化的关系,结果显示：在水平方向上,系统有4个稳定的水平磁化取向,能量密度与2K1之比在θ的取值范围内有最小值,但各曲线最小值对应的θ则不同;在竖直方向上,当α取一周时,有4个稳定磁化方向,但此时的稳定磁化弱于不稳定磁化;当分别保持磁化场和磁化强度不变时,两种情况下的能量密度与2K1之比值都有最大值和最小值,且各曲线上最大值与最小值对应的位置相同．     

薄膜显微结构的研究

采用复型技术,在透射电镜中观察到厚度大于0.5μm的蒸发淀积Al膜的显微结构,实验结果表明,膜的表面呈岛状结构,侧面呈柱状结构,同时也探讨了影响“柱”直径大小的因素。     

酞菁铜薄膜的飞秒z-扫描研究

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,用z 扫描方法测量了酞菁铜的三阶非线性光学极化率 .用激光器振荡级测量的 χ( 3 ) 值为 - 4 3× 10 -7esu ,而用激光器放大级测量的结果为 2 6 2× 10 -11esu ,前者比后者大 4个量级 .酞菁铜薄膜对激光束的吸收以及振荡级激光脉冲的高重复频率表明振荡级测量的结果主要来自热致透镜效应的贡献 ,而采用低重复频率的放大级测量得到的值才真正反映酞菁铜薄膜的本征三阶非线性光学特性