厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少.在此基础上,通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大,成功制备出厘米线度的C60单晶.X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质.作为大尺寸C60单晶的应用之一,测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散.     

C_(60)晶体生长初探

:C60单晶的制备是一个动力学过程,与许许多多的因素有关,很小的微扰就可能直接影响到单晶的成核与长大的形状.本文试图用单晶生长理论,对单晶制备中出现的“各种角度的孪晶”,“较大的枝蔓晶”和“台阶生长的空心晶体”等进行分析,以便能找出生长单晶的最佳工艺条件和理论依据.     

C60晶体生长初

C60单晶的制备是一个动力学过程,与许许多多的因素有关,很小的微扰就可能直接影响到单晶的成核与长大的形状.本文试图用单晶生长理论,对单晶制备中出现的"各种角度的孪晶","较大的枝蔓晶"和"台阶生长的空心晶体"等进行分析,以便能找出生长单晶的最佳工艺条件和理论依据.     

关于非均匀成核理论

非均匀成核理论是在均匀成核的经典理论的基础上发展起来的。自然界雨、雪、冰雹的形成都有个在外来基底上的成核过程,即非均匀成核过程。单晶体的成长,特别是薄膜外延,金属电沉积,气相沉积等单晶薄膜的制备等一般都离不开非均匀成核。目前,半导体工业,大规模集成电路的迅速发展使得单晶薄膜的制备在电子技术中日显重要,也相应地促进了非均匀成核理论,特别是其中有关薄膜凝固理论的发展。     

琥珀酸氢十八酯(OHS)过饱和溶液的成核研究

为了探索培养ＯＨＳ优质单晶的优化条件，本义研究了过饱和ＯＨＳ 溶液的成核，测量了以诱导期表示的成核速率，报告了温度、过饱和度和溶剂对成核速率的影响，并根据经典成核理论计算了晶体的表面张力、成核自由能和临界成核半径。     

马来酸氢十四酯(THM)在过饱和溶液中的成核

研究马来酸氢十四酯(THM)在以苯为溶剂的过饱和溶液中的成核过程,测定了以成核诱导时间表示的成核速率,分析不同温度下过饱和度对其诱导期的影响,并根据经典成核理论计算了固～液表面张力、临界成核自由能和临界成核半径.结果认为,低温度区间范围有利于THM单晶的生长.     

科技短波

世界首颗厘米量级碳60分子单晶在我国问世世界上最大的碳60(C60)分子单晶最近在浙江大学问世。有关专家称,这颗世界上首次以厘米计量的 C60单晶的诞生,使 C60及其化合物在物理、化学及标准科学等研究领域的前景更为广阔。据介绍,C60材料在室温下可以形成分子晶体。但由于其单晶生长不易,因此在这之前,国际上制备出的最大的 C60单晶的线度仅为6mm,这也使得目前绝大我数的研究仅停留在粉末材料或薄膜材料上。浙江大学物理系凝聚态物理研究所经过多年的研究,找到了一条最为适合 C60单晶生长的温度曲线,并成功地制备出了这颗最大线度达1.3 cm 的大尺寸、高品质单晶。     

铜、钴在Pt(111)面上电结晶过程的现场ECSTM研究

利用电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场观察Co、Cu在铂单晶(111)面上的电结晶成膜过程。结果表明：Cu在铂单晶(111)面上的电结晶过程在欠电位下为层状平面生长，而本体沉积为三维岛状生长；Co在铂单晶(111)面上的电结晶过程无论是低过电位还是高过电位都呈三维岛状方式生长；Co、Cu电结晶过程均随过电位升高，成核数目增加。     

布基球烯衍生物C60Br24和La@C60的高效制备

给出了用阳极电弧在氦气氛下蒸发含镧石墨棒高效制备宏观量C60的内含镧原子的衍生物La@C60及在常温常压下以铁粉为催化剂高效制备C60的外修饰衍生物C60Br24的方法，还给出了C60Br24的红外吸收谱、C60,C69和La@C60混合物的质谱、13C核磁共振谱等波谱性质。经红外谱分析，产物为单一结构的C60Br24分子，而非混合物。核磁共振谱、质谱、液相色谱分析表明，镧原子被囚于C60内，但并未引起C60分子笼体的膨胀、缩小及变形。     

Ph3SnO2C4H3S的合成、性质和晶体结构

用Ph3SnCl与NaO2C4H3S反应，合成了Ph3SnO2C4H3S，并进行了红外光谱、核磁共振氢谱及质谱表征．X-射线单晶衍射表明，该化合物的晶体是由孤立的分子所组成，四配位的锡原子呈畸变的四面体构型，配体噻吩环上的硫原子和锡原子之间存在弱的配位作用．     

120keVH^＋离子注入C60薄膜中的辐照效应

研究高能离子与C60晶体相互作用，是认识高能离子与凝聚态物理相互作基本规律和开发应用C60分子材料的基础，对实现C60分子掺杂以及这种材料开发应用都具有十分重要的意义，利用120keVH^ 离子注入C60薄膜，系统研究不同注入剂量对C60薄膜结构的影响，用Raman散射技术分析了H^ 离子在C60薄膜中引起的辐射效应，分析结果表明，H^ 离子辐照会影响C60薄膜结构，使C60薄膜产生聚合和薄膜非晶碳化现象，上述现象产生与辐照注入离子的辐射剂量有关，在整个辐照过程中电子能损起主导作用，电子能损有明显的退火效应，致使C60由晶态向非晶态转变过程中，经历了一个石墨化的中间过程，即晶态C60分子→石墨化→非晶碳这一过程。     

环境湿度对VGF法半绝缘砷化镓单晶备料生长的影响研究

利用垂直梯度冷凝法生长半绝缘砷化镓单晶的环境是一个密闭的真空系统,但是在备料过程中不可避免要受到周围环境的影响。通过除湿设备对环境除湿,分别在湿度为40%,±5%,和60%,±5%,时,使用等质量的多晶料、掺杂剂等材料进行备料实验研究。结果表明,环境湿度较大时备料,VGF生长出的半绝缘砷化镓单晶表面有凹坑甚至沟道,影响单晶直径,而备料系统中适当的含水量有助于生长过程的掺杂,当环境湿度较大时备料反而会降低砷化镓晶体生长时掺杂C的浓度,进而降低其半绝缘性能。     

{(PhCH2)2Sn[2,6-(O2C)2C5H3N](CH3OH)}2 的合成及结构

合成了七配位二聚体{(PhCH2)2Sn[2，6-(O2C)2C5H3N](CH3OH)}2。通过元素分析、红外光谱和核磁共振氢谱对其结构进行了表征。用X-射线单晶衍射测定了该化合物的晶体结构。化合物中两个锡原子呈七配位畸变五角双锥构型。     

富勒烯-聚甲基丙烯酸甲酯复合膜溶胶-凝胶制备与结构的研究

采用溶胶-凝胶的方法，在Si（100）衬底上制备了C60-聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA ）复合膜.红外光谱分析表明，C60分子已均匀地分布在PMMA中，凝胶以后形成了C 60-PM MA复合膜.利用X射线衍射（XRD）谱研究了该复合膜的结构，结果表明，在200℃真空退火后 C60分子 趋向相互聚集并形成晶化C60颗粒，其尺寸强烈依赖于C60含量.随C60含 量的增加，晶化C6 0颗粒尺寸增大.高C60含量的复合膜中多晶状态的C60 颗粒，呈现面心 立方（fcc）结构〈111〉方向的择优排列特征；并且观察到XRD信号极强的、异常的333衍射 峰现象，对其产生机理进行了初步探讨.     

高铁赤泥煤基直接还原中铁晶粒成核及晶核长大特性

讨论了高铁赤泥煤基直接还原特性及还原过程中金属铁晶粒成核及晶核长大特征。研究结果表明，由于还原过程中生成了铁橄榄石和铁尖晶石，使得金属铁晶核更加难成；新相一旦形成后，铁橄榄石和铁尖晶石充当了成核剂，使得金属铁晶粒成核位垒降低，成核进度加快，其过程系“吸附－固相反应－自动催化”。     

碘化汞晶体的品质鉴定

用气相定点成核法生长出碘化汞单晶体，借助光电流，紫外－可见光谱，傅里叶变换红外光谱和拉曼谱的测量来表征。结果表明，碘化汞晶体中不含Ｈｇ２Ｉ２杂质，晶体质量达到制作探测器和固态光电探测器的水平。     

基于1,4:3,6-二缩水-D-果糖的噁唑烷衍生物的NMR研究

以1,4:3,6-二缩水-D-果精为原料合成了4个新的噁唑烷衍生物,由于化合物中含有多个相同的结构单元,造成化学环境非常相似.采用1H NMR、13C NMR、DEPT及二维谱1H-1H COSY、HSQC、HMBC和高分辨质谱(HRMS)对其1H、13C NMR全谱给予了准确归属,并结合NOESY谱和相关化合物的X射线单晶衍射结果证实了化合物的立体结构.     

三苯基锑二茂铁乙酮肟配合物的合成及晶体结构

利用三苯基二氯化锑与二茂铁乙酮肟反应,合成了三苯基锑二茂铁乙酮肟配合物[C5H5FeC5H4C(CH3)=NO]2SbPh3,并用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和X-射线单晶衍射对该化合物进行了表征.     

钨青铜型Ca_(0.28)Ba_(0.72)Nb_2O_6单晶的正常弛豫铁电相转变研究

研究了大块Ca0.28Ba0.72Nb2O6(CBN-28)单晶沿[001]方向的铁电介电性能.结果表明,CBN-28单晶的自发极化、剩余极化和矫顽场分别为35.3μC/cm2,32.2μC/cm2和38.1kV/cm.在室温下频率f=10kHz时,介电常数(εr=195,介电损耗tgδ=0.32.变温的介电谱显示该单晶在252℃附近发生了正常铁电体向弛豫铁电体的转变.低频时在325℃～500℃范围内出现了具有弛豫特征的介电反常.120℃附近有一由氧空位的迁移引起的介电弛豫损耗峰,由此计算得激活能为1.19eV.通过阻抗谱计算,在500℃～560℃范围内的电导激活能为1.33eV.     

动力学去耦提升N@C_（60）@C_（60）H_（28）单晶中电子自旋相干时间的实验研究

内嵌富勒烯N@C60与C60H28分子共结晶形成的单晶N@C60@C60H28,能够实现N@C60的有序排列,从而在实现基于内嵌富勒烯的可扩展量子计算上具有着突出的潜力.本项研究中,我们对单晶N@C60@C60H28中氮电子自旋的弛豫时间和弛豫机制做了详细的测试和分析,厘清了N@C60@C60H28样品中氮电子自旋相干时间（T2）降低的主要原因来自C60H28分子中质子核自旋热库的影响.通过动力学去耦实验技术,我们进一步有效地抑制了这一不利影响,实现了氮电子自旋T2时间的显著提升.这一研究结果对于更好地保护编码于有序富勒烯内电子自旋上的量子信息,进而实现量子计算,具有重要的意义.