浅析LC振荡器中的噪声优化

LC振荡器在射频通信系统中,充当着极其重要的角色。因此对LC振荡器进行噪声优化显得尤为重要。本文在对LC振荡器初始条件的分析下。提出了优化策略。     

具有最佳功率输出特性的耿氏振荡器设计

振荡器的振荡频率和输出功率是所用器件的等效电路参量的函数。通过对实验振荡器的频率和功率的测量，并应用最小二乘法作曲线拟合，即可提取器件的等效电路参量，从而为设计具有最佳功率输出特性的耿氏振荡器奠定了基础。该设计应用了包含非线性电导的等效电路，因此所设计的振荡器能在给定频率下输出最大功率。一个试验ＭＩＣＧｕｎｎ介质腔振荡器（ＤＲＯ）在Ｘ波段输出功率大于１００ｍＷ，频率稳定度达２．２ｘ１０－６／℃。     

晶体管LC振荡器输出电压的工程计算

本文根据晶体管LC振荡器在稳定振荡后,晶体管工作于非线性状态,集电极电流是余弦脉冲这一事实,提出了一种根据晶体管的静态工作电流来计算输出振荡电压的方法,给出了计算公式,讨论了静志工作电流应选取的范围,还对计算结果与实验结果进行了比较。     

间歇振荡器的物理特性及应急灯制作

对间歇振荡器的有功功率输出特性和频率输出特性研究发现：在一定范围内，改变电源的输出功率，间歇振荡器的有功功率的输出，可大致保持不变；在光管正常发光的范围内，它的振荡频率位于中低频之间。用电位器代替固定电阻，使灯的效率提高３０％以上。用一段中波磁棒，作为脉冲变压器的磁芯，使灯的制作大为简化。对三极管额定功率的合理选择，使设计制作的应急灯达到预想的目的。     

碳纳米管振荡器

美国康奈尔大学的研究人员使用碳纳米管生产出了一种有可能称量单个原子质量的微机电振荡器。该器件也许是有史以来生产出的同类器件中最小的，它可以在很宽的射频范围内调谐，有朝一日可取代电子电路中体积大、功耗大的元件。     

多谐振荡器频率的调节

本文主要介绍了常用多谐振荡器频率调节的方法。     

基于555多谐振荡器的测量研究

本文通过对555多谐振荡器的频段测量、设计测量、测量分析等过程研究,说明555多谐振荡器是一个产生稳定、低频段的方波电路,该实验可培养数字电子技术的基本技能,激发学生探索数字调频新领域的欲望．     

中红外光参量产生器的寄生振荡问题

寄生振荡是影响光学参量产生器的转换效率、参量光输出稳定性以及参量光光束质量的关键因素．而且随光斑分布和非线性效应,寄生振荡现象很难消除．文章重点对比了中红外光参量振荡器和光参量放大器两种不同器件中的寄生振荡问题,以及其对器件输出功率和输出激光光束质量的影响．研究表明：在PPMgLN晶体中,高阶准相位匹配是产生寄生振荡的重要原因．     

采用介质谐振器的高稳定度GaAs FET振荡器

在对介质谐振器特性及其反馈电路特性分析的基础上，采用微波集成电路技术研制出一种新型的用介质谐振器作为反馈电路且具有高频率稳定度的GaAs FET振荡器，并考虑了该振荡器的偏置电路，结果表明，该振荡器具有大于1000的外部品质因素；在振荡频率为11．85GHz，输出功率为70mW时，其效率为20％，大于1000MHz的调谐范围，用同样的微带电路形式，用5种不同的介质谐振器可以得到9－14GHz的振荡频率，在－20℃-60℃温度范围内可以得到低于150kHz/℃的高频率稳定度。     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器

提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.     

用EWB分析多谐振荡器

以EWB为工作平台，分析555组成的多谐振荡器，当改变外接电阻R1、R2和电容C时，对电路的振荡周期T、频率f及占空系数D的影响，加深对电路工作原理的理解。     

电压控制LC振荡器

设计采用Motorola公司的MC1648P(压控振荡器)及双变容二极管与电感组成的振荡电路得到要求的频率范围的高频信号,从而组成电压控制LC振荡器.采用89C51单片机和数/模转换芯片TLC5615CP组成的单片机系统完成对变容二极管的电压调节控制,显示振荡器的当前振荡频率和电压峰-峰值.     

由第二代电流传输器实现的RC正弦振荡器和压控振荡器

提出由单块第二代电流传输器（ＣＣⅡ）构成的ＲＣ正弦振荡器和压控振荡器．     

毫米波压控振荡器的计算机辅助分析与设计

运用电磁场及电路分析理论确定了一种比较合理的纵向排列结构体效应压控振荡器的等效电路模型.提出了分析其频率特性的方法,并利用分析结果,结合毫米波固态源的要求,设计了双管纵向排列的变容二极管电调谐体效应压控振荡器,机调带宽大于1GHz,电调带宽大于550MHz,输出功率大于75mW.而且具有较好的稳定性和可靠性。     

谈RC桥式振荡器的正弦输出及频率的稳定问题

RC桥式振荡器,当其同相,放大倍数为Au=3附近时,才能保证正弦输出,否则将以指数规律衰减,理由以方程解可以解释。频率的稳定度以组成电路元作的F稳定值为准。元件位越稳定,频率愈稳定。     

由第二代电流传输器实现的RC正弦振荡器的压控振荡器

提出由单块第二代电流传输器构成的ＲＣ正弦振荡器和压控振荡器。     

受迫FET振荡器Volterra理论分析

该文应用Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数法分析电容耦合ＦＥＴ振荡系统在外加信号下的注入锁定现象，解析地推导了出输出信号和注入锁定带宽表达式，首先建立系统的频域模型，然后用Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数导出系统的各阶传递函数，最后列出基波方程。结果表明。在外加信号的零时，所求了的解是系统的自治振荡输出，在外加信号频率ωｃ与系统频率ω０相差不大时发生注入锁相，其导出的频率锁定带宽同平均法结果是相同的。     

正弦振荡器起振条件的定量分析

正弦振荡器在晶体管和电路参数确定后，只能在一个频率上产生正弦振荡。振荡稳定后，要满足振荡平衡条件；但在接通电源后要建立起稳定的正弦振荡，电路又必须满足起振条件。本文从分析AF＞1这个起振条件入手，依据相位平衡条件φA φF=2nπ，求得振荡频率f0；依据│AF│＞1，求满足起振条件时所需的晶体管及电路参数值。并对一个具体振荡电路进行了定量分析。     

电压控制LC振荡器设计

电压控制LC振荡器是如今使用非常广泛的一类电子器件,本设计选用西勒振荡电路作为VCO．只要改变二极管MMBV109两端的电压,即可改变VCO的输出频率。并且利用锁相环频率合成技术．采用大规模PLL芯片MC145152和其他芯片构成数字锁相环式频率舍成器,使输出频率稳定度进一步提高。