CVDSnO2薄膜吸附的XPS研究

利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关，根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ２吸附机理，讨论ＳｎＯ２薄膜的气敏与ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。     

SiO2薄膜热应力模拟计算

摘要:薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.本文采用有限元模型对SiO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.同时计算了薄膜热应力的大小和分布,分别分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图, 对薄膜现实生长具有一定的指导意义.     

直接光CVD法低温生长SiO2薄膜技术及其应用

使用自制的微波激励式真空紫外光化学汽相淀积设备，以硅烷和氧为反气体，在３２－２２０℃的低温下，成功地淀积出了优质实用的ＳｉＯ２薄膜，测试结果表明，淀积膜的组分结构，主要光学及电学特性均与高温生长膜的相符，将该技术应用于某些晶体管及热敏打印元件的制作工艺中，已取得了明显的衫效果。     

V2O5薄膜结构和性能研究

在常温下，用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜，经过450℃退火，得到V2O5薄膜。用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试，用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明，V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。室温到320℃范围内电阻变化2个量级，薄膜的光学能隙为2．46eV，与V2O5体材料性能一致。     

用变角XPS技术定量计算超薄SiO2层厚度

采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析

文章通过改变玻璃基温度和靶基间距,采用m(O2)/m(A r)为1∶12.5,溅射功率为190 W,工作真空度为2.2 Pa,用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜,并经真空退火处理,制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分。测试分析结果表明,基片温度在室温或超过350℃,易于生成VO2薄膜,真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷,提高V与O的化学计量比。     

Zn2+-壳聚糖螯合物的制备及其IR、XPS分析

以自制壳聚糖为原料，在ω＝0．05的醋酸水溶液中与Zn^2 配位，冷冻沉降后得Zn^2 —壳聚糖高分子配合物，并用红外光谱(IR)、光电子能谱(XPS)研究了壳聚糖及Zn^2 —壳聚糖螯合物表面的元素结构及其结合能的变化。结果表明Zn^2 —壳聚糖螯合物的配位原子是-NH2中的N，壳聚糖分子链上的-OH没有直接参与配位反应。     

DC反应磁控溅射制备VO2薄膜及XPS分析

文章通过改变玻璃基温度和靶基间距,采用m(O2)/m(Ar)为112.5,溅射功率为190 W,工作真空度为2.2 Pa,用DC磁控溅射法在玻璃基上沉积VO2薄膜,并经真空退火处理,制备的试样通过XPS测试分析薄膜表面的元素组成及成分.测试分析结果表明,基片温度在室温或超过350℃,易于生成VO2薄膜,真空退火可以显著改善制备薄膜的氧缺陷,提高V与O的化学计量比.     

金属卟啉表面吸附NO的XPS和IR研究

用x-光电子能谱,红外光声谱和漫反射红外光谱表征金属四苯基卟啉(MTPP,M=Fe、Co、Ni和Cu和Mn)表面对NO的吸附。观察它们的能谱和红外光谱的变化。金属卟啉的NO表面吸附物的红外光声谱谱峰有更为清晰的变化,测得v_(NO)分别为1698.6 cm~(-1)(CoTPP·NO(a)和1883.8 cm~(-1)(FeTPPCl-NO(a)。“原位”红外漫反射验的两种吸咐物,一种是稳定的,另一种是不稳定的。后者经抽空5 s即消失,可能是一种NO与卟啉环相互作用有关的谱峰,这些不稳定的谱峰相应的振动频率为1 807.3cm~(-1)(CoTPP-NO),1 830.6cm~(-1)(FeTPPCl-NO),1 799.5 cm~(-1)(NiTPP-NO)和1 801.0 cm~(-1)(CuPP-NO)     

铝颜料的聚丙烯酸酯与SiO_2 双重包覆改性

为增强铝颜料的耐腐蚀性及与树脂的相容性,先后以溶胶-凝胶法和原位聚合法在铝颜料表面包覆SiO2和聚丙烯酸酯(PA),分析了SiO2和PA包覆铝颜料的机理,运用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、光电子能谱(XPS)和环境扫描电镜(ESEM)等表征了铝颜料的表面形貌和结构,并考察了原位聚合条件对包覆后铝颜料涂膜性能的影响.研究结果表明:单体用量为0.7g、聚合温度为85℃、聚合时间为4～5h时,制备的双重包覆铝颜料在树脂中的分散性和附着力明显增强,涂层具有良好的外观、光泽度和耐酸性.     

磁控弧光增强等离子体CVD(化学气相沉积)法制备立方氮化硼薄膜

采用一种新的自行设计的磁控弧光增强等离子体化学气相沉积法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜.现已成功地在单晶硅上制备出了含量较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.制备出的薄膜用傅立叶红外(FTIR)光谱和X射线衍射(XRD)谱来表征.同时研究了各个沉积参数(基底直流负偏压、弧光等离子体放电电流、气体流量比)对立方氮化硼薄膜制备的影响.     

常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究

本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。     

二氧化硅处理杉木木材增重率与物性之间的关系

采用溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯为陶瓷前驱体,乙醇为溶剂,乙酸为催化剂(以1:1:0.01摩尔比混合)处理杉木(Cunninghamia lanceolata(Lamb.)Hook)边材,制备二氧化硅/木材复合增强材料,测定增强材料的增重率、密度、细胞壁膨胀率、吸湿稳定性及抗流失性,以了解二氧化硅处理杉木木材增重率与物性之间的关系.结果表明,二氧化硅增强材料的增重率随着与预处理材含水率的增大而增加,当预处理材为饱水材时,制备的增强材料由于细胞腔中生成大量的二氧化硅而达到最大值.二氧化硅增强材料的细胞壁膨胀率和密度随着增重率的增加而增大,增重率在48%以上的细胞壁膨胀率变化量要比增重率在48%以下的膨胀率变化量大,增重率大于7%的密度增大比增重率小于7%的增大明显.随着二氧化硅增强材料增重率增加其吸湿膨胀率减少,失重率增加.二氧化硅增强材料的增重率越大,增重余量也就越大,其抗流失性能良好.     

CeO2乙苯脱氢催化剂的XRD、XPS研究

利用XPS中的Ar4 溅射技术,发现CeO22是一种Ce3 3 和Ce4 4 共存的混合价态氧化物,其表面Ce 3 /Ce 4 比是0.1.在乙苯脱氢条件下,CeO22催化剂表面存在如下动态平衡: CeO22和CeO22-x存在于同一晶体中,CaF22型晶体结构并没有发生改变.实验表明,稳定的苯乙烯收率与表面CeO22-CeO22-x稳定物相密切相关,乙苯催化脱氢的活性相可能是CeO22-CeO22-x.CeO22催化剂表面Ce 3 /Ce 4 比值下降,其副产物(苯和甲苯)含量随之减少,乙苯脱氢选择性随之提高.     

衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究

以ＣＨ４和Ｈ２为反应混合气体,用衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）面上制备金刚石膜,使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）,Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对在硅尖上的金刚石核化进行了研究,并着重讨论了沉积在硅尖上的金刚石颗粒的生长机理。     

苯甲酸在纳米TiO2表面结合态的研究

文中通过浸渍法制备载有苯甲酸的纳米TiO₂分散体系样品,并尝试采用光电子能谱法 (XPS)对苯甲酸在纳米TiO₂ 表面键合方式进行研究,辅以红外光谱进行证明。结果表明XPS法可以很好的表征苯甲酸在TiO₂ 表面的键合方式,苯甲酸通过羧基与TiO₂ 表面形成螯合键。     

利用射频PECVD技术低温制备纳米晶硅薄膜

利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术低温制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.通过优化沉积参数,得到晶粒尺度小于10 nm,晶态体积比为58%的nc-Si:H薄膜.对nc-Si:H薄膜的光电特性进行研究,结果表明,在100 mW/cm2的光照下,nc-Si:H薄膜的光电导率为1.5×10-3Ω-1.cm-1,室温暗电导率为8.4×10-4Ω-1.cm-1,光学带隙为1.46 eV.利用射频PECVD制备的nc-Si:H薄膜具有明显的量子点特征.