首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
制备了MWNT-石墨糊修饰电极,研究了以该电极为工作电极,用阳极溶出伏安法测定Cu2 的最佳实验条件.在0.6mol/L硫酸溶液中,于-0.6V(vs.SCE)处富集420s后进行阳极溶出伏安扫描.Cu2 浓度在1×10-6-2×10-5mo/L范围内与峰电流成线性关系;在5×10-7-4×10-6mo/L范围内与峰电流二次导数呈线性关系.检出限为1.25×10-7mol/L.  相似文献   

4.
槲皮素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定血清中的铅   总被引:2,自引:0,他引:2  
建立了用槲皮素修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定血清中的铅的方法.在浓度为0.10mol·/L的甲酸钠-盐酸缓冲溶液(pH=4.3)中,于-0.10V(vs.SCE)搅拌富集,再在-0.70V静止还原40s后,阳极化扫描.于-0.42V左右获得一灵敏的铅阳极溶出峰.在最佳条件下,富集不同的时间,其二阶导数峰电流与铅离子在1.0×10-8-8.0×10-7mol·/L和2.0×10-9-6.0×10-8mol·/L两个范围内呈线性关系,检出限为6.0×10-8mol·/L,同时对电极反应机理进行了讨论.  相似文献   

5.
研究了次黄嘌呤在铜电极上的电化学行为。实验发现,以1.96×10^-3 ̄4×10^-4mol·L^-1NaOH作支持电解质时,在-0.25 ̄-0.40V的电位范围内有一灵敏的阴极峰,它是吸附于铜电极表面的Hxa与Cu^+络合物的溶出伏安峰,在选择的实验条件下,峰高与Hxa的浓度在1.46×10^-6 ̄2×10^-3mol·L^-1范围内呈良好的线性关系,最低检测限为5.6×10^-8mol·L^-  相似文献   

6.
在pH为8.5,0.2mol/L,氨性缓冲底液中,以酸性铬兰K(ACBK)为修饰剂,固体石蜡为粘合剂,制备了ACBK碳糊修饰电极。在-1.0V电位下富集,将钴以Co-ACBK络合物的形式吸附在电极上,以阳极溶出伏安法制定Co2+,在十0.106V(VS.SCE,以下同)处有灵敏的氧化峰,其一次微分峰电流与Co2+浓度在1.0X10~-12~1.0X10~-5mol/L范围内的负对数呈良好的线性关系,此法的检测下限为5.0X10~13mol/L.  相似文献   

7.
碘在甲壳素修饰碳糊电极上的伏安行为研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在0.02mol/L H2SO4底液中,用甲壳素修饰碳饰碳糊电极阴极溶出伏安法测定碘,阴极峰电位为0.45V(vs.SCE),该峰具有明显的吸附性,探讨了I-在电极上还原的机理,并建立了溶出伏安法测定I^-的最佳条件,最低检测限为0.2ug/mL。  相似文献   

8.
Nafion 修饰玻碳电极伏安法测定痕量氧氟沙星的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了探讨氧氟沙星简易的测定方法 ,报道了用Nafion修饰玻碳 (GC)电极测定痕量氧氟沙星的伏安法 .线性扫描过程中 ,在 +1.2 7V处发现一灵敏氧化峰 ,利用该峰可进行氧氟沙星含量的测定 .通过优化测定条件 ,利用该修饰电极测定氧氟沙星的线性范围为 :1× 10 -6~ 3× 10 -5mol/L ,检测限为 1× 10 -8mol/L .用于实际样品溶液中痕量氧氟沙星的测定 ,平均回收率为 99.5 2 % .  相似文献   

9.
本文用8-羟基喹啉修饰的铅笔芯电极研究了铜的阶梯阳极溶出伏安特性,并将此法用于人发中微量铜的测定。实验指出,在此修饰电极上,铜的阶梯溶出峰有两个,1#峰电位在-0.03V,2#峰电位在0.27V处。同样的试液和条件下,1#峰总比2#峰的峰电流大。实验研究了测定铜的最佳条件,并测得铜的浓度在4.0×10-8~1.6×10-6mol·L-1范围内,1#峰的峰高与浓度呈良好的线性关系,最低检测限为2×10-8mol·L-1。2#峰高与铜的浓度在6.0×10-8~1.6×10-6mol·L-1范围内也有较好的线性关系,也可用于测定铜。本文还分析了铜在修饰电极上的反应机理  相似文献   

10.
采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强...  相似文献   

11.
制备了羧基化碳纳米管修饰碳糊电极(MWCNT/CPE),并研究了Cu(Ⅱ)-SPAPT络合物在该电极上的吸附伏安行为,建立了一种测定痕量铜的新方法。采用二阶导数线性扫描溶出伏安法进行分析。结果表明:在0.1 mol/L的HAc-NaAc(pH=4.0)中,于-400 mV处搅拌富集一定时间,从-400~600 mV范围内以250 mV/s的扫描速度线性扫描,络合物吸附在MWCNT/CPE表面,于66 mV(vs.SCE)处产生一灵敏的阳极溶出峰,其峰电流与Cu(Ⅱ)浓度在4×10-11mol/L-8×10-9mol/L和8×10-9mol/L-1×10-7mol/L范围内分两段呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为2.2×10-11mol/L(富集时间240 s)。同时,探讨了电极反应机理。该方法操作简便、灵敏度高,应用于人发中铜含量的测定,结果满意。  相似文献   

12.
制备了邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极,在含噻吩甲酰三氟丙酮的HAc-NaAc体系中,Co(Ⅱ)离子经化学富集在电极表面上形成三元络合物.采用2.5次微分伏安法测定痕量Co(Ⅱ)离子.Co(Ⅱ)浓度在8.0×10-9~7.0×10-7mol·L-1范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系,检出限达1.2×10-9mol·L-1.电极用于水样中钴的测定,结果令人满意.  相似文献   

13.
以 1 -(4 -甲酰氨基苯 ) -3 -(4 -偶氮苯基苯 ) -三氮烯键合硅胶 (MBABT-SG)为修饰剂 ,液体石蜡为粘合剂 ,制备 MBABT-SG修饰碳糊电极 ,在 p H=8.0 0 ,0 .2 mol/L 的氨性缓冲底液中 ,于 -1 .2 0 V(vs.SCE,下同 )的电位下富集 ,将 Cd2 + 以 Cd-MBABT-SG络合物的形式吸附在电极上 ,以阳极溶出伏安法测定。于-0 .764V处有一灵敏氧化峰 ,峰电流与 Cd2 +的浓度在 5 .0× 1 0 -7~ 1 .0× 1 0 -4mol/L范围内成良好的线性关系 ,检出限为 1 .0× 1 0 -7mol/L。  相似文献   

14.
研究了盐酸克伦特罗(CLB)在多壁碳纳米管修饰碳糊电极上的电化学行为。结果发现,与裸碳糊电极相比,CLB在修饰电极上的电流响应明显增大,同时峰、峰电位差减小,测定灵敏度大为提高。在最佳实验条件下,该修饰电极测定CLB的线性范围为2.0×10-9-1.0×10-5mol.L-1,线性相关系数为0.9987(n=18),检出限为7.0×10-10mol.L-1(3Sb)。对5.0×10-7mol.L-1的CLB平行测定10次的相对标准偏差为3.6%。此方法已用于模拟尿样及模拟兔血清中CLB含量的测定,加标回收率分别为100.8%与98.6%。  相似文献   

15.
MWNT-石墨糊电极阳极溶出伏安法测定铅   总被引:3,自引:0,他引:3  
制备了多壁碳纳米管(MWNT)-石墨糊电极,实验发现可用该电极阳极溶出线性扫描法测定Pb2+.实验表明以MWNT、石墨粉和液体石蜡的质量比为4∶4∶5的MWNT-石墨糊电极为工作电极,在-0.46V处测定出Pb2+的阳极溶出峰,其峰电流的二阶导数值与Pb2+浓度在1.06×10-7-1.06×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为3×10-8mol/L.试样测定的回收率为97.0%-104.7%.  相似文献   

16.
用示波极谱阳极溶出法作三氯化金试剂(分析纯)中痕量铜铅的定量测定,以玻璃碳电极为工作电极。用环戊醇苹取试样水溶液中的大量基体元素Au~(3+),用还原剂还原剩余在水相中的少量 Au~(3+),在 pH=3.3的 HCl 介质中,作阳极溶出测定铜,富积电位-0.6伏(VS.SCE,下同),富积时间2分钟,铜溶出峰电位-0.11伏。测完铜后,用双硫腙-四氯化碳革取掉铜,剩余水相作阳极溶出测定铅,富积电位-1.5伏,富积时间2分钟,铅溶出峰电位-0.55伏。本方法可测至1ppb 的铜和10ppb 的铅,两者回收率平均误差分别为+4%和-7%。  相似文献   

17.
研制猕猴桃浆修饰碳糊电极,探讨该电极的性能和实用性。用示差脉冲伏安法检测维生素片剂中抗坏血酸的含量,结果与药典法相符。检测下限为5.00×10-6mol.L-1,电极具有良好的重现性和选择性,响应时间短,使用寿命12d以上。  相似文献   

18.
用微分脉冲伏安法研究了2-硝基苯酚在蒙脱石修饰碳糊电极上的电化学还原行为,提出了一种直接检 测2-硝基苯酚的伏安分析方法.优化了影响2-硝基苯酚伏安响应的各种参数,例如支持电解质、pH值、蒙脱石 用量、富集电位和时间.在1×10-7-2×10-5mol/L浓度范围内,峰电流与浓度呈良好的线性关系,开路富集4 min 后,检出限(3倍信噪比)为8×10-9mol/L.2×10-4mol/L ×2-硝基苯酚平行测定8次的相对标准偏差为3.8%.用 该修饰电极测定了实际水样中2-硝基苯酚,平均回收率为101.22%.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号