电阻箱零值电阻的误差分析

电阻箱是电磁学实验中的重要实验器材．实验中,计算实验误差时常常不考虑电阻箱零值电阻所引起的误差．而实际上,存放一段时间的电阻箱其零值电阻将大大超过原来的额定零值电阻．用这些电阻箱去做实验时,会对实验数据正确性造成一定影响．在用电阻箱代替高值电阻时,其影响比较微小可以忽略,而用电阻箱代替低值电阻时,电阻箱零值电阻造成的误差是比较大的,所以在实验中就要对其进行测量并修正.为了使电阻箱保持比较正常的零值电阻,必须按照正确的方法来保存电阻箱．     

万用表测电阻不能用减零误差法

用万用表测电阻时必须进行调零 ,否则 ,使用减零误并法会增加电阻测量的偏差     

万用表欧姆挡最佳调零电路设计

减小调零电路等效电阻的波动范围取决于调零电路中元件参数选择的是否恰当。本文对调零电路中的各元件参数进行了分析和选择，并对调零电路进行了最佳设计。     

简讯

我校物理系超导研究组在高温超导材料研究中取得新进展,已于4月25日制成起始转变温度125K,零电阻84K的铊钡钙铜氧超导新材料,以后不断改进工艺,零电阻温度已提高到108K,並正在继续改近,他们采用了和国外报道的不同的材料和独创的工艺,除零电阻略     

基于零秒电阻拟合的电机绕组温升测试方法

为了解决直接测试电机绕组零秒温升存在困难的问题,基于零秒电阻拟合方法,对3种温升情况下的电机绕组温升计算理论进行了分析.采用线性最小二乘法确立了零秒电阻的拟合公式,利用金属电阻与温度变化的线性关系得到电机绕组零秒温升的计算方法,进行了温升试验和误差分析,并讨论了中小型电机绕组温升简化测试方法.试验结果表明,该测试方法有效,还可用于多种电机的温升试验测试.     

高温超导陶瓷材料的实验研究

讨论了高温超导陶瓷YBa2Cu3O9-x体系的研制方法，研究了各种因素对YBa2Cu3O9-x体系电特性的影响，通过X射线衍射分析及扫描电镜观测，确定了该样品为钙钛矿结构，并获得了零电阻为98K的高温超导陶瓷材料，它具有良好的抗磁性，同时，还探讨了烧制TlBaCaCu2Oy新体系的工艺条件，获得了零电阻为116．5K的Tl系超导陶瓷材料，该材料具有良好的抗磁性。     

带套管金属管道阴极保护效果的实验研究

以简化电路模型为依据。用实验方法对加外套管的管道阴极保护效果进行了分析。根据由实际套管情况简化的电路模型。设计了相应的实验装置。以套管内外的金属电阻和电解质电阻为主要变量，研究了套管内阴极保护电位的衰减规律。实验结果表明，在阳极到正常阴极保护的电解质电阻与阳极到另一电极的电解质电阻基本相等的情况下，金属电阻不太大时，极化电位衰减率和金属电阻之间呈线性关系；当极化电位衰减不太大时，保护电位衰减率的对数和金属电阻及因子（两种电解质电阻之比）呈线性关系。根据电位等值线图估计，当两种电阻（金属电阻和一种电解质电阻，另一电解质电阻为零）单独存在时，若电阻值超过15KΩ，或金属电阻和一种电解质电阻同时存在且两者大小接近时，若其中一种电阻阻值超过6kΩ，则套管内金属一般得不到保护。     

电阻炉温度微机控制系统的研制

以个人计算机为基础，以Ａ／Ｄ转换器为核心，并配以适当的外围接口电路，实现对电阻炉温度自动控制，设计了一种壶零检测电路，将ＰＩＤ控制增量转换成占空比，并由数字电路输出有一定占空比的矩形波，利用硬件方法实现普通双向可控硅的同步过零触发从而实现功率可调。     

高频冶炼法制作超导材料工艺

采用高频冶炼工艺,我们已经制造出零电阻温度为90K～192K 的 Y—Ba—Cu—O 高温超导材料,其中,零电阻温度为148K 和192K 各出现一炉。取起始转变温度电阻的10—90%为超导转变宽度,普遢小于1K。高频冶炼工艺周期短,冶炼时间为10小时,降温时间为3小时。     

电阻炉温度微机控制系统的研制

以个人计算机为基础，以Ａ／Ｄ转换器为核心，并配以适当的外围接口电路，实现对电阻炉温度自动控制．设计了一种过零检测电路，将ＰＩＤ控制增量转换成占空比，并由数字电路输出有一定占空比的矩形波，利用硬件方法实现普通双向可控硅的同步过零触发从而实现功率可调     

MF47型万用表电阻档电路的分析与仿真

万用表可以测量很多参数,如电压、电流、电阻等,它是一种多功能的测量仪表。MF47型指针式万用表常常被高校选为实习对象,其电阻档电路需要调零等过程,电路原理较难理解。为了提高教学效果,让学生更好的了解和掌握指针式万用表电阻测量电路的原理,本文首先对万用表电阻档电路进行理论分析,接着用Multisim软件对电路进行仿真分析,仿真数据验证了电阻档刻度是非线性的以及调零的必要性,形象直观的说明了万用表的电路原理。     

零脉冲高分辨率磁编码器的研制

编码器在许多应用场合要求敏旋转１个周期给出１个零脉冲信号，要满足这一使用要求，在前期增量型高分辨率磁编码器的研究基础上，对具有零脉冲信号输出的磁编码器的结构设计、信号触发磁鼓的试制、磁敏电阻敏感元件制备、电子信号处理的研制过程进行讨论。     

直流离子发生器性能的研究

在针环状直流离子流发生器的导引环上增加了导引电阻，离子流引出总量和引出效率得到显著提高并随导引电阻增大趋于饱和。对导引环孔径为３．０ｍｍ，针环距为零，总电晕电流为２５．０μＡ，气流量为７．０ｍ３／ｈ的负离子流发生器，当导引电阻由零增加到１５０ＭΩ以上时，离子流引出总量和引出效率分别由１．０μＡ和４％增加到饱和值４．７５μＡ和１９％。增大气流量或减小导引环孔径和针环距也可同时增大离子流引出总量和引出效率。对导引环孔径为１．５ｍｍ，针尖电压为－１５．０ｋＶ，导引电阻为２００ＭΩ，针环距为零，气流量为５．６ｍ３／ｈ的离子流发生器，离子流引出总量和引出效率分别可达１７．４μＡ和３０％。但过大的气流速度会产生严重的气流噪音，这对实际应用不利。增大电晕电压和电晕电流可增加离子流引出总量，但引出效率却下降。该工作对直流离子流静电消除器，静电喷涂设备及负离子发生器的设计和性能改善有重要参考价值     

三点弯曲加载下YBCO电阻及K_(1c)特征研究

在300K和77K下,用三点弯曲方法测定了零电阻温度为79～85K的YBCO长条状超导试样的电阻压头位移曲线和平面应变断裂韧性K_(1c)。结果表明,77K下零电阻特性可以保持到完全断裂前瞬间,由K_(1c)得到的表面能比300K的高,高出的部分可被认为是应力诱导下的少量超导相变所附加的能量。     

理想开关特性的单一方程描述及其电路的时域分析

提出了理想二极管，压控开关，流控开关等的一单一方程描述，将开关视为一个导通电阻为零，切断电阻为无限大的非线性电阻，由于用一个统一的方程描述开关的电压电流关系，因而可在一个拓扑下分析开关型电路，在数值仿真时，不需要编制开关状态判断与初始值求解的专门程序，理论与实际分析均表明，这种开关模型能用于电力电子电路的数值计算，采取后向差分法，也可分析含有冲激量的模拟集成电路。     

Bi-Sr-Ca-Cu氧化物的高Tc超导电性

目前,不含稀土的两类(Bi系和Tl系)新型高Tc氧化物超导体正日渐引起国内外有关学者的高度关注。Tl系高于110K的超导相较易稳定,零电阻温度已达114K,然而Tl的昂贵(比稀土Y还贵几倍)及剧毒性(神经性毒物,致死量0.8g)不能不成为其致命的弱点。比较之下,Bi系材料无毒、价廉,更具前途,但迄今其零电阻温度却只有84～85K左右。显然,进一步提高Bi系超导体的零电阻温度必将成为人们研究的重要方     

太阳电池串联电阻与I-V曲线斜率的关系

太阳电池的串联电阻对其I-V曲线有显著的影响.串联电阻越大,I-V曲线在开路电压处偏离串联电阻为零的I-V曲线越大.偏离度可由开路电压处的斜率表示.开路电压处的I-V曲线斜率与串联电阻的相关关系可由I-V特性方程分析得到.     

计及动作时间的开关模型及其应用

提出了一种计及动作时间的开关模型，即处在导通过程的开关用电压源表示，处在断开过程的开关用电流源表示，开关的导通电阻可以为零，断开电阻可以为无限大．利用这种模型，可用结点法对电路进行时域分析，避免了由理想开关模型引起的不连续初始值求解的困难，保留了理想开关模型的优点，与计及开关通断电阻的模型相比，极大地减少了计算时间，实例表明，这种模型具有编程容易、仿真时间短的优点，适用于开关网络的建模和仿真。     

HgBa2CuOx高温超导体的简易合成方法

本文报导了常压下ＨｇＢａ_２ＣｕＯ_ｘ高温超导体的合成方法，Ｘ光的测量结果表明超导样品的质量好，几乎不含其它杂相，超导转变温度为９１．５Ｋ，零电阻温度为８３Ｋ。     

新高温超导体Tl-Ba-Ca-Cu-O化合物

报导用高温烧结工艺研制出的高溫超导体Tl-Ba-C-Cu-O化合物,其零电阻转变溫度Tc为112K。